nand

Nand flash 三种类型SLC,MLC,TLC

╄→尐↘猪︶ㄣ 提交于 2019-11-27 08:14:58
从前,大家谈TLC色变;如今,TLC攻占SSD半壁江山。是的,这个世界就是这么奇妙。 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了、百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC。 转载: http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html TLC是什么? 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的U盘。NAND Flash根据存储原理分为三种,SLC、MLC、TLC。 SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,1个存储器储存单元可存放1 bit的数据,只存在0和1两个充电值。以此类推,TLC = Triple-Level Cell,即3 bit per cell,1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。 单位容量的存储器,可以存储更多的数据,所以TLC每百万字节生产成本是最低的。 TLC工作原理: 小编尽量用通俗语言解释。根据NAND的物理结构,NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据,需要施加电压并形成一个电场,这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元,此时完成写入数据。如果要删除存储单元(数据),则要再次施加电压让电子穿过绝缘层,从而离开存储单元。 所以,NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。 由于TLC的1个存储器储存单元可存放3

SCM又添一个纯国产SSD玩家

爷,独闯天下 提交于 2019-11-27 03:29:49
“你中有我,我中有你。”计算与存储之间,一直以来就有着密不可分的关系。 在数字化变革的新时代,存储性能与计算性能的优化,对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。 SCM,即Storage Class Memory存储级内存,不仅享有DRAM的性能表现,同时拥有NAND Flash的容量优点,这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质,具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。 显然,SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥,适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天,SCM创新介质的出现,带来了计算存储前所未有的新改变,越来越备受业界的关注。 不过,在SCM领域,英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极,最近一次的新闻却将东芝存储器的 XL-Flash 推向了市场的前台。 在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上, 北京忆恒创源科技有限公司(Memblaze) 在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品 Memblaze PBlaze X26 。 东芝存储器公开信息显示,XL-Flash的延迟不会超过5微秒,相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟,拥有足足10倍的更佳表现

RAM & ROM

廉价感情. 提交于 2019-11-26 20:02:44
记录几种 RAM 和 ROM 的区别: 先说RAM吧!! 由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM,random access memory的缩写,只是前面加了几个修饰词而已。 SRAM:   静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。 SDRAM:   同步动态随机存储器,像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高,因为是动态的,所以必须有刷新电路,每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的,是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。 DRAM:   动态随机存储器,SDRAM只是其中的一种吧,没用过,不怎么清楚。 ROM :只读存储器的总称。 PROM:   可编程只读存储器,只能写一次,写错了就得报废,现在用得很少了,好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。 EPROM:   可擦除可编程存储器,这东西也比较古老了,是EEPROM的前身,在芯片的上面有个窗口,通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。 EEPROM: 电可擦除可编程只读存储器,比之EPROM就先进点了

韦东山嵌入式Linux学习笔记07--Nandflash

陌路散爱 提交于 2019-11-26 01:05:15
jz2440 v3上面用的nandflash是 K9F2G08U0C, 大小为256MB. 一个页的大小为(2k+64)byte,一个块的大小为(128k+4k)byte,原理图如下: nand的命令集: 那应该如何访问nand里面的数据呢?只要读写s32440的相关寄存器,就可以驱动nand的一些引脚. Makefile objs := head.o init.o nand.o main.o #依赖于这些文件 nand.bin : $(objs) arm-linux-ld -Tnand.lds -o nand_elf $^ #链接nand.lds $^表示所有依赖目标的集合 arm-linux-objcopy -O binary -S nand_elf $@ #规则中的目标文件集 arm-linux-objdump -D -m arm nand_elf > nand.dis %.o:%.c arm-linux-gcc -Wall -c -O2 -o $@ $< %.o:%.S arm-linux-gcc -Wall -c -O2 -o $@ $< clean: rm -f nand.dis nand.bin nand_elf *.o nand.lds SECTIONS { firtst 0x00000000 : { head.o init.o nand.o} /