美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。
功能说明
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。
待机模式
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
写模式
选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。
在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
读取模式
选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
工作温度范围
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V
ISSI 低功耗SRAM
| Density | Org. | Part Number | Vcc. | Speed(ns) | Pkg(Pins) | 产品类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 16Mb | 1Mx16 | IS62WV102416ALL/BLL | 1.65-3.6V | 25,35 | TSOP1(48),BGA(48) | 16Mb LP SRAM芯片 |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248DALL/BLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) | 8Mb LP SRAM芯片 |
| 16Mb | 1Mx16 | IS62WV102416EALL/BLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | BGA(48) | 16Mb LP SRAM芯片 |
| 16Mb | 1Mx16/2Mx8 | IS62WV102416DALL/BLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | TSOP1(48) | 16Mb LP SRAM芯片 |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) | 8Mb LP SRAM芯片 |
来源：oschina
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