tiny4412之内存控制器工作时序(DDR3 SDRAM)(二)
Table of Contents 一、SDRAM 简易工作流程 二、tRCD 行列延迟RAS to CAS Delay 三、 CL(RL,Read Latency)读取潜伏期 四、tWR 写延迟 五、突发长度--(Burst Lengths) 六、预充电时间tRP 七、刷新时间 八、例说 一、SDRAM 简易工作流程 二、 tRCD 行列延迟 RAS to CAS Delay 行地址确定之后,就要对列地址进行寻址了。读写的信号和列地址是同时发过来的,读写的操作取决于WE#引脚,当他使能则为写,否则为读。 在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔,这个间隔被定义为 tRCD,即 RAS to CAS Delay (RAS 至 CAS 延迟),大家也可以理解为行选通周期,简单说就是, 发完行地址再延迟tRCD时间发送列地址 ,这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间(从一种状态到另一种状态变化的过程)所制定的延迟。 广义的 tRCD 以时钟周期(tCK,Clock Time)数为单位,比如 tRCD=2,就代表延迟周期为两个时钟周期,具体到确切的时间,则要根据时钟频率而定,对于PC100 SDRAM,tRCD=2,代表1000/100 * 2 = 20ns 的延迟,下图是tRCD=3的时序图。 三、 CL(RL,Read Latency) 读取潜伏期 在选定列地址后