NVM区数据备份机制
上一篇主要说明NVM区操作注意事项,本文针对上篇提到的NVM区数据备份方法进行补充讲解。 NVM区主要特性是写入数据掉电不丢失,可以永久的保存数据,一般用作存放不经常修改的数据,此功能类似FLASH。向NVM区写入数据可分为3步:第一步,将目标扇区内原有数据读出到RAM中;第二步,擦除NVM目标扇区内数据;第三步,将新数据和RAM中的旧数据写入到该扇区中。基于以上写操作的特点可以看出,若执行写NVM区操作的第二步或第三步时芯片断电了,就会造成NVM区内原有数据丢失,而新数据写入失败,表现出NVM区内数据错乱的现象。虽然这只是小概率事件,但出于稳定性和产品健壮性考虑也要加入数据备份机制。 数据备份有两套基本方案,分别适用于小数据量和大数据量的应用场景。本期介绍小数据量备份方案,即要求每次更新数据量小于一个扇区大小减1,本例扇区大小256字节,因此更新数据量最大255字节。(注意:不同型号芯片NVM扇区大小会有差异,可以联系凌科技术确认)。实现思路是:从NVM区选取两块区域,每个区域的最后一字节记录该区域的操作次数。以该标志决定更新数据应选用哪个区域。依次循环操作两个区域,操作区域1的时候,区域2就充当了备份作用,反之同理。 第一次写入数据 第一步:将NVM区地址0x0000~0x00FF定义为Block1,将0x0200~0x02FF定义为Block2。 #define Block1