前言：
一、What is a Physical Defect?
二、CMOS 工艺中常见的制造缺陷或曰物理缺陷对地和对电源的短路
- 对地和对电源的短路
- 由尘埃引起的连线断路
- 金属穿通引（Metal Spike-through）体管源或漏的短路
三、Physical Defects à Fault Model
- 不管是对封装好的成品还是对尚未封装的“裸片”（die），要将探针伸入芯片结构内部进行测试，无论从技术或是经济角度都是根本不可行的。对芯片的测试只有通过有限的输入/输出管脚(I/O pin) 来完成。
- 需要通过对芯片内部制造缺陷引起的电路故障建立逻辑上的模型，从而通过测量电路在输入输出管脚上行为，来判断芯片内部是否存在制造缺陷Physical Defects（制造缺陷） à Fault Model（故障模型）
四、Fault Model（故障模型）
- 由于引起芯片发生故障的制造缺陷原因多种多样，为了便于分析和判断故障，需要将故障的特征进行抽象和分类，把呈现同样效果的故障归并成同一种故障类型，并使用同一种描述方法，这种故障描述方式称为故障模型。
- 当前VLSI 设计中常用的故障模型：固定型故障模型(stuck-at fault model)、时延故障模型(delay fault model) 和基于电流的故障模型(current-based fault model)
来源：CSDN
作者：gsithxy
链接：https://blog.csdn.net/gsjthxy/article/details/104184744