电阻

位置传感器在电子设备中，智能车比赛中有着广泛的应用。在Electronics Hub网站看到一篇比较全面介绍常用位置传感器的文章，其中包括有电位器、电容位置传感器、电感位置传感器、LVDT（线性差变变压器）、涡流接近传感器、霍尔传感器、旋转光电编码器、光电位置传感器、光纤位置传感器等。 本文先摘取前面两个传感器的内容，其他类型的传感器将来在进行汇总。 简 介 None 位置传感器通过检测目标是否存在，方位，速度，运动或者距离来保障运动控制、计数、或者编码任务的完成。 位置传感器可以用于检测目标的位置，电磁场的波动并将这些物理参数转换成输出电信号来提供目标位置信息。 随着技术的发展，传感器的体积、价格越来越小，性能越来越高，为很多应用提供了便利。 位置传感器的类型 None 根据传感器检测方式的不同，可以将位置传感器分为以下两大类： 征象类型名称所表明的那样，接触性的传感器有着和被检测物相互接触的物理点，此类传感器包括有：极限开关，基于电阻的位置传感器。接触类型的位置传感器 一般价格较低，并未应用中 允许物理接触点存在。 非接触类型的位置传感器与被检测物之间没有物理接触点。他们一般是基于静态磁场检测的传感器、接近开关、霍尔传感器、超声传感器、激光传感器等等。 每种类型的位置传感器都有各自的优缺点。针对特定应用选择满足需求，而且价格便宜的传感器。 基于电阻的位置传感器、电位器 None

在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文，“ ”（点击加黑文字可以跳转到该推文），对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。 推文一开始就讲到：只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。 虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢” 年轻教授Neubean怀着好奇心对于通常在MOSFET栅极串联100Ω电阻做法进行了实验研究，并得出了一个结论可以安抚自身疑问的心灵，但是感觉他最终还是没有真正抓住问题所在。 我们知道，MOSFET器件是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。 对于普通的双极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联电阻R1是为了了限制基极电流的大小，否则对于驱动信号源来说，三极管的基极对地之间就等效成一个二极管，会对前面驱动电路造成影响。 如果对于MOS管，由于它的栅极相对于漏极和源极是绝缘的，所以栅极上无需串联电阻进行限流。 相反，考虑到MOS管栅极存在的寄生电容，为了加快MOS管导通和截止的速度

TPS73xx系列（TPS7301,25,30,33,48,50等）是一款低压差串联型降压稳压芯片，可以提供500mA的稳压电流，在输出100mA电流的情况下，输入输出电压压差可以最多不超过35mV，这可以大大提高稳压电源的效率，或者提供大的电源稳压范围。 除了主要提供电源稳压功能之外，芯片内部还集成了电压检测模块，可以输出低电平RESET信号，为供电的微控制器、处理器提供复位功能。 TPS7333管脚分布，SOP8小型封装 近期正好有款电子设计需要使用低压差稳压电路，在应用之前对该稳压芯片的稳压基本性能做一些测试。 下面是测试该芯片的基本电路，其中没有使用它的RESET信号。在输出中串联了50毫欧姆的电阻用于测量输出电流。 测量电路原理图 使用快速制版制作建议的测量电路，焊接SOP封装的TPS7333芯片。 通过程控稳压电源提供TPS7333的输入电压，这样便可以测量该芯片对于输入电压的稳压效果。 实际测量实验电路 TPS7333的输出电压与输入电压的关系可以有下面动图显示。它显示了输入电压从0V一直增加到6V过程中，输出电压的实测变化过程。此时，TPS7333的输出连接一个固定的50欧姆的负载电阻。 这个输入输出关系曲线分为三个部分：在输入电压大约小于2V之前，输出电压为0V；在输入电压大于2V，小于3.3V之前，输出电压基本呈现线性变化的关系，即输出电压基本上等于输入电压

