电阻

1.基极必须串接电阻，保护基极。保护CPU的ＩＯ口。 ２.基极依据ＰＮＰ或者ＮＰＮ管子加上拉电阻或者下拉电阻。 ３.集电极电阻阻值依据驱动电流实际情况调整。相同基极电阻也能够依据实际情况调整。 基极和发射极须要串接电阻，该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止。极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后可以满足晶体管的临界饱和，实际选择时会大大高于这个极小值。通常外接干扰越小、负载越重准许的阻值就越大。通常採用10K量级。 防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠！三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时（如输入信号为高阻态时）。加下拉电阻。就能使有效接地。 特别是GPIO连接此基极的时候。一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候，此GPIO的内部也处于一种上电状态，非常不稳定，easy产生噪声，引起误动作！加此电阻，可消除此影响(假设出现一尖脉冲电平，因为时间比較短，所以这个电压非常easy被电阻拉低；假设高电平的时间比較长。那就不能拉低了，也就是正常高电平时没有影响)。 可是电阻不能过小。影响泄漏电流！（过小则会有较大的电流由电阻流入地） 当三极管开关作用时,ON和OFF时间越短越好,为了防止在OFF时,因晶体管中的残留电荷引起的时间滞后,在B,E之间加一个R起到放电作用。 来源： https://www.cnblogs.com

基础篇 – 电阻电容电感选型 感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 以下内容为个人经验分享，仅供参考。 STC15实战项目MP2451电源图: 一、电阻 1、选型依据 阻值:电阻值; 封装:常用封装0201,0402,0603,0805,1206,1812等； 功耗:1/16W,1/10W,1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W,3W等； 精度:1%，5%等。 2、选型方法 ①、优先考虑阻值，对于不常见的阻值，可以通过电阻的串联与并联代替； ②、计算功耗: P = I²R 或 U²/R， 根据功耗，合理选择封装，一般0402的最大功耗为1/16W,0603的最大功耗为1/10W,0805的最大功耗为1/8W,具体看电阻的选型手册。 ③、考虑精度：作为反馈环路、分压的电阻，一般选择精度为1%的，其它的，选择精度为5%的即可； ④、考虑成本:精度1%的比精度5%的贵，封装不同，价格也有些差异，常用的封装，价格稍微便宜些； ⑤、考虑PCB尺寸：板子越小，封装尽量用小点的，比如手机一般用0201，迷你型产品，0402用的多， 一般的产品，0603居多； ⑥、考虑加工

GPIO（也称为通用输入/输出）是控制器中最简单也是最重要的配置。但即便如此，IO也有各种各样的类型和配置选项，有输入，输出，上拉，下拉，推挽等。虽然我们天天都和它打交道，但是你真的了解其中的配置吗？ 输入模式 通常，GPIO输入主要通过以下三种方式之一进行配置： ● 高阻抗 （Hi-Z，也称为浮动floating） ● 上拉 （Pull-up，内部电阻连接到VCC） ● 下拉 （Pull-down，内部电阻连接到地） 当Input port被处在高阻抗的模式下，若没有外部讯号源进来的话，此时是无法确定port的状态(不能确定现在处在高电位或低电位)，除非有外部讯号来驱动电路。换句话说，Input floating，这个Input电位状态完全是由外部讯号来决定，没有讯号驱动的话，就会呈现高阻抗状态。 如果我们需要这个port有一个明确的预设状态时，必须借助pull-up(pull-down)resistor来做调整，在pull-up resistor(pull-up外接高电压，pull-down通常会接地)的作用之下，让port的维持在明确的高电压状态(pull-down则是让port维持在低电压状态)。 至于具体电阻的大小，一般在芯片手册中都有详细的描述。在实际配置中，除了要考虑port口内的上下拉电阻大小，还需要考虑MCU外围电路所带来的影响。 输出模式 GPIO的输出模式

