Jsc

博主太菜，可能会炸联赛，于是恶补一下 QAQ 题目比较基础，动态更新 Tags 生成树 ， 最短路 ， 差分约束 ， 树的直径与重心 ， LCA ， 树链剖分 ， 拓扑序 ， 强连通分量 ， 割点 ， 桥 ， 点双连通分量 ， 边双连通分量 ， 2-SAT ， 二分图 ， 正/负环 ， 最小环 Content 「Codeforces 888G」Xor-MST 生成树 「AtCoder JSC2019 Qual E」Card Collector 生成树 「Codeforces 888G」Xor-MST update - 2020.8.4 此题需要用到一个叫 Borůvka 的最小生成树算法，大致就是对现在的每一个连通块都找一遍的最短边，最后每个连通块择优，将这些边全部连上。这样复杂度之正确的原因可以参考启发式合并， \(O(|E|\log |V|)\) 。 对于此题，我们以可以用这样的思路来“择优合并”，即选取两个结点 \(u, v\) ，使得 \(a_u \oplus a_v\) 最小，然后合并。现在如何找到这个最小的就是个问题。 对于两个二进制数 \(x = (10001010)_2,y = (10000110)_2\) ，前 \(4\) 位相同，即 \(\text{lcp} = 4\) ，那么异或一次前四位都是 \(0\) 。我们优先考虑二进制下 \(\text{lcp}\)

博主太菜，可能会炸联赛，于是恶补一下 QAQ 题目比较基础，动态更新 Tags 生成树 ， 最短路 ， 差分约束 ， 树的直径与重心 ， LCA ， 树链剖分 ， 拓扑序 ， 强连通分量 ， 割点 ， 桥 ， 点双连通分量 ， 边双连通分量 ， 2-SAT ， 二分图 ， 正/负环 ， 最小环 ， 数据结构优化建图 Content 「Codeforces 888G」Xor-MST 生成树 「AtCoder JSC2019 Qual E」Card Collector 生成树 「HDU 4725」The Shortest Path in Nya Graph 最短路 「2018-2019 XIX Open Cup, Grand Prix of Korea」Dev, Please Add This! 2-SAT 「2015 ACM Amman Collegiate Programming Contest」Bridges 边双连通分量 树的直径与重心 「HDU 4370」0 or 1 最短路 最小环 「Codeforces 888G」Xor-MST update - 2020.8.4 此题需要用到一个叫 Borůvka 的最小生成树算法，大致就是对现在的每一个连通块都找一遍的最短边，最后每个连通块择优，将这些边全部连上。这样复杂度之正确的原因可以参考启发式合并， \(O(|E|\log |V

3 月，跳不动了？>>> 据分析机构最新数据，因数据中心对市场产生的带动作用影响，2019年第四季度的NAND Flash的总出货量季增近10%，市场逐渐出现供不应求现象。经历了一段降价期，NAND Flash存储器终于迎来一小段上升期。随着5G通信和AI技术的发展，数据中心将继续增长。2020年中国新增数据中心市场容量将占全球新增量的50%左右。 2020年更多创新技术及成熟技术将在数据中心中被广泛采用。服务器芯片 NAND FLASH 也出现供不应求现象。5G通信和人工智能的发展，数据中心将进一步进行加强新型服务于终端用户。在数据中心供应商已经看到了转型的必要性。2020年的5G等先进技术将首次应用于数据中心，而机器学习及其他AI技术的应用也将创造新的学习和工作方式，以此最大限度地提高员工生产力。这便意味着在新的一年中，数据中心的供应商将有更多的机会发展和增强其现有业务，尽管要充分利用这些技术优势，至少还需要几年时间。 数据中心建设也面临一些压力，对于数据中心来说联网危机是最大的压力之一。数据中心网络流量爆炸性增长，大量计算资源浪费于联网，目前80%以上的云服务器节点不提供接入，数据中心联网卸载确实很难实现。 2019年第四季度西部数据的出货量季增长24%，NAND Flash营收达18.38亿美元，较上季度增长12.6%。美光第四季度的出货量增长近15%

某厂面试归来，发现自己落伍了！>>> JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的 N AND MCP 厂家 。 JSC济州半导体NAND MCP 产品线主要包括NAND MCP+LPDDR4, NAND MCP+LPDDR2, NAND MCP+LPDDR1,目前 NAND MCP+LPDDR4,的产品更新到 4Gb + 4Gb的容量，J SC NAND MCP是由工业级的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封装在一起，不仅减小体积，同时能够减少外部电路的干扰，增强 Flash 和 DDR 的通信能力，提升系统整体的性能和可靠性。应用如手机，平板，数据卡，通讯模块，物联网模块，和可穿戴产品。 JSC济州半导体 4Gb + 4Gb NAND MCP 型号表 Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) 4Gb + 4Gb JSFCCE5QHAFGC-450B 4Gb x8 SLC 4Gb x16 LPDDR4x 4Gb + 4Gb JSFCCE5QHABGC-405B 4Gb x8 SLC 4Gb x16 LPDDR4x 4Gb + 4Gb JSFCCJ5QHAFGC- 405B 4Gb x8 SLC 4Gb x16