非易失性MRAM读写操作
高密度MRAM具有非常低的功率,高的读取速度,非常高的数据保留能力和耐久性,适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米,读取速度为10ns,读取功率为0.8mA/MHz/b,在低功耗待机模式(LPSB)下,其在25C时的泄漏电流小于55mA,相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据,它具有100K个循环的耐久性,而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力,在150°C的条件下可保存数据10年以上。 MRAM 读取操作 为了从LPSM快速,低能耗唤醒以实现高速读取访问,它采用了细粒度的电源门控电路(每128行一个),分两步进行唤醒(如图1所示)。电源开关由两个开关组成,一个开关用于芯片电源VDD,另一个开关用于从低压差(LDO,LowDrop-Out)稳压器提供VREG的稳定电压。首先打开VDD开关以对WL驱动器的电源线进行预充电,然后打开VREG开关以将电平提升至目标电平,从而实现<100ns的快速唤醒,同时将来自VREGLDO的瞬态电流降至最低。 图1.具有两步唤醒功能的细粒度电源门控电路(每128行一个)。 MRAM写入操作 低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图2所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP,WL到VREG_W0,SL到0以写入0状态。要写入1状态