“你中有我，我中有你。”计算与存储之间，一直以来就有着密不可分的关系。
在数字化变革的新时代，存储性能与计算性能的优化，对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。
SCM，即Storage Class Memory存储级内存，不仅享有DRAM的性能表现，同时拥有NAND Flash的容量优点，这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质，具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。
显然，SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥，适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天，SCM创新介质的出现，带来了计算存储前所未有的新改变，越来越备受业界的关注。
不过，在SCM领域，英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极，最近一次的新闻却将东芝存储器的XL-Flash推向了市场的前台。
在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上，北京忆恒创源科技有限公司（Memblaze）在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品Memblaze PBlaze X26。
东芝存储器公开信息显示，XL-Flash的延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟，拥有足足10倍的更佳表现。需要指出的是，XL-FLASH的本质还是3D NAND，并且是SLC，从材料的角度XL-FLASH似乎并不属于上文谈到的SCM范畴，但是从延迟等参数看确和SCM在同一量级。
所以也可以看到PBlaze X26超低延迟的效果。现场展示的PBlaze5 X26系列SSD原型产品，已能够实现低于10μs的4K随机写入延迟、以及平均低至26μs的4K混合读写延迟。在市场定位上，这是一款明显与英特尔傲腾（Optane）SSD 对标的国产化SSD产品。
Memblaze相关高层透露，PBlaze X26系列SSD不仅性能上更加出众，超低延迟表现更佳，同时售价也将更为平易近人。目前PBlaze X26正在和部分战略合作伙伴进行应用测试，预计在2020年会发布详细的产品计划。
业内人士分析认为，一旦PBlaze X26系列SSD进入商用市场，那么势必可以带来企业级用户关键业务应用领域的新改变，更有助于加快企业用户在数字化转型的速度，实现数据存储与计算领域更多创新方案的诞生。
既然提到了采用东芝XL-FLASH的SCM介质来实现PBlaze5 X26 NVMe SSD的创新，那么这里还需要提一下来自Memblaze的增强型多命名空间管理技术，因为这个技术实现了DRAM、NAND Flash、SCM等不同介质的统一的管理，并且可以对多个命名空间分配不同的资源，实现命名空间之间的性能隔离。
Memblaze在FMS2019上现场演示了多命名空间混合介质管理技术的效果。演示方案在MySQL场景下进行，在采用该项技术的测试案例中，工程师对一块PBlaze5 910 NVMe SSD 设置了2个 Namespace，其中包括在 DRAM 上设置了一个64MB 的Namespace。与预期一样，当MySQL的Double write buffer被放在DRAM的命名空间上时，系统性能得到30%以上的提升，同时NAND的数据写入量有了大幅下降(如下图)。
可见，增强型多命名空间管理技术在MySQL场景下具备明显的优化效果，通过固件统一管理DRAM介质和NAND介质命名空间，提供统一的接口给主机端, 这个方案充分利用了多种存储介质的不同特性，实现NVMe SSD性能的明显提升。
Memblaze这个演示方案非常典型，数据库往往是一个企业最为关键的应用，增强型多命名空间技术目前可以在DRAM、NAND Flash介质上实现数据库应用的性能优化，后面也会基于东芝XL-FLASH的SCM介质来进一步实现优化的创新。
为此，特别期待超低延迟的PBlaze5 X26 NVMe SSD方案能早日进入市场。
（Aming）
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