一个优秀的Layout，一块好的板子，并不是随便布线连同就可以实现电路要求的，凡事都得谨慎，此处别处摘要，讲述SDRAM类高速器件布线规则： 如果你没有信号完整性的知识和对传输线的认识，恐怕你很难看懂，如果你看不懂，那么请按这样一个通用的基本法则做： （1）DDR和主控芯片尽量靠近 （2）高速约束中设置所有信号、时钟线等长(最多允许50mils的冗余)，所有信号、时钟线长度不超过1000mils （3）尽量0过孔，元件层下面一定要有一个接地良好的地层，所有走线不能跨过地的分割槽，即从元件层透视地层看不到与信号线交叉的地层分割线。 这样的话200M的DDR基本上是没有太大问题。其它的一些 3W 20H 法则就能做到尽量做到吧 时钟信号： 以地平面为参考，给整个时钟回路的走线提供一个完整的地平面，给回路电流提供一个 低阻抗 的路径。由于是差分时钟信号，在走线前应预先设计好线宽线距，计算好差分阻抗，再按照这种约束来进行布线。所有的DDR差分时钟信号都必须在关键平面上走线，尽量避免层到层的转换。线宽和差分间距需要参考DDR控制器的实施细则， 信号线的单线阻抗应控制在50～60 Ω，差分阻抗控制在100～120 Ω 。时钟信号到其他信号应保持在 20 mil*以上的距离 来防止对其他信号的干扰。 蛇形走线的间距不应小于20 mil 。 串联 终端电阻RS 值在15～33Ω

明尼阿波利斯--(美国商业资讯)--高精度3D传感技术解决方案的全球领先开发商和制造商 CyberOptics® Corporation (NASDAQ: CYBE)将参加2020年2月5日至7日在首尔COEX（韩国国际会展中心）举行的韩国半导体工业技术展览会(SEMICON Korea)，展位号为C236。展会期间，该公司将发布和展示其新的WaferSense® Auto Resistance Sensor™ (ARS)和用于半导体工具设置与诊断的CyberSpectrum™软件。 该公司的300mm自动电阻传感器(ARS)和CyberSpectrum软件可在半导体电化学沉积(ECD)应用中实时测量镀层cell触点的电阻。ARS使用开尔文传感（4线电阻）方法快速识别并监视周围50个独立焊盘的电阻测量值，以检测影响电镀引脚的残留物。 它让半导体晶圆厂的工艺和设备工程师可以通过对一段时期内测得的平均电阻进行定量分析来预测工具何时需要维护，缩短设备维护周期，并利用类似晶片的4线电阻传感器和CyberSpectrum软件的客观和可重复数据来改善cell之间的一致性。 CyberOptics总裁兼首席执行官Subodh Kulkarni博士表示：“我们扩展了我们专有的WaferSense设备产品线，这些设备现已被全球半导体晶圆厂和设备OEM所使用，以显著提高产量和延长工具正常运行时间

电阻的含义：在电路中对电流有阻碍作用并造成能量消耗的部分叫做电阻。 常用电阻精度： 国标E24 精度5%(碳膜电阻) 国标E96 精度1%（金属膜电阻） 参考网站：https://wenku.baidu.com/view/ffa143e84431b90d6d85c7b0.html 电阻的作用 上拉/下拉 分流 分压（采用1%精度的电阻） 限流（采用5%精度的电阻） 偏置 滤波 阻抗匹配 1.上下拉 上拉电阻就是将不确定信号钳位在高电平，电阻同时起分流作用。 下拉电阻类似 2.分流 3.分压 4.限流 5.偏置 偏置电阻一般用于共射放大电路中，主要是用来调节基极偏置电流，使晶体管有一个合适的工作点。 6.滤波 7. 阻抗匹配 阻抗匹配主要用于传输线中，以此达到所有高频的微波信号均能传递至负载点，而且几乎不会有信号反射回来源点。 来源： CSDN 作者： 潘大仙是大锤 链接： https://blog.csdn.net/weixin_37964410/article/details/104039134

图示为我应用于实际的空心杯电机驱动电路。 可见，该电路通过MCU的PWM信号控制电机，实现了无刷电机的无极调速。 该电路的基本思想就是通过PWM信号控制MOS管（SI2302）的开与关；改变PWM的占空比，进而改变流过电机的有效电流，从而控制电机的转速。 在这里MOS管做开关，读过我之前文章（ https://blog.csdn.net/ouguangjin/article/details/75166894 ）的朋友应该知道，三极管也是可以做开关用的。那么问题来了，为什么在这里使用MOS管而不使用三级管呢？在这里，我做一下简要的解答。这里的MOS管指我们所常见的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），其导通时只有多数载流子参与电流的形成，因此其导通、截止速度快是选用其作为电机驱动的主要原因之一；再者，其导通电阻小也是一重要原因。 下面来对该电路进行分析： ①PWM信号输入到栅极；高电平时，MOS管导通，电机转动（注意，我这里没加限流电阻，5V的电压足以使空心杯电机达到最大的转速，若有同学想要对该电路进行测试要注意哦！）；低电平时，MOS管截止，电机停转。注意，有的地方地方可能会在MCU信号与MOS管的栅极之间加一电阻；个人认为这是不必要的，因为MOS管的栅极和内部参杂半导体是绝缘的，等效于栅极和内部的参杂半导体通过一个阻值非常大的电阻相连

