晶体三极管及其基本放大电路之共发射极电路

孤人 提交于 2020-04-28 23:21:07

这部分通过分析共射级放大电路说明电路设计的一般步骤,并分析电路的各项参数!

一.共射集电极放大电路分析

1.基本结构

1)直流通路:所有电容断路,电感短路,直流电源保留。

2)交流通路:直流电源短路,根据频率高低决定电容盒电阻的情况。

3)非线性失真分析方法

1.直流分析

2.交流分析

画出交流的等效图,用小信号模型代替三极管,分析各项参数,此部分较为熟练,结合实际应用电路分析一个模型即可。

其他放大倍数、输入电阻、输出电阻等参数按照公式计算,参照下面的例子进行计算。

例题:Q点稳定的分压式偏置电路

3.实际应用电路分析及选型

1.具体电路的设计及分析:

  1. 确定发射级电流Ie的值,参考Ie与特征频率fT的关系确定,且需要小于最大额定值,最大额定值查阅datasheet即可;

    经验:小信号共发射极放大电路的Ie可以取0.1mA致数mA,中功率管则在几毫安到几十毫安,大功率管则在几十毫安到几安培。

  2. Rc和Re的确定,电路的放大倍数已知,且其大小为Rc与Re的比值,Re上的直流压降需要在1-2V之间;Vce为电源电压的一半,一般可取Re为100欧;由此可以得出Rc和Re的大小。接下来需要验证设计的合理性:首先计算静态功耗Pc=Vce*Ic,是否小于Pcm;接下来仿真观察放大器是否存在非线性失真,若Rc太大,则压降变大,输出振幅较大时,集电极电位靠近发射级电位,消去波形下侧;若Rc太小,则集电极电位靠近电源电位,消去上侧。(将集电极电位设计在Vcc和Ve的中点),根据上面的情况适当调整Rc和Re的值,直道符合设计要求。
  3. 假设hfe为200,求出Ib,则假设流过基极电阻的电流为大于10*Ib以上的电流(忽略Ib),计算Vb求出两个偏置电阻的阻值,注意,上面的仿真是在完成这一步骤的基础上进行的。
  4. 耦合电容组成了高通滤波电路,根据具体的使用情况确定即可。
  5. 去耦电容的添加,注意去耦电容的连接顺序。

2.放大电路的性能

(1)输入电阻的测量方法,输入端串联电阻Rs

(2)输出电阻的测量方法,输出端接负载RL与没有负载时的电压关系。

(3)提高放大倍数的方法,射级旁路电阻。

3.其他常用电路

(1)NPN管组成负电源放大电路

(2)PNP管伏电源供电电路

(3)NPN管双电源供电电路

(4)低通滤波电路,高频增强电路,频带调谐放大电路。

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