Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 everspin 已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM,它分为两个市场,嵌入式闪存替代和缓存。 STT-MRAM是具有磁隧道结(MTJ)存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。 为此 STT-MRAM 正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外,STT-MRAM旨在取代SRAM,至少用于L3缓存。STT-MRAM正在不断发展,以更密集地嵌入到SoC中,其更小的单元尺寸,更低的待机功率要求和非易失性提供了一个引人注目的价值主张,针对用作通用板载存储器和最后级别的大得多且易变的SRAM缓存。 但STT-MRAM的速度还不足以取代SRAM用于L1和/或L2缓存,还包括稳定性。我们相信STT-MRAM,访问时间将在5ns到10ns之间饱和。当你进入L1和L2缓存时,我们相信你需要去SOT-MRAM。 类似于STT-MRAM,SOT-MRAM仍处于研发阶段。不同之处在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT层。根据Imec