http://news.mydrivers.com/1/672/672342.htm
国内最大的晶圆代工厂中芯国际在Q4季度中已经量产14nm工艺，贡献了1%的营收，该工艺能够满足国内95%的芯片生产。
中芯国际14nm工艺现在最重要的问题还是产能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圆厂生产，去年底也就生产了1000片晶圆左右，产量很低。
根据中芯国际联席CEO梁孟松的说法，14nm月产能将在今年3月达到4K，7月达到9K，12月达到15K。
中芯国际的14nm产能在15K晶圆/月之后应该不会继续提升了，还有更新的工艺。
其中基于14nm改良的12nm工艺也进入客户导入阶段了，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。
不过14nm工艺相比台积电、三星的工艺依然存在2-3代的差距，而且满足不了制造当前最高性能水平的处理器，所以中芯国际还在发展更新一代的N+1、N+2工艺。
在这次的财报会议上，梁孟松博士也首次公开了N+1、N+2代工艺的情况，他说N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
中芯国际一直没有明确14nm之后是否跳过10nm工艺，所以这个N+1到底是10nm还是7nm不能确定，但根据上面的说法，N+1基本上可以确定是7nm级别的工艺了，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，台积电从14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。
不过梁孟松也提到了，N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能不如，业界标准是提升35%，所以中芯国际的N+1工艺主要开始面向低功耗的。
N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。
至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。
从梁孟松的解释来看，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线差不多，7nm节点一共发展了三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+，前两代工艺也没用EUV光刻机，只有N7+工艺上才开始用EUV工艺，不过光罩层数也比较少，5nm节点寸是充分利用EUV光刻工艺的，达到了14层EUV光罩。
还有就是中芯国际的7nm级工艺问世时间，之前的财报中梁孟松提到是在2020年底开始试验产能，真正生产要到2021年了。
来源：https://www.cnblogs.com/jinanxiaolaohu/p/12315736.html