eeprom

EEPROM读写遇到的问题 无法存入更改的数据 来源： CSDN 作者： qq_40384132 链接： https://blog.csdn.net/qq_40384132/article/details/103820719

STM32L0 内部FLASH和EEPROM写读 说明 STM32L0内部的FLASH和EEPROM访问方式一致，写操作由解锁，擦除，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。 基础写读函数 定义内部EEPROM的地址空间： //STM32L031K6T6 #define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000 #define EEPROM_BYTE_SIZE 0x03FF 基础字节写函数 //Byte write void FLASHEx_EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint8_t len) { uint8_t i; HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); for(i=0;i<len;i++) { status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE,

【推荐】2019 Java 开发者跳槽指南.pdf(吐血整理) >>> 说明1：本文分析基于内核源码版本为linux-2.6.31 说明2：本文在理解了linux中总线、设备和驱动模型的基础上加以分析代码 天猫爆款 联想 ibm ThinkPad E320 129862C 代替55C 笔记本 包邮 虽然Linux驱动程序应该是和具体的硬件平台分离的，但是为了更好的理解DM9000的驱动程序，这里还是结合一下Mini2440开发板，这样也可以更好的体会如何实现驱动和平台分离。 本文分成以下几个部分： 一、Mini2440开发板上DM9000的电气连接和Mach-mini2440.c文件的关系。 二、两个重要的结构体介绍：sk_buff和net_device 三、具体代码分析 一、Mini2440开发板上DM9000的电气连接和Mach-mini2440.c文件的关系 Mini2440开发板上DM9000与S3C2440的连接关系如下： 其中片选信号AEN使用了nGCS4，所以网卡的内存区域在BANK4，也就是从地址0x20000000开始。DM9000的TXD[2:0]作 为strap pin在电路图中是空接的，所以IO base是300H。中断使用了EINT7。这些内容在Mach文件中有如下体现： [c-sharp] view plain copy #define S3C2410

Verilog IIC通信实验笔记 Write by Gianttank 我实验的是 AT24C08的单字节读，单字节写，页读和页写，在高于3.3V系统中他的通信速率最高400KHZ的，我实验里用的是100KHZ的速率。图1是硬件原理图 图1 图2 图2是器件地址，我的原理图是A2接高。 IIC通信协议中要注意的地方： 1. 当时钟线SCL 高电平时，如果把数据线SDA 从高电平拉到低电平，则表示通信开始（START）；如果把数据线SDA 从低电平拉到高电平，则表示通信结束（STOP）。SDA数据不变，视为数据采样。 2. 前一个STOP 结束后。与下一个START开始要保证5ms的间隔。 3. 页写有字节限制，而页读没有，可以一次读出所有的数据。 4. SDA信号在FPGA为接受方时要设置为高阻态。 5. 应答信号永远是接收方发送的，这个很重要，我就是卡在这里几天没找到原因。FPGA在读数据的时候，第9个周期是FPGA发低电平给EEPROM的。 图3为RTL视图 图3 引脚定义 信号名称 方向 描述 clk input 50M的主时钟 rst_n input 复位信号 sw1 input 按键1 低电平有效 按下执行字节写 sw2 input 按键2 低电平有效 按下执行字节读 sw3 input 按键3 低电平有效 按下执行 页写 sw4 input 按键4 低电平有效

原文：https://blog.csdn.net/qq_38405680/article/details/83048201 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作 ，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的 MCU 设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。 在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义，属EEPROM无疑，首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的多数Flash手册上也是这么标明的， 二者的关系是“白马”和“马” 。至于为什么业界要区分二者