RAM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM的演变
ROM和RAM指的都是半导体存储器， ROM是Read Only Memory的缩写，即只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，其特性是一旦储存资料就无法再将其改变或删除，资料并不会因为电源关闭而消失。
RAM是Random Access Memory的缩写 ，即随机存储器 ，随机是指数据不是线性依次存储，可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM在掉电之后就会丢失数据。
RAM又分两大类，一种为SRAM (Static RAM，静态RAM)，是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，也就是说加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失。SRAM是早期读写最快的存储设备，但也有其缺点，即它的集成度较低，相同容量的内存需要很大的体积，功耗也大；同时它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓存，二级缓存。
另一种为DRAM (Dynamic RAM，动态RAM)， DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新的话，存储的信息就会丢失；它的速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但价格上DRAM比SRAM要便宜，计算机内存就是DRAM的。
SDRAM (Synchronous DRAM，同步动态随机存储器) , 又是在DRAM的基础上发展而来，同时也属于DRAM中的一种。同步是指内存工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准。
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM，双倍数据率SDRAM ) ，又是在SDRAM的基础上发展而来，它的不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势。
LPDDR SDRAM（Low Power Double Data Rate SDRAM），是DDR SDRAM的一种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。
我们现在使用的DDR SDRAM其实就是属于DRAM的一种，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，一些内存颗粒的厂家通常会把DDR SDRAM划分到DRAM分类里面。
DDR还会根据它的不同应用分成其他的类型，如GDDR主要用于图形处理，LPDDR主要用于低功耗等移动消费性电子，但万变不离其宗，他们都是基于DDR的一些原理演变而来。
参考：http://www.edadoc.com/cn/TechnicalArticle/Show.aspx?id=943
2017年3月，JEDEC协会宣布将在2018年正式发布DDR5的技术规范。目前，DDR5的规范制定已经到0.5版本，会在DDR4的基础上数据速率和密度再翻一倍，单颗粒容量可达32Gb，并预计会在2020年开始商用。
GDDR（Graphics Double Data Rate），是用于显示的RAM技术，其特点是高带宽、高延时。GDDR5技术实际来源于DDR3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多Channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3G~6GT/s）。
从数据速率上来说，GDDR更高，适合显示图像这种需要大数据量传输而对时延不太敏感的场合；而DDR技术由于延时小，所以更适合于CPU这种数据随机读取的场合。
很多人会把DDR5和显卡上使用的GDDR5技术混淆，实际上两者应用场合不一样，下面这张图展示了三种主流内存技术（DDR、GDDR、LPDDR）的速度对比与应用。
LPDDR5，5G时代手机的内存标准
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多车道Bank Group架构
LPDDR4x仅支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，相当于数据传输从单车道变为多车道，增加更多的并行数据通路，提升数据传输带宽。 -
速率跨越式升级最多可达50%性能提升
得益于多Bank Group模式，与上代LPDDR4x相比，LPDDR5的数据传输速率从4266Mbps提升至5500Mbps，传输带宽从34GB/s提升到44GB/s，这是目前最高速率的内存规格，未来这一速率还会提升到6400Mbps，带宽提升到51.2GB/s，提升50%之多。 -
超低功耗
LPDDR5内部有三组电压
VDD1/VDD2/VDDQ
其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L
VDD1和VDD2属于Core电源
VDDQ属于I/O接口电源
相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V
VDDQ由0.6V降至0.5V
另外还有新加入的DVFSC和DVFSQ功能
可在低速工作时切换至更低的0.9V和0.3V电压
进一步降低功耗。
内存的逻辑bank和物理bank参考https://blog.csdn.net/jiajinkui1988/article/details/101904740
来源：CSDN
作者：wch的故事
链接：https://blog.csdn.net/qq_39111085/article/details/104212808