1、同步电路和异步电路的区别是什么？ 异步电路：主要是组合逻辑电路，用于产生地址译码器、ＦＩＦＯ或ＲＡＭ的读写控制信号脉冲，但它同时也用在时序电路中，此时它没有统一的时钟，状态变化的时刻是不稳定的，通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化。也就是说一个时刻允许一个输入发生变化，以避免输入信号之间造成的竞争冒险。电路的稳定需要有可靠的建立时间和持时间，待下面介绍。 同步电路：是由时序电路(寄存器和各种触发器)和组合逻辑电路构成的电路，其所有操作都是在严格的时钟控制下完成的。这些时序电路共享同一个时钟ＣＬＫ，而所有的状态变化都是在时钟的上升沿(或下降沿)完成的。比如Ｄ触发器，当上升延到来时，寄存器把Ｄ端的电平传到Ｑ输出端。在同步电路设计中一般采用D触发器，异步电路设计中一般采用Latch修改。 异步电路: 电路核心逻辑有用组合电路实现 异步时序电路的最大缺点是容易产生毛刺。 不利于器件移植 不利于静态时序分析（STA）、验证设计时序性能。 同步时序电路: 电路核心逻辑是用各种触发器实现 电路主要信号、输出信号等都是在某个时钟沿驱动触发器产生的 同步时序电路可以很好的避免毛刺 利于器件移植 利于静态时序分析（STA）、验证设计时序性能。 复位 电路 有两个工作目的： 　　1、 仿真的时候使 电路 进入初始状态或者其它预知状态； 　　2、 对于综合实现的真实电路，通过复位使 电路

1、模拟地和数字地单点接地 只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是"浮地"，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的， 地的标准要一致，故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷，始终维持稳定，是最终的地参考点。虽然有些板子没有接大地，但发电厂是接大地的， 板子上的电源最终还是会返回发电厂入地。如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题： (1) 用磁珠连接；(2) 用电容连接；(3) 用电感连接；(4) 用0欧姆电阻连接。 磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。 电容隔直通交，造成浮地。 电感体积大，杂散参数多，不稳定。 0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。 2、跨接时用于电流回路 当分割电地平面后，造成信号最短回流路径断裂，此时，信号回路不得不绕道， 形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。 3、配置电路 一般，产品上不要出现跳线和拨码开关。有时用户会乱动设置，易引起误会

要点亮LED，先决条件是什么，当然得有相应的硬件设施。板子的整个电路图比较大，我就直接取相关部分。 给发光二级管加上3.3v电压后，通过1k电阻，直接与S3C2440连接。至于为什么要加电阻，大家应该都知道，发光二极管的正向电阻很小，管子很容易因电流过大而烧坏。至于具体多少，可以看你买的管子的说明。 具体的烧写驱动安装，ARM集成开发环境安装我就不说了。一般都有手册，手册里面说得很清楚。 下面是代码实现： AREA LED,CODE,READONLY ENTRY CODE32 GPFCON EQU 0x56000050 GPFDAT EQU 0x56000054 GPFUP EQU 0x56000058 INIT LDR R0,=0X70 LDR R1,=GPFUP STR R0,[R1] LDR R0,=0X1500 LDR R1,=GPFCON STR R0,[R1] LDR R0,=0X70 LDR R1,=GPFDAT STR R0,[R1] MAIN LDR R0,=0X60 STR R0,[R1] BL TIMER LDR R0,=0X50 STR R0,[R1] BL TIMER LDR R0,=0X30 STR R0,[R1] BL TIMER B MAIN TIMER LDR R0,=0X5FFFF TIMER_IMPLEMENT SUB R0,R0,#1 CMP

三相桥式全控整流电路原理图 ■ 原理图 ◆ 阴极连接在一起的 3 个晶闸管（ VT 1 ， VT 3 ， VT 5 ）称为 共阴极组 ；阳极连接在一起的 3 个晶闸管（ VT 4 ， VT 6 ， VT 2 ）称为 共阳极组 。 ◆ 共阴极组中与 a ， b ， c 三相电源相接的 3 个晶闸管分别为 VT 1 ， VT 3 ， VT 5 ，共阳极组中与 a ， b ， c 三相电源相接的 3 个晶闸管分别为 VT 4 ， VT 6 ， VT 2 。 ◆ 晶闸管的导通顺序为 VT 1 -VT 2 -VT 3 -VT 4 -VT 5 -VT 6 。 ■ 带电阻负载时的工作情况 ◆ 电路分析 三相桥式全控整流电路电阻负载 a =0 ° 时晶闸管工作情况 ■ 带电阻负载时的工作情况 ◆ 电路分析 ☞ 各自然换相点既是 相电压 的交点，同时也是 线电压 的交点。 ☞ 当 a ≤ 60 ° 时 √ u d 波形均 连续 ，对于电阻负载， i d 波形与 u d 波形的形状是一样的，也 连续 。 √ a =0 ° 时， u d 为线电压在正半周的 包络线 。 三相桥式全控整流电路电阻负载 a =0 ° 时晶闸管工作情况 时段 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 共阴极组中导通的晶闸管 VT 1 VT 1 VT 3 VT 3 VT 5 VT 5 共阳极组中导通的晶闸管 VT 6 VT 2 VT 2 VT 4

