sram

在stm32f407内部SRAM调试程序调试过程 目录 硬件 软件环境 调试程序介绍 RAM调试所需相关配置 1、修改代码存放地址和数据存放地址 2、更改向量表 3、更改DEBUG配置 4、取消更新flash程序 运行 目录 你好！ 这是你第一次使用 Markdown编辑器 所展示的欢迎页。如果你想学习如何使用Markdown编辑器, 可以仔细阅读这篇文章，了解一下Markdown的基本语法知识。 硬件 本次调试使用的硬件为正点原子STM32F4探索者开发板。 软件环境 软件使用的Keil V5.27.1.0 STM32f407使用的是LL库 调试程序介绍 为了能在FLASH运行和SRAM运行做个对比，写了两个测试程序。 在FLASH中运行的程序有两个LED灯会按照500ms的时间间隔闪烁 在SRAM中运行的程序只有一个LED灯会按照500ms的时间间隔闪烁 //主要代码如下： int main ( void ) { NVIC_SetPriorityGrouping ( NVIC_PRIORITYGROUP_4 ) ; SystemClock_Config ( ) ; LED_GPIO_Config ( ) ; while ( 1 ) { /* 在flash中运行的代码 */ LED0_Toggle ( ) ; LL_mDelay ( 500 ) ; LED1_Toggle ( )

因为STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），所以为了延长FLASH的使用时间，我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外，SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，所以下载程序到SRAM中的速度较快。 所以我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇笔记主要分享在 keil5 中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。 本篇笔记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。在STM32F10XXX里，可以通过BOOT1、BOOT0引脚来选择三种不同的模式： 我们要在FLASH中进行硬件仿真调试还是在RAM中进行硬件仿真调试需要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。 在FLASH中进行硬件仿真调试 1、硬件设置 BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。 2、keil设置 本文以keil5为例。步骤如下： （1）点击如下按钮，修改target的名称： target的名称是可以随意更改的，我们这里改为FLASH。 （2）点击 Project->Options for Target Flash...

1、什么是存储器？存储器的分类有哪些？ 　　存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。 　　按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）, 也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。 　　按读写功能存储器可分为只读存储器(ROM)和随机读写存储器(RAM)两种。ROM存储的内容是固定不变的，它是只能读出而不能写入的半导体存储器; RAM是既能读出又能写入的半导体存储器。当机器电源关闭时，ROM仍然可以保持数据，而存于RAM中的数据则会丢失。 　　在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。 　　我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上

RAM可分为静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，只有0，1两个稳态；DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。 SRAM：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。 DRAM：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。 静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表： 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小 存储成本 高 低 动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作 来源： https://blog.csdn.net/qq_31433709/article/details/100830083

1. keil编译介绍 　　 当使用keil进行单片机的开发时，运行一段程序后，在output输出框会看到如下图的结果。 图1 keil 的output框 　　其中，Compiler编译器，使用的版本是 V5.06，程序会先经过编译、后链接linking生成可执行的代码，如果要下载单片机的Flash上，还需要转换成二进制（bin）或者十六进制（hex）的文件。 具体过程如下： 图2 keil的编译过程 　　值得注意的是，经过编译后，并不会给变量赋地址生（.o文件），只有经过链接器链接后变量才有地址，链接的作用可以看做是便于管理。经链接后 代码分为 Code、RO-data、RW-data、 ZI-data 四部分。接下来是老生常谈的问题，每个区都是干嘛的呢？ CODE： 代码区，指程序中代码即函数体的大小，注意程序中未使用的函数也会算在CODE中，也即会占用FLASH空间，因此不用的函数最好删除掉，以免占用过多FLASH空间； RO-DATA： RO就是只读的意思，程序中只读的变量（也就是带Const的）和已初始化的字符串等； RW-DATA： 特指已初始化的可读可写全局/静态变量； ZI-DATA： 未初始化的可读可写全局/静态变量，注意初始化为0也算做未初始化，用到的堆空间和栈空间也会被算入这里面； 　　之前我一直在想的一个问题是我的局部变量存放在哪里，其实是这样的

遇到的问题： 1、spifi flash XIP启动模式。（有RAM启动和外部flash启动） 2、XIP启动后如何使用flash功能。（SPIFI操作flash需要把操作函数定位到SRAM中执行） 3、XIP启动后UART接收bin文件功能。（在外部falsh中启动，uart不能接收到数据？所有定位到SRAM中接收数据） 4、uart包接收解析。 下节详细讲解： 来源： https://blog.csdn.net/ldinvicible/article/details/98766806