芯片

问题描述 　　有n（2≤n≤20）块芯片，有好有坏，已知好芯片比坏芯片多。 　　每个芯片都能用来测试其他芯片。用好芯片测试其他芯片时，能正确给出被测试芯片是好还是坏。而用坏芯片测试其他芯片时，会随机给出好或是坏的测试结果（即此结果与被测试芯片实际的好坏无关）。 　　给出所有芯片的测试结果，问哪些芯片是好芯片。 输入格式 　　输入数据第一行为一个整数n，表示芯片个数。 　　第二行到第n+1行为n*n的一张表，每行n个数据。表中的每个数据为0或1，在这n行中的第i行第j列（1≤i, j≤n）的数据表示用第i块芯片测试第j块芯片时得到的测试结果，1表示好，0表示坏，i=j时一律为1（并不表示该芯片对本身的测试结果。芯片不能对本身进行测试）。 输出格式 　　按从小到大的顺序输出所有好芯片的编号 样例输入 3 1 0 1 0 1 0 1 0 1 样例输出 1 3 思路 题目告诉我们超过一半是好的， 我们只需要看每个芯片，别的芯片对他的检测，如果0比1多那他肯定是坏的。 #include<iostream> #include<bits/stdc++.h> using namespace std ; int a[30][30] ; //我以后一定开全局变量，20分被扣了 bool st[30] ; int n ; int main() { cin>>n ; for ( int i=1 ; i<

ESP32-SOLO-1 是一款通用型 Wi-Fi+BT+BLE MCU 模组，功能强大，用途广泛，可以用于低功耗传感器网络和要求极高的任务，例如语音编码、音频流和 MP3 解码等 ; ESP32-SOLO-1 有两款模组，具有不同的工作温度范围 ; 常温支持： -40 ～ +85 ；和 -40 ～ 105 ；此款模组的核心是 ESP32-S0WD 芯片 * 。 ESP32-S0WD 是 ESP32 系列的单核芯片，采用 5 × 5 mm QFN 封装，集成了其他 ESP32 双核芯片的全部外设。 ESP32-S0WD 具有强大的处理性能，是 IoT 领域内性价比极高的一款芯片；模组集成了传统蓝牙、低功耗蓝牙和 Wi-Fi ，具有广泛的用途： Wi-Fi 支持极大范围的通信连接，也支持通过路由器直接连接互联网；而蓝牙可以让用户连接手机或者广播 BLE Beacon 以便于信号检测。 ESP32 芯片的睡眠电流小于 5 µA ，使其适用于电池供电的可穿戴电子设备。模组支持的数据传输速率高达 150 Mbps ，天线输出功率达到 20 dBm ，可实现最大范围的无线通信。因此，这款模组具有行业领先的技术规格，在高集成度、无线传输距离、功耗以及网络联通等方面性能极佳。 ESP32 的操作系统是带有 LwIP 的 freeRTOS ，还内置了带有硬件加速功能的 TLS 1.2

典型的设计流程遵循以下所示的结构，可以分为多个步骤。 这些阶段中的某些阶段并行发生，而某些阶段依次发生。 我们将研究当今行业中典型的项目设计周期的情况。 要求（Requirements） 半导体公司的客户通常是其他一些计划在其系统或最终产品中使用该芯片的公司。 因此，客户的要求在决定如何设计芯片方面也起着重要作用。 自然，第一步将是收集需求，估计最终产品的市场价值，并评估执行该项目所需的资源数量。 技术指标 Specifications 下一步将是收集“规范”，该规范抽象地描述了要设计的芯片的功能，接口和总体架构。这可能类似于以下内容： 【1】需要计算能力才能运行成像算法以支持虚拟现实； 【2】需要两个具有相干互连功能的ARM A53处理器，并且应在600 MHz上运行； 【3】需要USB 3.0，蓝牙和PCIe第二代接口； 【4】应使用适当的控制器支持1920x1080像素显示； 架构Architecture 架构师提出了芯片应如何工作的系统级视图。 他们将决定需要所有其他组件，应运行什么时钟频率以及如何确定功耗和性能要求。 他们还决定数据如何在芯片内部流动。 一个示例是处理器从系统内存中获取成像数据并执行它们时的数据流。 同时，图形引擎将执行转储到内存另一部分中的前一批的后处理数据。 Digital Design数字设计 由于现代芯片的复杂性，不可能从头开始构建某些东西

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件，它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度，具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件（Spin Transfer Torque - Magnetic RandomAccess Memory：STT-MRAM）就是一种接近“万能存储器”要求的极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。 类比地球的公转与自转，微观世界的电子同时具有围绕原子核的“公转”轨道运动（电荷属性）、电子内禀运动（自旋属性）。 STT-MRAM 就是一种可以同时操纵电子电荷属性及自旋属性的存储器件。1988年，法国阿尔贝·费尔和德国彼得·格林贝格研究员通过操纵电子自旋属性实现了基于电子自旋效应的磁盘读头，使磁盘容量在20年间从几十兆比特（MB）暴增到几太比特（TB）。他们因此获得2007年的诺贝尔物理奖。 在读操作方面，磁随机存储器一般基于隧穿磁阻效应，在铁磁层1/绝缘层/铁磁层2三层结构中，当两层铁磁层磁化方向相同时，器件呈现“低电阻状态”，当两层铁磁层磁化方向相反时，器件呈现“高电阻状态”，且两个状态可以相互转化；在写操作方面，基于自旋转移矩效应，器件处于高阻态时，通自上而下的电流

