主要的散射机制： 升学形变散射 声学波压电散射 极性光学声子散射 合金无需散射 界面粗糙度散射 位错散射 调制掺杂的远程散射
合金无序散射和调制掺杂的远程散射和势垒层的性质有关 界面粗糙度散射和异质界面的性质有关。
压
势垒层调制掺杂散射
调制掺杂异质结中电子迁移率高的原因是而为电子气和施主杂质在空间上分离，从而降低了库伦散射的作用
GaN HEMT中没有电离杂质对于的库伦散射，所以具有更高的迁移率。但是电流崩塌效应和高山漏电流是两个典型的问题。电流崩塌效应引起的饱和电流引起的嗲电压会降低期间的输出功率，严重阻碍HEMT的实用化进程。
强耦合极限的平衡方程输运理论，该理论将热电子的运动分为知心的整体漂移和电子的无规相对运动两部分，分别服从单粒子的经典力学和平衡态的统计力学规律，此理论在微扰论的基础上建立体系的动量，能量平衡方程，进而到处三维或二维体系热载流子的迁移率，电阻率等输运性质，再具体计算过程中用到的方法有：记忆函数法 自洽法 格林函数法 理论中的密度 密度关联函数部分包含了载流子间的多体效应和磁场效应。
栅介质材料具有高介电常数 高势垒和界面质量良好的 很好的化学稳定性
改变栅介质材料: 常用材料如氧化硅 氮化硅 氧化铝 或者叠栅结构
我觉得仿真一下能带结构也行啊 说明怎么降低合金无序散射也行啊
还有帽层的作用 你改变哪个一下不行啊
在AlGaN
帽层的作用 防止氧化 做好欧姆接触 抬高势垒
低电子密度时候，远程电荷散射其主要作用，高温电子密度，光电声子散射为主要影响因素。
此外还忽略了多异质结结构的光学声子的精细结构和AlGaN 体光学声子的双模性。也没有讨论三元混晶效应和尺寸效应的影响，而有研究表明此效应是不容忽略的。
强反区域下的源漏电流、跨导和电容特性，部分数值与化验结果和很好，但对于上述参数作用的理论研究有待拓展。
理论计算模型与方法
电子态
光学声子模 和迁移率
单异质结结构 本文主要考虑此类异质结体系的界面(IF )和半空间光学声子模（HS）
MERI模型 三元混晶的晶格振动与二元
导带带阶 基态电子波函数 与组分的关系 厚度的关系 绝缘栅极的厚度 远程固定面电荷密度的关系
电子能级随组分、尺寸与远程固定电荷变化 电子波函数的变化
绝缘栅和体系内建电场
绝缘栅对二维电子气有很大影响
固定电荷对于迁移率的影响
来源：CSDN
作者：Cherylzzx
链接：https://blog.csdn.net/Cherylzzx/article/details/87872276