电阻

一、推挽输出：可以输出高、低电平，连接数字器件；推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。 二、开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行。适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强（一般20mA以内）。开漏形式的电路有以下几个特点： 1、利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。 2、一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果需要同时具备输出高电平的功能，则需要接上拉电阻，很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压，便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的速度。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。） 3

GPIO GPIO的英文全称General-Purpose Input /Output Ports,中文意思是通用I/O端口。 GPIO 的八种工作模式， （1）GPIO_Mode_AIN 模拟输入 （2）GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入 （3）GPIO_Mode_IPD 下拉输入 （4）GPIO_Mode_IPU 上拉输入 （5）GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出 （6）GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出 （7）GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出 （8）GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出 上拉输入、下拉输入： 上拉就是使IO口接上拉电阻到VCC了，跟51一样，下拉就是使IO口接下拉电阻到GND了，浮空就是即不接上拉，也不接下拉，这样的话IO默认输入电平不确定，上拉就是输入高电平，然后接一个上拉电阻（起保护作用），在你目前开发学习时，只需要知道上拉就表示该端口在默认情况下输入为高电平，下拉就相反了，指输入接低电平，然后接一个下拉电阻（关于上拉电阻与下拉电阻，设计比较多的数电模电知识，此处就略过，反正其保护电路的作用）， 浮空： 顾名思义，就相当与此端口在默认情况下什么都不接，呈高阻态，这种设置在数据传输时用的比较多， 推挽输出 : 可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制

Multism 10,照着书本画图，有普通电阻，但是好像找不到可调电阻的符号。 百度找到了答案： https://zhidao.baidu.com/question/203876720.html 原来可调电阻也在Basic组，位于Basic组的最后一个： 来源： CSDN 作者： zhouyingge1104 链接： https://blog.csdn.net/zhouyingge1104/article/details/103949740

【推荐】2019 Java 开发者跳槽指南.pdf(吐血整理) >>> LED(light-emitting diode)，即发光二极管，俗称 LED 小灯，它的种类很多，参数也不尽相同，我们板子上用的是普通的贴片发光二极管。这种二极管通常的正向导通电压是 1.8V到 2.2V 之间，工作电流一般在 1mA～20mA 之间。其中，当电流在 1mA～5mA 之间变化时，随着通过 LED 的电流越来大，我们的肉眼会明显感觉到这个小灯越来越亮，而当电流从5mA～20mA 之间变化时，我们看到的发光二极管的亮度变化就不是太明显了。当电流超过20mA 时，LED 就会有烧坏的危险了，电流越大，烧坏的也就越快。所以我们在使用过程中应该特别注意它在电流参数上的设计要求。那么下面我们来看一下这个发光二极管在开发板上的设计应用。首先来看图 2-3。（不喜欢看文字？登录乐搏学院官网，里面有海量的免费在线课程等你来学习） 图 2-3 是我们开发板上的 USB 接口电路，通过 USB 线，电脑给我们的开发板供电和下载程序以及实现电脑和开发板之间的通信。从图上可以看出，USB 座共有 6 个接口，其中 2脚和 3 脚是数据通信引脚，1 脚和 4 脚是电源引脚，1 脚是 VCC 正电源，4 脚是 GND 即地线。5 脚和 6 脚是外壳，我们直接接到了 GND 上，大家可以观察一下开发板上的这个 USB座的 6

基本释义 　　 　　稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。 　　 　　利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 　　 　　此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。 　　 　　在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 　　 　　稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 　　 　　稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 原理 　　 　　稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。 　　 　　当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。 　　 　　尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。 　　　　 主要参数 1）Uz— 稳定电压 　　指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。 　　由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。 2

在USB设备连接时，USB系统能自动检测到这个连接，并识别出其采用的数据传输速率。 USB采用在D+或D-线上增加上拉电阻的方法来识别低速和全速设备 。 USB支持3种类型的传输速率：1.5Mb/s的低速传输、12Mb/s的全速传输和480Mb/s的高速传输。 当主控制器或集线器的下行端口上没有USB设备连接时，其D+和D-线上的下拉电阻使得这两条数据线的电压都接近低电平（0V）；当低速/全速设备连接以后，电流流过由集线器的下拉电阻和设备在D+/D-的上拉电阻构成分压器。由于下拉电阻的阻值是15kΩ，上拉电阻的阻值是1.5kΩ，所以在D+/D-线上会出现大小为（Vcc*15/(15+1.5)）的直流高电平电压。如图所示，用实线所画电阻连接为低速设备连接，而虚线所画电阻为全速设备连接。当USB主机探测到D+/D-线的电压已经接近高电平，而其他的线保持接地时，它就知道全速/低速设备已经连接了。 高速设备在连接起始时，需要以全速速率与主机进行通信，以完成其配置操作。这时需要在D+线上连接1.5kΩ的上拉电阻。当高速设备正常工作时，如果采用高速传输，则D+线不可上拉；但如果仍采用全速传输，则在D+线上必须使用上拉电阻。因此，为识别出高速设备，需要在上拉电阻与D+线之间连接一个由软件控制的开关，它通常被集成在USB设备接口芯片的内部。 （全速上拉接D+，低速上拉接D-，高速上拉需控制） 来源

