STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了带磁性外壳的附加写信息线，最大限度地减少了制备工艺程序，并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快，满足高性能计算机系统的设计要求。
研究人员建议用反铁磁材料制造STT-MRAM器件-与目前使用的铁磁材料相反。研究人员说这些材料将使高密度器件能够以低电流实现高速写入。
反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。
研究人员还证明，电流可用于可逆地切换在重金属底层上构图的反铁磁存储位，并且重要的是，首次使用与现有半导体制造技术完全兼容的材料来进行此操作。另外该工作实现了迄今为止报道的用于切换反铁磁材料的最低电流密度。
最后研究人员还表明，该设备可以设计为模拟（忆阻）元件，而不是双稳态元件，这意味着它可以在神经形态计算的突触中找到应用。
STT-MRAM芯片具有重要的军事应用，在抗恶劣环境高性能计算机、军用卫星、导弹、火箭、航天飞行器控制和数据存储系统中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、随机存储、非易失性、结构简单、抗辐照能力强等优点的存储器系统。
来源：https://www.cnblogs.com/sramsun/p/12419132.html