电流

■ 分为 结型 和 绝缘栅型 ，但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（ Metal Oxide Semiconductor FET ） , 简称电力 MOSFET （ Power MOSFET ）。 ■ 电力 MOSFET 是用 栅极 电压来控制 漏极 电流的，它的特点 有： ◆ 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆ 开关速度快，工作频率高。 ◆ 热稳定性优于 GTR 。 ◆ 电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。 ■ 电力 MOSFET 的结构和工作原理 ◆ 电力 MOSFET 的种类 ☞ 按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。 ☞ 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为 耗尽型 。 ☞ 对于 N （ P ）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为 增强型 。 ☞ 在电力 MOSFET 中，主要是 N 沟道增强型 。 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 ◆ 电力 MOSFET 的结构 ☞ 是 单极 型晶体管。 ☞ 结构上与小功率 MOS 管有较大区别，小功率 MOS 管是 横向 导电器件，而目前电力 MOSFET 大都采用了 垂直 导电结构，所以又称为 VMOSFET （ Vertical MOSFET ），这大大提高了 MOSFET 器件的 耐压 和 耐电流 能力。 ☞ 按垂直导电结构的差异，分为利用 V

■ 正向平均电流 I F(AV) ◆ 指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度（简称壳温，用 T C 表示）和散热条件下，其允许流过的最大 工频正弦半波电流 的平均值。 ◆ I F(AV) 是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按 有效值相等 的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 ■ 正向压降 U F ◆ 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的 稳态正向电流 时对应的正向压降。 ■ 反向重复峰值电压 U RRM ◆ 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 ◆ 使用时，应当留有 两倍 的裕量。 ■ 最高工作结温 T JM ◆ 结温是指管芯 PN 结的平均温度，用 T J 表示。 ◆ 最高工作结温是指在 PN 结不致损坏的前提下所能承受的 最高平均温度 。 ◆ T JM 通常在 125 ～ 175 ° C 范围之内。 ■ 反向恢复时间 t rr ■ 浪涌电流 I FSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个 工频周期的过电流 。 来源： CSDN 作者： Andres_Lionel 链接： https://blog.csdn.net/qq_41730082/article/details/104156975

就是世界上第一个晶体管设计模型，看起来它好像并不能够改变世界，但它的确做到了。这是一个放大了很多倍的复制品，它很大程度上完美代表原型原理。在1947年，贝尔实验的Walter H. Brattain第一个开发制作了这个装置。在一个塑料支架上，放置了一个铜块，上面又安装了一大块半导体锗（Germanium）。 在锗块上面又放置了一个塑料三角形。在三角形的两个斜边各粘贴了一层金箔。 上面有一个金属弹簧，向下将三角形压在半导体锗块上面，在其顶端与锗表面形成了一个点接触，这就形成了一个点接触三极管。 这就是Brattain和Bardeen在1947年12月份发明的点接触三极管装置。 他们在三极管的左边接入一个麦克风，在右边回路接入一个音箱。他们对着麦克风说话，可以观察到音箱中出现被放大了的声音。 Brattain在实验室的工作笔记中写道：这个电路将声音进行了放大，可以在示波器上被观察到，也可以被听到。 放大功能是晶体三极管的主要功能。比如我们的手机，它接收到来自附近手机信号发送接收基站的微弱信号，手机中的电路将信号放大解调后，形成可以收听的声音。 这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢？其中关键之处在于塑料三角形与锗块接触的这一小的区域。 在这个区域内集成了三种不同的导电物质。我们按照物质的导电性能将物质分成了三大类：导体、绝缘体和半导体。 第一类是导体，比如像金属

问题提出 ^超级电容（法拉电容）是否会爆炸？| 公众号留言^ 听说过胆小如鼠，但没见过这样胆小如鼠的人；学习过杞人忧天，但没听说这这样忧虑揣测的人。电容是会发怒，但平常见到的大部分是电解电容在过压或者极性接反的情况下的破裂过程。普通的低压电容短路不会产生惊心动魄的爆炸的。 None 为了回答上面的问题，在本文后面的“验证实验”中就给出了答案。不过借助今天这个话题顺便谈谈一个在信号与系统课程中最基础、最奇特的一个信号-冲激信号。 基本原理****None 物质可以分解成基本粒子、生物可以分解成基本细胞、房屋可以分解成砖石瓦块，那么普通的用于传递信息的信号是否也可以分解成基本的组成部分呢？ 分解信号的方法非常多，一种最常用的分解方法就是将信号分解成单位冲激信号以及它的延迟信号的组合。下面就介绍一下这个组成信号的基本元素-单位冲激信号，一个奇异信号。 一、单位冲激信号单位冲激信号在信号表述中具有重要意义的信号模型，有多种定义方式，其中按照信号演变方式给出的定义直观性较强，是多数工科教科书中常采用的方法。将一个面积（即信号的积分）始终保持为1的信号，使其宽度逐步缩小至0，最终变化极限就趋向于单位冲激信号，一般称为delta(t)。下图使用矩形信号演示形成delta(t)的过程。 ^使用信号极限描述单位冲激信号 | 信号与系统第一章-奇异信号^ 上述定义给出delta信号的直观形象