1 TL431的简介 德州仪器公司（TI）生产的TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref（2.5V）到36V范围内的任何值（如图2）。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中可以用它代替齐纳二极管，例如，数字电压表，运放电路、可调压电源，开关电源等等。 　　　　　　 左图是该器件的符号。3个引脚分别为：阴极（CATHODE）、阳极（ANODE）和参考端（REF）。TL431的具体功能可以用如图1的功能模块示意。 由图可以看到，VI是一个内部的2.5V基准源，接在运放的反相输入端。由运放的特性可知，只有当REF端（同相端）的电压非常接近VI（2.5V）时，三极管中才会有一个稳定的非饱和电流通过，而且随着REF端电压的微小变化，通过三极管 图1 的电流将从1到100mA变化。当然，该图绝不是TL431的实际内部结构，所以不能简单地用这种组合来代替它。但如果在设计、分析应用TL431的电路时，这个模块图对开启思路，理解电路都是很有帮助的，本文的一些分析也将基于此模块而展开。 2. 恒压电路应用 前面提到TL431的内部含有一个2.5V的基准电压，所以当在REF端引入输出反馈时，器件可以通过从阴极到阳极很宽范围的分流，控制输出电压。如图2所示的电路，当R1和R2的阻值确定时，两者对Vo的分压引入反馈，若V o增大

　　在双面PCB板中，凡遇到连线交叉时可利用正反面布线解决。在单面的线路板设计中，有些线路无法连接时，常会用到跨接线，在初学者中，跨接线常是随意的，有长有短，这会给生产上带来不便。放置跨接线时，其种类越少越好，通常情况下只设6mm，8mm，10mm三种，超出此范围的会给生产上带来不便。另外还有以下方法可使连线交叉，实现跨接线的作用。 　　1、加跨线或零欧电阻。用导线连接在线路板反面称为跨线，同一线路板中若跨线长度不统一就会影响美观，跨线长度与小型元件(如电阻)一致较佳。若安裝零欧电阻就更整洁，使人感觉不到有跨线的存在。 　　2、元件替代法。例如某一跨线与一18KΩ电阻串联，现将电阻改为15KΩ，在跨线处安装一个3KΩ电阻，总值仍为18kΩ，而跨线被取消了。 　　3、印刷跨线。单面板加印制跨线后可实现连线交叉，但印板制造成本略会升高。 　　4、迷宫形布线，在低速数字电路中，为了能在同一印板面布线，可采用迷宫形布线方法走线常在两个孔距很近的焊点之间穿梭。由于走线密度高，线条宽度窄，要求线路板图比例选得比较大。 来源： 51CTO 作者： wx5d5a400fd09e3 链接： https://blog.51cto.com/14507444/2461102

最近一周开发一个LED球泡灯可控硅调光项目，现总结如下： 项目要求： 1、使用RCC调光方案 2、输入电压Ui=120V(60HZ)，输出电压Uo=66V，输出电流Io=120mA(恒流) 什么是可控硅： 单向可控硅由4层半导体组成，有3个PN结：阳极A，阴极K，控制极G，如下图： 单向可控硅文字符号：SCR(Silicon Controlled Rectifier)，CT，KG等，图形符号： 可控硅导通的条件为： 在阳极和阴极之间加正向电压， 同时 在控制极加正触发电压 可控硅关断的方法有2个： 1、减小阳极电流至小于其导通维持电流（ 维持电流：在规定的环境温度和控制极断开的条件下，保持可控硅处于导通状态所需要的最小正向电流 ） 2、切断阳极电源 对于一个单向可控硅，主要看其5个参数： 额定正向平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压 可控硅调光原理： 如图为前沿切相可控硅调光电路，当C2上的电压达到或超过可控硅G极正触发电压时，可控硅会在每个AC电压前沿导通，当可控硅电流降至其维持电流以下后，可控硅关断，且必须等到C2重新充电至其G极正触发电压以上后才能重新导通。通过调节R2电阻值改变C2的充电速度，可改变可控硅导通的相位角，变化范围接近于0°-180° LED调光存在的问题： 引用“千家网”上《详解LED照明的可控硅调光技术》中提出的

电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。 一、半波整流电路 　　 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器 B 、整流二极管 D 和负载电阻 R fz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压 e2 , D 再把交流电变换为脉动直流电。 　 　 　　下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。 　　变压器砍级电压 e2 ,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内, e2 为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通, e2 通过它加在负载电阻 R fz 上,在 π~2π 时间内, e2 为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时 D 承受反向电压,不导通, R fz ,上无电压。在 π~2π 时间内,重复 0 ~π 时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复 π~2π 时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过 R fz ,在 R fz 上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压 U sc 。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此