学习了张飞老师的硬件开发视频，把这一部的电路拿出来写一下。 项目的目的我就不写了，主要写一下硬件电路。分析一下这一个电路是怎么样工作的。 首先是电源部分，左边是用了一个三极管和一个稳压管搭建的稳压电源电路，15V的电源通过电阻R1到三极管的B极，稳压管的电压在5V6,然后经过三极管的PM结降压为5V输出。右边是一个跟随放大器。理想的电压跟随器应具有输入阻抗趋于无穷大、输出阻抗为0和正向电压传输系数Av=1三个基本特征，跟随器是一种电子线路，其输出信号基本等同于输入信号，但提高了带负载能力，广泛存在于各类电子线路中。电阻R3和R4用来调节输入跟随器的电压值，输出相同的电压值，跟随器输出一个5V6的电压，导通三极管Q2，通过PM结得到一个比较稳定的5V电压。J1是跳线帽的排针，实际电路的调试就通过一个跳线帽连接起来，就可以用一个电阻器调整输入电压。 接下来就是主体电路部分了。 从左边开始看，5PIN的排针是传感器的接触点，不用理会。 传感器的2号脚输入一个小电压的信号，U1B是一个同相放大器，把小电压放大。放大倍数为（1+R22/R15）,TR3还是作为实际调节电阻，可以调整放大倍数。 放大后的电压经过电阻进入两个比较器的负相输入端。R16,17,18三个电阻通过分压作为比较器的比较值。D6稳压管和电容C7作为滤波作用，提供了一个比较稳定的电压，让电压值波动小，稳定

同样位于元素周期表第四栏的元素，硅(Si)，锗(Ge)都是被最早用于半导体材料的元素，而碳元素©却不是。 碳元素在石墨结构下是导体，而在金刚石结构下，由于共价键跃迁能带比较大，是绝缘体。同样是金刚石结构的硅元素由于共价键比较弱，共用电子对定域性较差，在一定电压下电子就会解离，体现半导体性质。 如果将硅(Si碳©组成碳化硅(SiC)化合物，则形成宽禁带半导体（3V）。普通的硅（Si）半导体的禁带只有1.1V。 左边：碳化硅(SiC)晶体；右边：SiC晶体结构 由SiC制作的MOSFET耐压高，或者在同样的耐压要求下，MOSFET的尺寸就小，从而大大降低了MOS管的导通电阻和传热热阻。 使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高电压、高频率应用越来越广泛。 恰好手边有如下功率MOS管，左边为碳化硅MOS管，型号为C2M0080120，它的耐压为1200V，导通电阻80m欧姆。 中间的是普通的N沟道MOS管，形式是IRF450。它的耐压为500V，额定工作电流为13A。 右边是IGBT，型号为50N6S2。耐压为600V，额定工作电流为75A。 ^左：SiC：C2M0080120;1200V,31.6A, 80mΩ^ 中：MOSFET:IRF450:500V,13A： ^右：IGBT:50N6S2, 600V,75A^ 下面是对这三种MOS测量它们的漏极-源极之间的击穿电压

零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零，欧姆电阻实际是电阻值很小的电阻。 电路板设计中两点不能用印刷电路连接，常在正面用跨线连接，这在普通板中经常看到，为了让自动贴片机和自动插件机正常工作，用零电阻代替跨线。 用在单面PCB板上做跨线的O欧姆电阻 零欧姆电阻的作用总结可以包括以下作用： 用在单面PCB板上 做跨线的O欧姆电阻 单面PCB板 零欧姆电阻可以承受多少电流？　设计电路经常要用零欧姆电容，一般根据线路电流来选择电阻额定功率，那0欧姆一般选多少合适？ 一般的0欧姆电阻的实际阻值在50毫欧左右＋－5%的偏差。所以根据额定功率，你就可以计算出来，它的额定电流了。 鼠笼智能车 对于每种封装的O欧姆电阻具体可以通过多大的电流，还需要根据电阻在PCB板上的散热情况来决定。 下面分别测试了0603， 0805， 1206三种封装下，通过的电流和电阻两端之间的电压的关系。可以看到三种封装的电阻都在电流实际超过6A之后，电压开始快速上升。 测试0欧姆电阻最大流经电流 这说明电阻的温度也急剧增加，导致功耗也大幅度增加。0603电阻在电流增加到11.5A时烧毁，0805电阻在电流增加到12A时烧断，1206的电阻在12A时没有烧毁。 0603封装0欧姆电阻电流与电压之间的曲线 0805封装0欧姆电阻电流与电压之间的曲线