二极管原理

常用电子元器件有哪些?你认识几个?对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。 一、电阻 作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 二、电容 电容(或电容量，Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为 C，国际单位是法拉(F)。一般来说

电力二极管，也被称之为半导体整流器，是不可控器件。 原理简单，工作可靠。以半导体 PN结 为基础。 PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的。由于两者的多子是不同的，会造成两者的多子向另一个方向做 扩散运动 ，到对方区域形成少数载流子（少子）。从而在界面两侧分别留下正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正负电荷被称之为空间电荷，空间电荷建立的电场被称为 内电场 ，是为了阻止扩散运动的，叫做 漂移运动 。 扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终达到动态平衡，正负空间电荷量达到稳定值。 正向偏置 当PN结外加正向电压，正端接P区，负端接N区时，外加电场与PN结内电场方向相反，使得多子的扩散运动大于少子的漂移运动，形成扩散电流。正向导通。 反向偏置 当PN结外加反向电压，正端接N区，负端接P区时，外电场与PN结内电场方向相同，使得少子的漂移运动加剧，大于多子的扩散运动，形成漂移电流，在内部造成空间电荷区变宽，形成反向电流，PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。 以上，就是PN结的单向导电性，二极管的原理就是基于此的。 为了承受高电压和大电流的能力，电力二极管具体的半导体物理结构和工作原理还要进行一些改动。 电力二极管大都是垂直导电结构的，也就是说电流在硅片内流动的总体方向是与硅片表面垂直的

文章目录 14.1 半导体的导电特性 14.1.1本征半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 练习与思考 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.3.1基本结构 14.3.2伏安特性 14.3.3主要参数 14.1 半导体的导电特性 半导体, 导电能力介于导体和绝缘体间。 硅、锗、硒及大多数金属氧化物和 硫化物   有些半导体(钴、锰、镍等的氧化物)对温度的反应灵敏,温度增高时,导电能力要强很多。 做成各种热敏电阻。 有些半导体(如镉、铅等的硫化物与硒化物)受光照时, 导电能力变很强; 无光照时,又变得像绝缘体那样不导电。 做成了各种光敏电阻。   在纯浄的半导体中掺入微量的杂质后,导电能力就可增几十万乃至几百万倍。 纯硅中摻百万分之一的硼后,电阻率从 2 × 1 0 3 Ω ⋅ m 2\times 10^{3}\Omega\cdot m 2 × 1 0 3 Ω ⋅ m 减小到 4 x 1 0 − 3 4x10^{-3} 4 x 1 0 − 3 就做成不同用途的半导体器件, 二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管   半导体何以有如此悬殊的导电特性? 根本原因在于事物内部的特殊性。 简单介绍一下半导体物质的内部结构和导电机理。 14.1.1本征半导体 用得最多的半导体是锗和硅。 锗和硅的原子结构图,各有四个价电子,四价元素。 将锗或硅材料提纯(去掉无用杂质

基本释义 　　 　　稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。 　　 　　利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 　　 　　此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。 　　 　　在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 　　 　　稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 　　 　　稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 原理 　　 　　稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。 　　 　　当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。 　　 　　尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。 　　　　 主要参数 1）Uz— 稳定电压 　　指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。 　　由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。 2

续流二极管作用及工作原理 续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流 消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时， 会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产 生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。 在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消 失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极管。其实还是个二极管 只不过它在这起续流作用而以，例如在继电器线圈两端反向接的那个二极管或单向可控硅两端反向 接一个二极管。 为什么要反向接个二极管呢？ 因为继电器的线圈是一个很大的电感，它能以磁场的形式储存电能，所以当他吸合的时候存储 大量的磁场当控制继电器的三极管由导通变为截至时线圈断电但是线圈里有磁场这时将产生反向电 动势电压可高达1000V 以上很容易击穿推动三极管或其他电路元件，这是由于二极管的接入正好和 反向电动势方向一致把反向电势通过续流二极管以电流的形式中和掉从而保护了其他电路元器件， 因此它一般是开关速度比较快的二极管，象可控硅电路一样因可控硅一般当成一个触点开关来用， 如果控制的是大电感负载一样会产生高压反电动势原理和继电器一样的

通常的倍频原理：需要倍频的信号通过非线性器件（如二极管，一个二极管也行。二个二极管甚至4个二极管），串联检波或并联钳位都行甚至平衡混频电路。然后带通滤波输出倍频信号。 来源： CSDN 作者： gtkknd 链接： https://blog.csdn.net/gtkknd/article/details/53862768

半导体 半导体内容分析是为了后面推挽输出、漏极开路输出、集电极开路输出内容做铺垫的 晶体管泛指一切以 半导体材料 为基础的单一元件。 半导体 定义：半导体指常温下导电性能介于 导体 与 绝缘体 之间的材料。 半导体发展史 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。 1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现 硫化银 的 电阻 随着温度的变化情况不同于一般 金属 ，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但 法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低 。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的 贝克莱尔发现半导体和 电解质 接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的 光生伏特效应 ，这是被发现的半导体的第二个特性。 1873年，英国的 史密斯 发现硒晶体材料在光照下电导增加的 光电导效应 ，这是半导体的第三种特性。 在1874年， 德国 的 布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个 正向电压 ， 它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的 整流效应 ，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与 氧化铜 的整流效应。 半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由

　　晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 　　二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图)一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。 　　二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。 　　大部分二极管所具备的电流方向性，通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

明星一:电阻 作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。” 电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 在物理学中，用电阻（Resistance）来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。 电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四 色环电阻 五色环电阻（ 精密电阻 ）。 2

一、基本概念 　　二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出电极称为正极或阳极，N区引出的电极称为负极或阴极。 1、二极管的伏安特性 　　二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。 　　　　　　　　　　 2、正向特性 （1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线0A称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5V,锗的死区电压约为0.2V，该电压又称为门坎电压或阈值电压 （2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电厂几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加，正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，福安关系近似线性，处于充分导通状态。 （3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V. 3、反向特性 （1）二极管承受反向电压时，加强了PN结内的内电场，二极管呈现很大电阻，此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段位反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中