零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零，欧姆电阻实际是电阻值很小的电阻。 电路板设计中两点不能用印刷电路连接，常在正面用跨线连接，这在普通板中经常看到，为了让自动贴片机和自动插件机正常工作，用零电阻代替跨线。 用在单面PCB板上做跨线的O欧姆电阻 零欧姆电阻的作用总结可以包括以下作用： 用在单面PCB板上 做跨线的O欧姆电阻 单面PCB板 零欧姆电阻可以承受多少电流？　设计电路经常要用零欧姆电容，一般根据线路电流来选择电阻额定功率，那0欧姆一般选多少合适？ 一般的0欧姆电阻的实际阻值在50毫欧左右＋－5%的偏差。所以根据额定功率，你就可以计算出来，它的额定电流了。 鼠笼智能车 对于每种封装的O欧姆电阻具体可以通过多大的电流，还需要根据电阻在PCB板上的散热情况来决定。 下面分别测试了0603， 0805， 1206三种封装下，通过的电流和电阻两端之间的电压的关系。可以看到三种封装的电阻都在电流实际超过6A之后，电压开始快速上升。 测试0欧姆电阻最大流经电流 这说明电阻的温度也急剧增加，导致功耗也大幅度增加。0603电阻在电流增加到11.5A时烧毁，0805电阻在电流增加到12A时烧断，1206的电阻在12A时没有烧毁。 0603封装0欧姆电阻电流与电压之间的曲线 0805封装0欧姆电阻电流与电压之间的曲线

在前天“恩智浦MCU加油站”公众号给出了一篇 。显示了RT1010强大的算力可以支持AI边缘计算的能力，并给出了将PC训练的网络模型快速移植并部署到MCU的开发工具“NNCU:NN toolkit for mCU”的下载方式，帮助感兴趣的同学快速开发嵌入式神经网络算法。 三相电流缺相检测实验系统 三相电机，特别是鼠笼感应电机，在启动之后如果因为突然电源变动，或者负载波动，或者器件老化，使得三相供电中某一相回路断路，此时电机就只在两相电供电下工作。 在两项电压激励下，电机内部不再是旋转磁场，而是振荡磁场，根据感应电动机的负载特性，已经启动的电机仍然可以旋转，只是工作输出力矩减小，效率大大降低，进而增加系统工作电流，对电机和供电系统带来危险。 鼠笼式感应电机由于保险损坏产生缺相 在给出的推文视频中，显示做实验的小型电机应该是一种永磁同步电机（BLDC），这种电机运行在与外加旋转磁场相同转速下。在缺相的情况下，电机也会同步运行，只是此时输出力矩降低很多。 对于电机三相供电时的缺相检测，是保护电机和驱动电路重要方法。 手动断开运行中电机一路电线，产生缺相故障 电机驱动电路中通常带有三相电流检测电路，可以实时获得电机三相电流的数值。如果在运行中发现某一项电流在驱动电压下电流消失，可以判断电机出现缺相故障。 如果检测的电流如下图所示，是非常干净标准的正弦信号，似乎进行缺相检测并不困难。

ctime:2019-08-28 11:35:27 +0800|1566963327 标签（空格分隔）： 硬件 技术 无刷电机与永磁同步电机的区别： 反电动势不同，PMSM是正弦波反电动势，BLDC是梯形波反电动势 为了产生恒定电磁转矩，PMSM需要正弦波定子电流，BLDC需要矩形波电流 这就有个问题，既然产生恒定电磁转矩，无刷电机需要矩形波电流，那么为什么网上大家都追求使用SVPWM，千方百计弄出正弦波电流呢？ 后来在另一篇论文中看到： 由于设计和工艺的误差，提醒波反电动势存在小于120°的情况。对于小容量的BLDCM，常采用分数槽绕组，反电动势波形更接近正弦波。 所以，大家追求用SVPWM是有理可循的。对于我们平时使用的BLDC，可以使用PMSM的方式来控制。而PMSM原理又与异步感应电机十分相似，因此在矢量控制上，可以参考异步电机的控制方式。 SVPWM 为什么要使用SVPWM 为了产生正弦波电流 SPWM可以产生正弦波电压，但到了绕组电流上，未必是正弦波了，因此SPWM的电压利用率会比SVPWM低个15%左右 SVPWM的目标 使电机的磁链（或者说使磁通）为圆形 SVPWM具体实现 三相桥有8个状态，可以生成8个电压矢量，其中2个是零矢量 磁链的公式： Ψ = u Δ t \boldsymbol\Psi=\boldsymbol u\Delta t Ψ = u Δ t

