【基础】 存储类:闪存类型SLC、MLC、TLC详解

与世无争的帅哥 提交于 2020-01-28 12:22:18

1、什么是NAND闪存

固态硬盘(SSD)的底层NAND架构因模型而异,NAND闪存的几种类型SLC、MLC、eMLC和TLC具备不同特性。

与机械硬盘(HDD)相比,SSD封装使存储子系统和阵列能够提供出色的应用性能,并能在业务分析和其他工作负载下快速工作。在个人电脑和移动设备中,闪存能够加速应用程序启动时间和加速数据传输。

而且由于闪存没有可移动部件,所以SSD几乎不容易受到突然移动和物理冲击的伤害。另外还有一个优势是,它们也比HDD耗电更少,但SSD在每GB的成本上往往高于HDD。

NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构,它的名字来源于逻辑门(NOT-AND),用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。

2、NAND闪存类型

1)SLC(Single-Level Cell,单层单元)

在每个单元中存储一个Bit,这种设计提高了耐久性、准确性和性能。

对于企业的关键应用程序和存储服务,SLC是首选的闪存技术,价格最高。

2)MLC(Multi-Level Cell,多层单元)

为每个单元存储2个Bit,尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间,在相同空间内获得更大容量,但它的代价是使用寿命降低,可靠性降低。

相对而言,MLC SSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。

3)eMLC(Enterprise Multi-Level Cell,企业多级单元)

是MLC NAND 闪存的一个“增强型”的版本,它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。

eMLC驱动器比MLC驱动器贵,但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit,但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储操作延长了eMLC SSD的使用寿命。

4)TLC(Triple-Level Cell,三层单元)

每个单元存储3比特,通常用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。

最适合于包含大量读取操作的应用程序,基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用,但是闪存体系结构的最新改进,包括3D NAND(稍后将详细介绍)、持久增强的数据放置和错误纠正技术,使该技术在读密集型企业存储应用程序中占有了一席之地。

3、如何选择SLC、MLC、eMLC和TLC

写入/擦除(PE)周期用来衡量NAND闪存可以支持多少读和写操作,虽然它们没有机械部件可以磨损,但SSD驱动器仍然存在有限的使用寿命。

每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命,这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然,除了制造缺陷,电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效。这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。


refer:

http://www.enterprisestorageforum.com/storage-hardware/slc-vs-mlc-vs-tlc-nand-flash.html

https://baijiahao.baidu.com/s?id=1612844422172688377&wfr=spider&for=pc

 

 

易学教程内所有资源均来自网络或用户发布的内容,如有违反法律规定的内容欢迎反馈
该文章没有解决你所遇到的问题?点击提问,说说你的问题,让更多的人一起探讨吧!