在一些PCB的layout中，大家往往会看到在I2C通信的接口处，往往会接入一个4.7K的电阻，有的datasheet上面明确有要求，需要接入，有的则没有要求。 I2C接口 对于单片机来讲，有些IO内部的上拉电阻可以使能，这样就省去了外部的上拉电阻，这是对于单片机带有标准I2C通信协议接口，若是只带有模拟I2C协议接口，那么就需要考虑接入上拉电阻问题。下图是摄像头进行配置通信时SCL和SDA需要进行上拉电阻的连接。 在大多数情况下，由于I2C接口采用Open Drain机制，器件本身只能输出低电平，无法主动输出高电平，只能通过外部上拉电阻RP将信号线拉至高电平。因此I2C总线上的上拉电阻是必须的，如图1所示。 图1 因为I2C总线在空闲时必须拉高，只有是高的才能拉成低的，所以这是之所以规定空闲时必须为高的一个原因，要是保持“低”的话，那是不可能成为“多主”总线的。 其实I2C总线接口在工作时只会检测高低电平，他不会在乎有无上拉电阻的问题，所以总线必须满足时序要求。 上拉电阻的大小，会牵扯到两个问题，一个是功耗，一个是速度问题，两者是一个矛盾体。如果你想尽量提高速度，那么就牵涉到总线电容的问题，其实很容易理解，上拉电阻与总线的电容形成了RC，高速时将直接影响通讯！因为总线拉高时有个充电时间以及高电平的阀值

之前有写过DC-DC BUCK的自举电容，没有自举电容DC-DC是无法正常工作的。 DC-DC BUCK中的自举电容是什么？ 其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫BOOT电阻。BOOT电容的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将BOOT脚电压泵至比SW高的电压，维持高边MOSFET的导通状态。 加入了电阻，和BOOT电容就构成了RC充电电路，电阻的大小决定了高边MOSFET的开关速度。一般BOOT电阻越大，高边MOSFET开的就越慢，这个时候SW上的尖峰就越小，EMI特性就好。BOOT电阻越小，MOSFET开的快，SW尖峰就越大，所以有的时候会在SW上预留RC对地吸收。 来源： CSDN 作者： 记得诚 链接： https://blog.csdn.net/Albert992/article/details/103923686

　 什么是线与逻辑？需要和CMOS漏极开路门（Open Drain, OD）一起介绍。 　　通常CMOS门电路都有反相器作为输出缓冲电路，而在工程实践中，有时需要将两个门的输出端并联以实现“与”逻辑的功能称为“线与”逻辑，或者用于驱动大电流负载，或者实现逻辑电平变换。 　　现在来考虑一种情况，如果将将两个CMOS与非门G 1 和G 2 的输出端连接在一起，如图1所示，并设G 1 的输出处于高电平，T N1 截止，T P1 导通；而G 2 的输出处于低电平，T N2 导通，T P2 截止，这样从G 1 的T P1 端到G 2 的T N2 端将形成一低阻通路，从而产生很大的电流，很有可能导致器件的损毁，并且无法确定输出是高电平还是低电平，这一问题就需要OD门来解决 。 　　 所谓漏极开路门是指CMOS门电路的输出只有NMOS管，并且它的漏极是开路的。使用OD门时必须在漏极和电源V DD 之间外接一个上拉电阻（pull-up resister）R P 。如图2所示为两个OD与非门实现线与，将两个门电路输出端接在一起，通过上拉电阻接电源。 　　当两个与非门的输出全为1时，输出为1；只要其中以输出为0，则输出为0，所以该电路符合与逻辑功能，即L=(AB)'(CD)'。 　　上拉电阻对OD门动态性能的影响： 　　当其他门电路作为OD门的负载时，OD门称为驱动门，其后所接的门电路称为负载门