第一章 二极管基本电路 第一节 半导体的基本知识 自然界的物质根据其导电能力，可以分为导体，绝缘体，半导体 半导体的特性 1：光敏特性。2：热敏特性。3：掺杂特性。 由原子结构理论得知，原子最外层电子达到8个的时候呈现比较稳定的状态，因此两个相邻原子价电子必须成对地存在。这一对价电子同时受两个原子核的束缚，为他们所共有，称为共价键。由于共价键的存在原子核最外层相当于有8个电子，比较稳定。因此本征半导体不易导电，但是当共价键上的电子受到了一定的温度，光的照射或者掺杂一些杂质的情况下，共价键上的少数电子获得足够的能量，就会挣脱原子核的束缚称为自由电子参加导电。 N型半导体：在半导体中加入微量的五价元素，就是N型半导体，这样外层电子就多余一个，在常温下就可以脱离原子称为自由电子，因为自由电子的数量很多，这种半导体主要靠电子导电，因此称为电子型半导体，简称N型半导体。 P型半导体：在半导体材料中加入三价元素，这样使得半导体中缺一个价电子，即出现一个空穴，这个空穴容易被邻近的价电子填补，逐个形成空穴并且逐个填补，空穴相当于带正电的粒子，这种半导体主要靠空穴导电，因而称为空穴型半导体，简称P型半导体。 PN结：将P型半导体和N型半导体结合在一起，这样就是PN结，PN结是晶体二极管和三极管等半导体器件的基本结构，晶体管是由一个PN结组成的，三极管是由两个PN结组成的。 PN结单向导电特性： 1

前言 在设计硬件时，选用变压器都需要注意其电特性参数：变压比、初级和次级的DCR、电感、漏感、温升、耐压、纹波等。这些参数影响着设计的可靠性和性能。这些参数是什么？标准是多少？会对设计造成什么影响？ 变压器（百度百科） 变压器（Transformer）是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯（磁芯）。主要功能有：电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压（磁饱和变压器）等。按用途可以分为：电力变压器和特殊变压器（电炉变、整流变、工频试验变压器、调压器、矿用变、音频变压器、中频变压器、高频变压器、冲击变压器、仪用变压器、电子变压器、电抗器、互感器等）。电路符号常用T当作编号的开头.例: T01, T201等。 思考：铁芯的作用是什么？加强前后线圈的磁耦合。 如何减小铁芯的涡流和磁滞损耗？ 变压器因为初级和次级都是线圈，也就是电感，所以对频率敏感。 变压器是根据初级线圈中电流的变化，引起铁芯中的磁通量变化，从而在次级线圈中感应出交变电压出来（楞次定律：感应电流的效果总是反抗引起感应电流的原因）。 特征参数 工作频率：变压器的铁芯与频率有关系，因为变压器是线圈（电感）。所以应该根据工作频率选择。 额定功率：能长期在此功率下工作而不超过规定的温升。 额定电压：工作时，不能大于此额定电压。why？ 电压比：初级和次级的电压比，有空载和负载电压比的区别。

NRF52811和NRF52833都是蓝牙5.1，软件和硬件都是可以互相兼容的。 NRF52833是NRF52811的精简版本，就像之前给大家介绍的NRF51802可以替代NRF51822，NRF52810可以替代 NRF52840. NRF52840和NRF52833的具体区别的是： 1.1 Mbps蓝牙低能耗模式下，NRF52833的灵敏度是96 dBm，NRF52811是97 dBm. 2.-125 kbps蓝牙低能耗模式下， NRF52833是103 dBm灵敏度（远程），-20至+8 dBm TX功率，可按4 dB步进配置。NRF52811是104dB灵敏度（远程），-20至+4dBm TX功率，可按4 dB步进配置. 3.NRF52811的发射电流和接收电流都是是4.6mA。NRF52833的发射电流是4.9mA和接收电流是4.6mA NRF52811在Flash中运行功耗是34.4 μA/MHz， 在RAM中运行是 32.8 μA/MHz ，NRF52833则为52μA/MHz和38μA/MHz NRF51822和NRF51802都是蓝牙4.0，运存又是一样的，有什么区别？ 它们的区别主要是以下几点： 1、接收灵敏度 51802是-91dBm;51822是-93dBm，这个差异导致接收距离有差异； 2、Tx Power @省电模式 51822是-35dBm