  最近从TB买了一大堆各种各样的模块来玩，其中就有用MAX7219芯片来设计的8X8点阵模块，于是去查找了这个芯片的资料，现将学习笔记留下。 概述   MAX7219 是美国 MAXIM 公司推出的多位LED显示驱动器，是一种集成化的 串行 输入/输出 共阴极 显示驱动器，采用 3线 串行接口传送数据，可直接与单片机接口连接，用户能方便修改其内部参数，以实现多位LED显示。它内含硬件动态扫描电路、BCD译码器、段驱动器和位驱动器。此外，其内部还含有8X8 位静态RAM，用于存放8 个数字的显示数据。 MAX7219简介   MAX7219与MCU相连的引线有三条：DIN、CLK、LOAD/CS，采用16位数据串行移位接收方式。在 CLK 的每个上升沿将一位数据移入 MAX7219 内部的移位寄存器，在每个下降沿将数据从 DOUT 端输出。当16位数据全部移入完毕，在 LOAD 引脚信号上升沿将16位数据装入 MAX7219 内相应位置，在 MAX7219 内部动态扫描显示控制电路的作用下实现动态显示。    MAX7221 同 MAX7219 基本相同，可以视作 MAX7219 的 升级版 。相比MAX7219：    1. MAX7221 的段驱动有回流限制可以减少EMI；    2. MAX7221 与 SPI™、QSPI™、MICROWIRE™ 相兼容

线路板短路是制作过程中比较容易出现的问题，短路问题可能会引起元件烧坏，导致系统功亏一篑，所以必须引起我们的重视。 在 线路板 打样中 怎么查短路？下面一起来了解下。 一、检查 PCB设计图 　　打开 PCB设计图，把短路的网络点亮，看看什么地方离得最近，最容易连到一块，特别要注意IC内部的短路。 　二、人工焊接，要养成好的习惯 　　 1、焊接前要目视检查一遍线路板，并用万用表检查关键电路（特别是电源与地）是否短路；　2、每次焊接完一个芯片就用万用表测一下电源和地是否短路；3、焊接时不要乱甩烙铁，如果把焊锡甩到芯片的焊脚上（特别是表贴元件），就不容易查到。 　　三、分区域排查 　　发现有短路现象，拿一块板来割线（特别适合单 /双层板），割线后将每部分功能块分别通电，逐步排除。 　　四、使用短路定位分析仪器 　　五、如果有 BGA芯片，由于所有焊点被芯片覆盖看不见，而且又是多层板（4层以上），因此最好在设计时将每个芯片的电源分割开，用磁珠或0欧电阻连接，这样出现电源与地短路时，断开磁珠检测，很容易定位到某一芯片。由于BGA的焊接难度大，如果不是机器自动焊接，稍不注意就会把相邻的电源与地两个焊球短路。 更多问题详情可见： https://www.jiepei.com/g599。 来源： https://www.cnblogs.com/jiepei/p/11153091.html

转载：http://blog.csdn.net/shuaishuai80/article/details/6202205 介绍的很详细 Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF . 因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反 . (1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块. (2) NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据. (3) 由于NorFlash地址线和数据线分开，所以NorFlash芯片可以像SDRAM一样连在数据线上.NOR芯片的使用类似于通常内存芯片，传输效率高，可执行程序可以在芯片内执行(XI P, eXecute In Place

不同点： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

最近学习了X86汇编，其实无论是古老的8086还是现在i3/5/7/9,Xeon3/5，在最基本原理上，都是相通的，只是CPU位数，寻址空间，寄存器个数，指令集的扩充等方面有所不同，对于学习，8086永不过时。 1.端口的读写 在PC系统中，除和CPU通过总线相连的芯片（内存芯片）之外，还有3类芯片： （1）各接口卡（网卡、显卡）上的接口芯片，他们控制接口卡进行工作 （2）主板上的接口芯片，CPU通过它们对部分外省进行访问 （3）其他芯片，用来存储相关的系统信息，或进行相关的输入、输出处理 这些芯片都有一组可以由CPU读写的寄存器，这些寄存器物理上处于不同芯片中，但是都与CPU总线相连，可以通过CPU总线对他们进行控制，从CPU角度，将这些寄存器都称为端口，对他们进行统一编址，从而建立了一个统一的端口地址空间，每一个端口在地址空间中都有一个地址。 总结，CPU可以直接读写以下三个地方的数据： （1）CPU内部寄存器，在CPU内部 （2）内存单元，直接连在CPU上 （3）端口 端口地址和内存地址一样，都通过地址总线来传送。在PC系统中，最多可以定位64K个不同端口，他们的端口范围是：0~65535。 对端口的读写不能用mov、push、pop，应该用in和out in al,60h ;从60h端口读入一个接 执行过程： （1）CPU通过地址总线将信息60h发出 （2