ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。
SRAM芯片型号IS62WV51216，管脚图如下：
IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
–12µW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅
来源：51CTO
作者：英尚微电子
链接：https://blog.51cto.com/14618340/2479207