flash芯片

创龙OMAPL138的SPI FLASH读写

半城伤御伤魂 提交于 2019-12-21 00:54:29
1. 目前最大的疑问是OMAPL138和DSP6748的DSP部分是完全一样的吗(虽然知道芯片完全是引脚兼容的)?因此现在使用OMAPL138的DSP内核去读写一下外部的SPI FLASH芯片,先看下原理图,可惜创龙核心板的原理图不开源,所以我肯定不买他们家的板子 2. 尤其是startware这个软件库,究竟是用在ARM还是DSP的怎么区分?看资料ARM似乎可以唤醒DSP核? 3. 心血来潮,测试一下,同一个工程是不是可以同时用在ARM和DSP内核上,只是用不用的GEL文件。经过测试发现,如果建立的工程,选的器件是DSP6748,那么生成的.out文件可以用于DSP核,如果选择的是ARM-OMAPL138那么生成的.out用于ARM核,原来是建立工程的时候选择是ARM核还是DSP核 4. 言归正传,本来是搞SPI FLASH的,话题跑远了 void SPIInterruptInit(void) { // 注册中断服务函数 IntRegister(C674X_MASK_INT4, SPIIsr); // 映射中断事件 IntEventMap(C674X_MASK_INT4, SYS_INT_SPI1_INT); // 使能可屏蔽中断 IntEnable(C674X_MASK_INT4); } /********************************************

flash存储器原理及作用是什么?

谁说胖子不能爱 提交于 2019-12-19 23:32:24
flash存储器的工作原理   flash存储器又称闪存(快闪存储器),是一种电可擦可编程只读存储器的形式,是可以在操作中被多次擦或写,EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言flash存储器属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很低。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。由于flash存储器的独有优点,如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS,会使得BIOS 升级非常方便。flash存储器可用作固态大容量存储器。   目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械上的磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。因此一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高,价格不断降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的flash存储器都符合PCMCIA标准,可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡,一种称为Flash存储器卡,此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体,在使用时还需要专门的软件进行管理

让嵌入式工程师毛骨悚然的掉电丢数据事故可以这样解决!

落花浮王杯 提交于 2019-12-16 11:34:44
Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器,为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。 图1 Nand-Flash与eMMC芯片 存储器件使用寿命 使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象,是一个让无数工程师毛骨悚然的事故。眼看着程序用着用着就消失了,只能干着急也无法下手。有经验的工程师手起刀落换上一颗新物料,熬夜补代码继续撑过半个项目周期。回头无处发泄还要大刀阔斧换厂商、换品牌。虽说换几片Nand-Flash还能负担得起,但毕竟这是一个无底洞,不如去深入探明问题原因,不然散尽家财也无法弥补亏空。 器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起再回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作,就有可能将Nand

SSD固态硬盘的结构和基本工作原理概述

∥☆過路亽.° 提交于 2019-12-16 07:08:55
展开 我们都知道,早期的电脑CPU是可以直接从硬盘上面读取数据进行处理的,随着科技的进步,时代的发展,计算机硬件的发展速度也是极其迅猛。CPU主频的不断提升,从单核到双核,再到多核;CPU的处理速度越来越快,而硬盘的的读写速度已经远远跟不上CPU的读写速度,后来增加了内存这个读写速度相对较快的缓存,而内存也是蓬勃到发展,从SDRAM到DDR,从DDR到DDR2再到DDR3,但是无论怎样,内存缓存速度还是跟不上CPU的运算处理速度,后来便在CPU中增加了快速缓存机制!而硬盘这个持久化存储器呢?之前的文章,聊到了机械硬盘的结构和工作原理,今天就来聊一聊SSD固态硬盘的结构和基本工作原理,如理解有所变差,或文章有所不足,皆因水平所限! 硬盘的发展在不断的科技进步中快速提升,从容量以及速度再到接口方面。从早期的PATA变成SATA,SCSI变到SAS,以及垂直记录技术在容量上的突破,但这些进步亦未能改变磁盘的记录方式。随着人们对数据需求增多,存储系统的瓶颈越来越明显。而在嵌入式领域移动设备和工业自动化控制等恶劣环境下,传统硬盘机械结构已经无法满足要求,而所有这一切随着固态存储(SSD)的到来而发生了改变。 传统的机械硬盘(HDD)运行主要是靠机械驱动头,包括马达、盘片、磁头摇臂等必需的机械部件,它必须在快速旋转的磁盘上移动至访问位置,至少95%的时间都消耗在机械部件的动作上

Flash原理介绍

回眸只為那壹抹淺笑 提交于 2019-12-14 05:43:46
Flash原理介绍 转载地址: http://www.cnblogs.com/sankye/articles/1638852.html 硬件特性: 【Flash 的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDR SDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。 Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。 在Flash之前,紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM,就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。 图 1 . 典型的 Flash 内存单元的物理结构 数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少,取决于图中的外部门(external gate)所被施加的电压

FlASH && EEPROM

醉酒当歌 提交于 2019-12-12 10:45:41
原文:https://blog.csdn.net/qq_38405680/article/details/83048201 FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作 ,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。 在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。 EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义,属EEPROM无疑,首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM,现在的多数Flash手册上也是这么标明的, 二者的关系是“白马”和“马” 。至于为什么业界要区分二者

痞子衡嵌入式:恩智浦i.MX RTxxx系列MCU启动那些事(3)- Serial ISP模式(blhost)

