dram

超级内存NVDIMM

时光毁灭记忆、已成空白 提交于 2019-12-26 18:49:17
1.序言 基于非易失性内存(NVDIMM)的新一代内存条规格已经研制成功,其中集成了DRAM和非易失性存储芯片,能够在完全断电的时候完整保存内存数据,并支持主内存在持久高速高性能计算上的应用。区别于普通内存,以云动为代表的业界厂商将此代革命性的内存产品称为超级内存。 2.超级内存发展背景 图1.存储器性能差异 [1] 由图1可以看出,主存储器和HDD硬盘存储器之间存在很大的性能差异,SSDs存储技术虽然缩小了差异,但是差异依然存在,而数据密集型的应用需要快速的访问存储设备。 来自Viking的Adrian Proctor表示,SSD的速度比HDD硬盘快,但却比DDR记忆体慢很多,此外DDR记忆体没有Flash记忆体的写入次数限制,耐久性是Flash记忆体的缺点所在。虽然业界已经大量投资研发新一代记忆体技术,但需要至少十年以上的时间,新记忆体技术才能获得广泛采用并建立起相应的产业生态系统。因此只有通过NVDIMM超级内存技术,整合DRAM、Flash等主流记忆体,才能解决对持久性、符合成本效益的非易失性内存解决方案不断增长的需求。 3. 典型应用之WSP 全系统保护(whole system preservation),简称WSP。常规DDR3内存在异常掉电或者系统崩溃时会丢失数据,而某些资料库环境是无法承受停机时间(downtime)的,如线上交易(online

SRAM和DRAM的区别

核能气质少年 提交于 2019-12-23 10:55:04
一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别: https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别,转自: http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。   ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器, ROM 是Read Only Memory的缩写, RAM 是Random Access Memory的缩写。   ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。  RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM ), SRAM 速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比 SRAM 慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。   DDR RAM

存储器总结

为君一笑 提交于 2019-12-14 03:30:10
关于SRAM、DRAM、SDRAM等这样的词条,比较容易混淆,通过查找资料做个总结。 首先看下面这张图: RAM(random access memory)随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 一、根据工作原理的不同,随机存储器又分为DRAM(Dynamic Random Access Memory)和SRAM(Static Random Access Memory)。 DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据 存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失,因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中,DRAM器件必须有规律地进行刷新。 SRAM 表示静态态随机存取存储器。 因此只要供电它就会保持一个值。一般而言,SRAM 比DRAM要快,这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言,DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理,可以断定在给定的固 定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。 SRAM常常用于高速缓冲存储器,因为它有更高的速率

[转帖]首颗国产DRAM芯片的技术与专利,合肥长鑫存储的全面深度剖析

烂漫一生 提交于 2019-12-05 01:43:35
首颗国产DRAM芯片的技术与专利,合肥长鑫存储的全面深度剖析 https://mp.weixin.qq.com/s/g_gnr804q8ix4b9d81CZ1Q 2019.11    存储芯片已经成为全球珍贵的战略资源 ,国内从过去完全缺席的困境,经历三年焚膏继晷的研发,已陆续在 3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断。   论垄断势力,DRAM 产业尤为严重。 相较于 3D NAND 在国际间仍有六大供应商可以选择,DRAM 产业却被三星、SK 海力士、美光三大供应商试图守得滴水不漏。    这三家巨头都是左手 DRAM、右手 3D NAND ,三星还有手机、白色家电等一线品牌,SK 海力士更是隶属于韩国 SK 通信集团,两家背景都是家大业大的豪门贵胄。 图:DeepTech   一、中国自主研发 DRAM 芯片宣告量产   无论三大阵营如何滴水不漏的防备,努力与毅力仍是有水滴石穿的一天。    2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储宣布自主研发的 8Gb DDR4 芯片正式量产,采用 19 纳米工艺打造 ,继长江存储打破全球 3D NAND 垄断后,DRAM 市场也被长鑫存储以水滴石穿的毅力,硬生生劈出一条缝来。   长鑫存储的主要股东为合肥市政府与北京兆易创新,以 4 比 1 投资份额所组成。   长鑫存储对问芯 Voice 表示, 合肥 12 寸晶圆厂分为三期

