flash芯片

作者：Younger Liu， 本作品采用 知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议 进行许可。 EMMC与RAND的区别 说到两者的区别，必须从flash的发展历程说起，因为两者都属于flash的范畴。 1. Flash发展历程 1.1 NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。 1988年，Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。 1989，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND flash的晶片容量相对于NOR flash大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR。目前已广泛应用在各种存储设备上, 可存储代码和资料。 1.2 NAND Flash发展 NAND Flash的存储单元发展:从SLC, MLC到TLC。 SLC：Single-Level Cell, 即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。 MLC：Multi-Level Cell, 即2bit

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好 另外，一些变量

　　 eMMC应用简介 eMMC的前世今生 一．eMMC的概述 eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。 二．eMMC的优点 eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。 而每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，逐渐风行起来。 eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片

快闪存储器（英语： Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 NorFlash NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的 NAND Flash。 NandFlash NAND Flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的， 要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。。NAND Flash具有较快的抹写时间,

STM32L0 内部FLASH和EEPROM写读 说明 STM32L0内部的FLASH和EEPROM访问方式一致，写操作由解锁，擦除，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。 基础写读函数 定义内部EEPROM的地址空间： //STM32L031K6T6 #define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000 #define EEPROM_BYTE_SIZE 0x03FF 基础字节写函数 //Byte write void FLASHEx_EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint8_t len) { uint8_t i; HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); for(i=0;i<len;i++) { status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE,

1.Nor-Flash 接口如RAM一样 引脚很多 地址线和数据线是分开的 2. 容量小 1~32M 3. 读写很简单 不过写命令需要向里面写入特定的命令 比NandFlash慢 4. 价格贵 不过不会产生坏块。 当CPU选择NOR-flash 作为启动的芯片的时候 则nor的0地址就是cpu的0地址 且nor 连接在了CS0上面 所以说nor flash的地址就是0 而且此时nor-flash不需要初始化（其实还有一个原因就是nor-flash的速度很快） LADDR1 连接在 A0上面 所以说数据每次需要左移一位来保持数据正确。 上图的这个表描述了各种命令如何访问nor-flash 比如 读ID 1. 在555H写AAH 2. 在2AAH写0x55H 3. 在555H写90 4. 读0地址得到厂家ID(C2H) 5.读1地址得到设备ID(22DAH或225BH) 6. 往任意地址写0x0F退出读ID模式 进入CFI模式（统一norflash 信息） 1. 在0x55 写入0x98 2. 读10 11 12地址的值得出ID 写操作： 往地址555H写AAH(解锁) 往地址2AAH写55H 往地址555H写A0H 往Addr写Data 等待第六比特数据不变 完成写操作 #include "my_printf.h" #include "string_utils.h" #define

此类问题其实CSDN有很多方法，由于工作需要，要用到STM32F103C8T6的芯片，在舒适进入的产品调试过程中，由于CAN协议设置的6S未收到总线邮件就会进入休眠模式，在下一次烧录时会出现FLASH TIMEOUT问题，在经过好多个工作时长的测试，将芯片复位即可烧录程序，具体的复位方式是用RTS引脚接GND，在6S内烧录程序即可。因为长时间总线没有数据，则芯片进入休眠状态，需要重新复位激活芯片。 -------2019.12.31 记于广州番禺 来源： CSDN 作者： 忄曼忄曼 链接： https://blog.csdn.net/build_oooxf/article/details/103783441

一、uboot启动分为了三个阶段BL0、BL1、BL2； BL0 表示上电后运行ROM中固化的一段程序，其中ROM中的程序是厂家写进去的，所以具体功能可能根据厂家芯片而有所不同。功能如下： 初始化系统时钟、特殊设备的控制器、启动设备、看门狗、堆栈、SRAM等硬件； 验证B1镜像，并且加载BL1镜像到SRAM中，然后跳转到BL1镜像的地址上。 BL0需要将BL1加载到对应的RAM上，这就涉及到它的启动模式，详细如下： 1.OneNand Boot模式 要了解OneNAND先得了解NOR Flash和NAND Flash。与NOR Flash相比，NAND Flash的读数据速度稍慢，但是擦写速度快得多，并且在容量、使用寿命、成本上也占有较大优势。NOR Flash的编程简单，而NAND Flash的编程较为复杂（因为它的flash管理需要特殊的接口）。NAND Flash一般用于存储数据，而NOR Flash一般用于存储启动代码。 NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容的每一字节（有限的地址引脚是限制其容量的因素之一）。NAND Flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。为了弥补NAND Flash的不足，三星公司在NAND Flash芯片内集成了一个RAM接口，命名为OneNAND Flash

转自http://jinren1010.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/15556 　　 （1）闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NOR芯片操作以“ 字 ”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 （2）NOR闪存是随机存储介质，用于 数据量较小 的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合 存放大的数据 。 （3）由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 （4）NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因

一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别： https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别，转自： http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。 　 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是Read Only Memory的缩写， RAM 是Random Access Memory的缩写。 　 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　RAM 　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM )， SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 　　DDR RAM