场效应管从结构上分为：JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
可以说三极管与场效应管有着很多相似之处：
场效应管与三极管都具有放大功能，但是其最直观的区别就是：
（1）场效应管是用G极的电压控制D极的电流；而三极管是用B极的电流控制C极的电流。
（2）场效应管G D S三个极之间是隔离的，G极的电流输入忽略不计，所以场效应管的输入阻抗无穷大；
JFET（结型场效应管）：
JFET的特点：
（1）输入阻抗特别大；
（2）电压VGS越大，电流ID越小；
MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
MOSFET根据结构的不同又分为：D-MOSFET（耗尽型金属氧化物场效应管）和E-MOSFET（增强型金属氧化物半导体 场效应管）
MOSFET的特性：
E-MOSFET特性：
（1）N-channel只能工作在VGS>0的条件下，P-channel只能工作在
VGS<0的条件下;
（2）VGS = 0时,D极不产生电流；
（3）即使VGS不等于0，在达到阈值开启电压时，D极电流小的也几
乎为0。
D-MOSFET特性：
（1）G极可以工作在正压或者负压状态下，两种状态下都可以导通；
（2）N-channel和P-channel都当VGS= 0时，D极电流达到IDSS
IDSS表示：G极短路HSI的G-S的电流。IDSS也是JEFT最大能
承受的电流 。
如何区分场效应管的符号呢？【具体电路符号如上图】
（1）首先，JFET的箭头符号与三极管的箭头符号方向是一致的，朝外就是
N管，朝内就是P管。
（2）这下区分MOSFET与JFET和三极管的箭头符号：
【1】MOSFET与JFET和三极管的箭头符号相反，即N管箭头符号朝里，
P管箭头符号朝外，（吐槽一下，也不知道为什么这么设计，弄成一
样的不更好嘛。哈哈。初学者，继续加油）
【2】再来区分E-MOSFET与D-MOSFET的电路符号吧。
电路符号中中间的短线为实线的是：D-MOSFET
电路符号中中间的短线为虚线的是：E-MOSFET（别看我虚线，但是
我不虚，反倒增强了呢。哈哈）
来源：CSDN
作者：Naunyang
链接：https://blog.csdn.net/Naunyang/article/details/104688855