sram

因为项目需要，需要用到SRAM进行内存扩展，在学习这个之前，我们先回忆一下FLASH的的存储特性： （1）.在写入数据之前必须先擦 （2）擦除时会把数据位全部重置为1 （3）写入数据时只能把1的数据改为0，（4）擦除时必须按最小的单位进行来擦除（一般改为扇区） 注：norflash 可以一个字节写入，nandflash必须以块或者扇区为单位进行读写 1.SRAM 介绍 SRAM的 内部框架 异步通信 2.FSMC 来源： CSDN 作者： 一禅的师兄 链接： https://blog.csdn.net/weixin_42145502/article/details/103890420

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好 另外，一些变量

操作系统内存管理 内存管理包括内存管理和虚拟内存管理。 内存管理包括程序装入等概念、交换技术、连续分配管理方式和非连续分配管理方式（分页、分段、段页式）。 虚拟内存管理包括虚拟内存概念、请求分页管理方式、页面置换算法、页面分配策略、工作集。 我们先来了解一下什么是内存： 内存是计算机系统的一个重要组成部分，只有在内存中的程序才能被CPU所执行，而且CPU运行时所需要的数据和程序运行空间都是从内存中获取，所以内存性能的好坏直接影响我们计算机性能的好坏. 讲到内存我们可以讲一下关于存储器的分类： 存储器按照功能分配可以分为高速缓冲存储器（cache）,主存储器(内存),外存储器（外存）： 高速缓冲存储器（cache）：cache又分为一级cache和二级cache，一级cache是位于CPU内部的存储器，它负责存储并向CPU传递需要的数据和指令，二级cache位于CPU和主存储器(DRAM)之间，二级的作用就是存储那些CPU处理时需要用到、一级缓存又无法存储的数据。CPU读取数据时，先从一级cache中寻找，找不到再从二级cache中寻找，有时还需要从三级cache中寻找.它们的共同点是读取速度都比CPU慢比内存快，内存容量小，价格高. 缓存的出现主要是为了解决CPU运算速度与内存 读写速度不匹配的矛盾，因为CPU运算速度要比内存读写速度快很多

这一章主要讲操作系统的内存管理 操作系统内存管理 内存管理包括内存管理和虚拟内存管理。 内存管理包括程序装入等概念、交换技术、连续分配管理方式和非连续分配管理方式（分页、分段、段页式）。 虚拟内存管理包括虚拟内存概念、请求分页管理方式、页面置换算法、页面分配策略、工作集。 我们先来了解一下什么是内存： 内存是计算机系统的一个重要组成部分，只有在内存中的程序才能被CPU所执行，而且CPU运行时所需要的数据和程序运行空间都是从内存中获取，所以内存性能的好坏直接影响我们计算机性能的好坏. 讲到内存我们可以讲一下关于存储器的分类： 存储器按照功能分配可以分为高速缓冲存储器（cache）,主存储器(内存),外存储器（外存）： 高速缓冲存储器（cache）：cache又分为一级cache和二级cache，一级cache是位于CPU内部的存储器，它负责存储并向CPU传递需要的数据和指令，二级cache位于CPU和主存储器(DRAM)之间，二级的作用就是存储那些CPU处理时需要用到、一级缓存又无法存储的数据。CPU读取数据时，先从一级cache中寻找，找不到再从二级cache中寻找，有时还需要从三级cache中寻找.它们的共同点是读取速度都比CPU慢比内存快，内存容量小，价格高. 缓存的出现主要是为了解决CPU运算速度与内存 读写速度不匹配的矛盾，因为CPU运算速度要比内存读写速度快很多

一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别： https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别，转自： http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。 　 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是Read Only Memory的缩写， RAM 是Random Access Memory的缩写。 　 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　RAM 　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM )， SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 　　DDR RAM

CPLD 是可以等价于 GAL 的阵列，编程的数学模型是基于多项式的乘用与门电路实现，而多项式的加用或门电路实现。那么我们 FPGA 的编程机理是什么呢？它为什么能够实现我们任意的函数表达式呢？我们在上一讲已经知道了 FPGA就实现技术是可以分成三种不同 FPGA 的结构特点、实现的机理，这三种 FPGA 分别是基于 SRAM 技术、基于反熔丝技术、基于 E2PROM/FLASH技术。 就电路结构来讲， FPGA 可编程是指三个方面的可编程，一个是可编程逻辑块，一个是可编程 IO，还有一个就是可编程布线资源。可编程逻辑块是 FPGA 可编程的核心，这一节里我们着重就这个方面可编程进行讨论。 1 基于 SRAM 技术原理 1.1 SRAM 与 DRAM 在前面我们提到过，最早出现的 FPGA 是基于 SRAM 技术的，它也是目前发展到现在发展的最快的，所谓走的早，走的路就越长。那么我们讲什么是 SRAM 技术呢？关于这个概念，可能有些初学者是很模糊的。 半导体 RAM 是有动态 RAM 和静态 RAM 之说，就是 DRAM 与 SRAM。 DRAM我们可能接触的更多一点，因为我们如果有自己组装机器或者选购电脑的时候，都会考虑一个内存大小的问题，目前市场上这个内存大部分都是动态的，从开始的 DDR 到 DDR2，再到现在的 DDR3。 DRAM 与 SRAM 的区别在于 DRAM

【转载】 http://www.hudong.com/wiki/BIST Built-inSelfTest简称BIST是在设计时在电路中植入相关功能电路用于提供自我测试功能的技术，以此降低器件测试对自动测试设备（ATE）的依赖程度。BIST是一种DFT（DesignforTestability）技术，它可以应用于几乎所有电路，因此在半导体工业被广泛应用。举例来说，在DRAM中普遍使用的BIST技术包括在电路中植入测试图形发生电路，时序电路，模式选择电路和调试测试电路。BIST技术的快速发展很大的原因是由于居高不下的ATE成本和电路的高复杂度。现在，高度集成的电路被广泛应用，测试这些电路需要高速的混合信号测试设备。BIST技术可以通过实现自我测试从而减少对ATE的需求。 ———————————————— BIST测试SRAM时要必须保证对所有端口可控 一个正常的SRAM一般包含如下几类端口： Clock(Read/Write Clock) Chip Select(Chip Enable) Data (Input Data / Output Data) Write Enable / Read Enable Test Port Bypass Enable ———————————————— 不同的工艺厂商给出的SRAM不一定都含有上述的端口。有些SRAM可能不包含Test Port 和

关于SRAM、DRAM、SDRAM等这样的词条，比较容易混淆，通过查找资料做个总结。 首先看下面这张图： RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 一、根据工作原理的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic Random Access Memory)和SRAM（Static Random Access Memory)。 DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据 存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。 SRAM 表示静态态随机存取存储器。 因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固 定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。 SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率

ROM 和 RAM 区别： ROM ： Read Only Memory RAM ： Random Access Memory ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据， RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类： 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态。 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽

https://mp.weixin.qq.com/s/-z9n6SHyAiK2OE7mOSvC2Q 2. TLRAM 3) diplomacy node 4) lazy module a. d_raw_data b. d_decoded a. in.d.bits.data fire() => d_ram_valid = 1 => in.d.bits.data : = d_decoded_raw b. in.d.bits.corrupt L. d_pause N. a_sublane R. a.fire() when (in.a.fire()) { d_ram_valid : = a_ren } otherwise { d_ram_valid : = Bool(false) } A. a.fire() C. read D. decode E. d_pause A. wen B. write 4. sublane 来源：博客园 作者： wjcdx 链接：https://www.cnblogs.com/wjcdx/p/11465170.html