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

陌路散爱 提交于 2019-12-03 11:12:00
ROM 和 RAM 区别: ROM : Read Only Memory RAM : Random Access Memory ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据, RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类: 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态。 RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽

常见存储器:RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDR SDRAM、ROM,PROM,EPROM,EEPROM,FLASH

对着背影说爱祢 提交于 2019-11-30 19:53:11
1、什么是存储器?存储器的分类有哪些?   存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。   按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存), 也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,但仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。   按读写功能存储器可分为只读存储器(ROM)和随机读写存储器(RAM)两种。ROM存储的内容是固定不变的,它是只能读出而不能写入的半导体存储器; RAM是既能读出又能写入的半导体存储器。当机器电源关闭时,ROM仍然可以保持数据,而存于RAM中的数据则会丢失。   在制造ROM的时候,信息(数据或程序)就被存入并永久保存。这些信息只能读出,一般不能写入,即使机器掉电,这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据,如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式(DIP)的集成块。   我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上

SRAM和DRAM区别

送分小仙女□ 提交于 2019-11-29 14:24:19
RAM可分为静态存储器(Static Random Access Memory,SRAM)和动态存储器(Dynamic Random Access Memory)。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器,只有0,1两个稳态;DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态,因此需要定时对其进行刷新,否则随着时间的推移,电容其中存储的电荷将逐渐消失。 SRAM:读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。 DRAM:读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。 静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小 存储成本 高 低 动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作 来源: https://blog.csdn.net/qq_31433709/article/details/100830083

虚拟内存

扶醉桌前 提交于 2019-11-27 16:08:28
首先先了解下计算机的存储结构: 虚拟内存是借助二级存储空间来扩大一级存储空间的机制。 DRAM是VM系统(虚拟存储器系统)在主存中的缓存,他在主存中用在缓存虚拟页。 SRAM是CPU和主存之间的高速缓冲,CPU从主存中取指。 CPU先在SRAM中查找,如果不命中,则在DRAM中查找,如果再次查找失败,则通过页面置换,从磁盘中读取数据。由于IO操作开销很大,所以DRAM命中失败的开销更大。当CPU需要从磁盘中查找DRAM未命中的数据时,需要借助MMU(内存管理单元)来获取数据在磁盘中的位置,MMU完成物理地址到虚拟地址的转换,数据在磁盘中的地址就是虚拟地址。 数据一般按页存储,一个页面一般是4~8KB。 虚拟地址(VA),假设其范围是[0,1,2......N-1],N=2^n,N的单位为字节,那么这个虚拟地址就叫做一个n位地址空间。32/64位操作系统具有的虚拟内存空间大小分别是2^32和2^64。 虚拟存储器(VM)就是一个存储在磁盘上的N个连续字节大小的单元。每个字节都是一个唯一的虚拟内存地址。操作系统将VM分割成虚拟页大小的块。 物理存储器被分割成物理页(PP),大小也为字节。 虚拟页(VP)有三种状态: 1)未分配虚拟页:在页表中不存在对该虚拟页的记录; 2)已缓存虚拟页:在页表中有记录,且在物理存储器中已经分配了页面; 3)未缓存虚拟页:在页表中有记录

SCM又添一个纯国产SSD玩家

爷,独闯天下 提交于 2019-11-27 03:29:49
“你中有我,我中有你。”计算与存储之间,一直以来就有着密不可分的关系。 在数字化变革的新时代,存储性能与计算性能的优化,对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。 SCM,即Storage Class Memory存储级内存,不仅享有DRAM的性能表现,同时拥有NAND Flash的容量优点,这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质,具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。 显然,SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥,适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天,SCM创新介质的出现,带来了计算存储前所未有的新改变,越来越备受业界的关注。 不过,在SCM领域,英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极,最近一次的新闻却将东芝存储器的 XL-Flash 推向了市场的前台。 在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上, 北京忆恒创源科技有限公司(Memblaze) 在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品 Memblaze PBlaze X26 。 东芝存储器公开信息显示,XL-Flash的延迟不会超过5微秒,相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟,拥有足足10倍的更佳表现