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DRAM和SRAM 来源： CSDN 作者： Major_s 链接： https://blog.csdn.net/qq_41375318/article/details/103752050

1.序言 基于非易失性内存（NVDIMM）的新一代内存条规格已经研制成功，其中集成了DRAM和非易失性存储芯片，能够在完全断电的时候完整保存内存数据，并支持主内存在持久高速高性能计算上的应用。区别于普通内存，以云动为代表的业界厂商将此代革命性的内存产品称为超级内存。 2.超级内存发展背景 图1.存储器性能差异 [1] 由图1可以看出，主存储器和HDD硬盘存储器之间存在很大的性能差异，SSDs存储技术虽然缩小了差异，但是差异依然存在，而数据密集型的应用需要快速的访问存储设备。 来自Viking的Adrian Proctor表示，SSD的速度比HDD硬盘快，但却比DDR记忆体慢很多，此外DDR记忆体没有Flash记忆体的写入次数限制，耐久性是Flash记忆体的缺点所在。虽然业界已经大量投资研发新一代记忆体技术，但需要至少十年以上的时间，新记忆体技术才能获得广泛采用并建立起相应的产业生态系统。因此只有通过NVDIMM超级内存技术，整合DRAM、Flash等主流记忆体，才能解决对持久性、符合成本效益的非易失性内存解决方案不断增长的需求。 3. 典型应用之WSP 全系统保护（whole system preservation），简称WSP。常规DDR3内存在异常掉电或者系统崩溃时会丢失数据，而某些资料库环境是无法承受停机时间（downtime）的，如线上交易(online

一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别： https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别，转自： http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。 　 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是Read Only Memory的缩写， RAM 是Random Access Memory的缩写。 　 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　RAM 　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM )， SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 　　DDR RAM

关于SRAM、DRAM、SDRAM等这样的词条，比较容易混淆，通过查找资料做个总结。 首先看下面这张图： RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 一、根据工作原理的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic Random Access Memory)和SRAM（Static Random Access Memory)。 DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据 存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。 SRAM 表示静态态随机存取存储器。 因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固 定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。 SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率

首颗国产DRAM芯片的技术与专利，合肥长鑫存储的全面深度剖析 https://mp.weixin.qq.com/s/g_gnr804q8ix4b9d81CZ1Q 2019.11 　　 存储芯片已经成为全球珍贵的战略资源 ，国内从过去完全缺席的困境，经历三年焚膏继晷的研发，已陆续在 3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断。 　　论垄断势力，DRAM 产业尤为严重。 相较于 3D NAND 在国际间仍有六大供应商可以选择，DRAM 产业却被三星、SK 海力士、美光三大供应商试图守得滴水不漏。 　　 这三家巨头都是左手 DRAM、右手 3D NAND ，三星还有手机、白色家电等一线品牌，SK 海力士更是隶属于韩国 SK 通信集团，两家背景都是家大业大的豪门贵胄。 图：DeepTech 　　一、中国自主研发 DRAM 芯片宣告量产 　　无论三大阵营如何滴水不漏的防备，努力与毅力仍是有水滴石穿的一天。 　　 2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储宣布自主研发的 8Gb DDR4 芯片正式量产，采用 19 纳米工艺打造 ，继长江存储打破全球 3D NAND 垄断后，DRAM 市场也被长鑫存储以水滴石穿的毅力，硬生生劈出一条缝来。 　　长鑫存储的主要股东为合肥市政府与北京兆易创新，以 4 比 1 投资份额所组成。 　　长鑫存储对问芯 Voice 表示， 合肥 12 寸晶圆厂分为三期

ROM 和 RAM 区别： ROM ： Read Only Memory RAM ： Random Access Memory ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据， RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类： 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态。 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽

1、什么是存储器？存储器的分类有哪些？ 　　存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。 　　按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）, 也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。 　　按读写功能存储器可分为只读存储器(ROM)和随机读写存储器(RAM)两种。ROM存储的内容是固定不变的，它是只能读出而不能写入的半导体存储器; RAM是既能读出又能写入的半导体存储器。当机器电源关闭时，ROM仍然可以保持数据，而存于RAM中的数据则会丢失。 　　在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。 　　我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上

RAM可分为静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，只有0，1两个稳态；DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。 SRAM：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。 DRAM：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。 静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表： 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小 存储成本 高 低 动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作 来源： https://blog.csdn.net/qq_31433709/article/details/100830083

首先先了解下计算机的存储结构： 虚拟内存是借助二级存储空间来扩大一级存储空间的机制。 DRAM是VM系统（虚拟存储器系统）在主存中的缓存，他在主存中用在缓存虚拟页。 SRAM是CPU和主存之间的高速缓冲，CPU从主存中取指。 CPU先在SRAM中查找，如果不命中，则在DRAM中查找，如果再次查找失败，则通过页面置换，从磁盘中读取数据。由于IO操作开销很大，所以DRAM命中失败的开销更大。当CPU需要从磁盘中查找DRAM未命中的数据时，需要借助MMU(内存管理单元）来获取数据在磁盘中的位置，MMU完成物理地址到虚拟地址的转换，数据在磁盘中的地址就是虚拟地址。 数据一般按页存储，一个页面一般是4～8KB。 虚拟地址(VA)，假设其范围是[0,1,2......N-1]，N=2^n，N的单位为字节，那么这个虚拟地址就叫做一个n位地址空间。32/64位操作系统具有的虚拟内存空间大小分别是2^32和2^64。 虚拟存储器(VM）就是一个存储在磁盘上的N个连续字节大小的单元。每个字节都是一个唯一的虚拟内存地址。操作系统将VM分割成虚拟页大小的块。 物理存储器被分割成物理页(PP)，大小也为字节。 虚拟页(VP)有三种状态： 1）未分配虚拟页：在页表中不存在对该虚拟页的记录； 2）已缓存虚拟页：在页表中有记录，且在物理存储器中已经分配了页面； 3）未缓存虚拟页：在页表中有记录

“你中有我，我中有你。”计算与存储之间，一直以来就有着密不可分的关系。 在数字化变革的新时代，存储性能与计算性能的优化，对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。 SCM，即Storage Class Memory存储级内存，不仅享有DRAM的性能表现，同时拥有NAND Flash的容量优点，这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质，具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。 显然，SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥，适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天，SCM创新介质的出现，带来了计算存储前所未有的新改变，越来越备受业界的关注。 不过，在SCM领域，英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极，最近一次的新闻却将东芝存储器的 XL-Flash 推向了市场的前台。 在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上， 北京忆恒创源科技有限公司（Memblaze） 在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品 Memblaze PBlaze X26 。 东芝存储器公开信息显示，XL-Flash的延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟，拥有足足10倍的更佳表现