业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
图1.STT-MRAM的MJT细胞
everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。
STT-MRAM是具有磁隧道结（MTJ）存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。
为此STT-MRAM正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用于L3缓存。STT-MRAM正在不断发展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的单元尺寸，更低的待机功率要求和非易失性提供了一个引人注目的价值主张，针对用作通用板载存储器和最后级别的大得多且易变的SRAM缓存。
但STT-MRAM的速度还不足以取代SRAM用于L1和/或L2缓存，还包括稳定性。我们相信STT-MRAM，访问时间将在5ns到10ns之间饱和。当你进入L1和L2缓存时，我们相信你需要去SOT-MRAM。
类似于STT-MRAM，SOT-MRAM仍处于研发阶段。不同之处在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT层。根据Imec，它通过在相邻的SOT层中注入面内电流来引起层的切换。
当你切换STT-MRAM，需要通过MTJ推动当前，在内存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有两条路径，一条用于写入，另一条用于读取。读取就像STT。你通读了MTJ。写不是通过MTJ。这是一个很大的好处，因为您可以循环设备并对其进行优化以延长使用寿命。第二大优势是速度。
来源：51CTO
作者：英尚微电子
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