て烟熏妆下的殇ゞ 提交于 2019-12-06 15:21:14
  大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是 恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的Serial ISP模式 。   在上一篇文章 Boot配置(ISP Pin, OTP) 里痞子衡为大家介绍了i.MXRTxxx Boot的行为配置,其中第1.2节里讲了Boot有三类行为模式:Serial ISP、Serial Boot、Device Boot,后两种都是跟App启动执行相关的行为模式,而Serial ISP模式则是相对独立的Flash下载功能,有了Serial ISP,便可省去专用Flash编程器,今天痞子衡就来详细聊一聊Serial ISP模式。   痞子衡在前面已经讲过Serial ISP模式是一种串行编程模式,在这种模式下,BootROM通过指定的UART/SPI/I2C/USB-HID口来接收来自Host(恩智浦提供了上位机工具blhost.exe或者MCUBootUtility)的Application数据,并将数据下载进i.MXRTxxx支持的所有外部非易失性存储器中,为后续从外部存储器启动做准备。 一、进入Serial ISP模式   i.MXRTxxx上电永远是从ROM启动去执行BootROM程序,最顶层的Boot行为模式由OTP memory里的PRIMARY_BOOT_SRC[3:0]位和芯片外部ISP[2:0]管脚状态共同决定

嵌入式软件环境构建:uboot、kernel、rootfs、app布局(转载)

瘦欲@ 提交于 2019-12-06 06:26:06
嵌入式开发涉及硬件和软件两部分,个人目前主要是做嵌入式软件部分,使用uboot+linux的整体方案。这里所说的“嵌入式软件环境”,不是指宿主机上的嵌入式开发环境,而是指目标机中的运行软件环境,只是简要介绍一种布局及相应的实现步骤。 一、软件环境的布局 开发板的datasheet中都有详细的地址空间的划分,其中比较重要的两块是:DDR地址空间和Flash地址空间。DDR空间是系统和应用的运行空间,一般由linux系统自身进行使用和管理;Flash空间是系统和应用载体的存放空间,一般需要在使用前进行划分,由应用开发者进行管理。在这里以我现在正在做的项目进行简单的示例和说明。 其中,Flash的整体地址空间为:0x34000000~0x34FFFFFF,共16MB,使用的是Nor Flash芯片。布局需要做的工作是: 确定uboot二进制文件的大小,使用的地址范围 确定linux kernel镜像文件的大小,使用的地址范围 确定rootfs 根文件系统的镜像文件大小,使用的地址范围 估计整体应用方案所需的空间大小,选择可使用的地址范围 完成上述工作后,项目的布局如下: uboot:0x34000000~0x34080000, 512KB kernel : 0x34080000~0x34180000, 1MB, 文件大小为952.8KB rootfs : 0x34180000

嵌入式学习之Linux文件系统、

旧巷老猫 提交于 2019-12-05 05:13:31
Linux 支持多种文件系统,包括 ext2、 ext3、 vfat、 ntfs、 iso9660、 jffs、 romfs和nfs 等,为了对各类文件系统进行统一管理,Linux 引入了虚拟文件系统VFS(Virtual File System) ,为各类文件系统提供一个统一的操作界面和应用编程接口。本文将和大家详细介绍 Linux文件系统 相关知识,一起来看看吧。 Linux 下的文件系统结构如下: Linux 启动时,第一个必须挂载的是根文件系统;若系统不能从指定设备上挂载根文件系统,则系统会出错而退出启动。之后可以自动或手动挂载其他的文件系统。因此,一个系统中可以同时存在不同的文件系统。   不同的文件系统类型有不同的特点,因而根据 存储  设备的硬件特性、系统需求等有不同的应用场合。在嵌入式 Linux应用中,主要的 存储  设备为 RAM(DRAM, SDRAM)和ROM( 常采用FLASH 存储器) ,常用的基于存储设备的文件系统类型包括:jffs2, yaffs, cramfs, romfs, ramdisk, ramfs/tmpfs等。 1. 基于 FLASH的文件系统 Flash  ( 闪存 )作为嵌入式系统的主要存储媒介,有其自身的特性。 Flash  的写入操作只能把对应位置的 1修改为 0 ,而不能把 0 修改为 1( 擦除 Flash 

痞子衡嵌入式:串行EEPROM接口事实标准及SPI EEPROM简介

邮差的信 提交于 2019-12-04 16:32:15
  大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是 EEPROM接口标准及SPI EEPROM 。   痞子衡之前写过一篇文章 《SLC Parallel NOR简介》 ,介绍过并行NOR Flash基本概念。众所周知,现如今嵌入式非易失性存储器基本被NOR Flash一统江湖了,但在Flash技术发明之前,EEPROM才是非易失性存储器的霸主。EEPROM的全称是"电可擦除可编程只读存储器",即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM技术的发明可是拯救过一大批嵌入式工程师的,毕竟在这之前非易失性存储器技术的演进分别是ROM(只读), PROM(只能写一次), EPROM(紫外线可擦除),擦除方式都不太友好,直到EEPROM的出现才变得人性化。虽说现在Flash是主流,但在较低容量(2Mb以下)尤其是超低容量(1Kb以下)的市场,EEPROM仍然有其不可替代的应用场合。今天痞子衡就来好好聊一聊EEPROM: 一、EEPROM背景简介   聊到EEPROM发展史,不得不提浮栅MOSFET,这是一项发明于1967年的技术,它是所有闪存的基础。1970年,第一款成功的浮栅型器件-EPROM被发明。1979年,大名鼎鼎的SanDisk(闪迪)创始人Eli Harari