友善mini2440裸机开发源码

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开发工具：minitools、gcc-4.4.3、vim等

**我们需要先设置cpu工作模式+关闭看门狗+关闭中断后再执行我们自己的代码，因为本文是将代码下载到内存中运行，所以不具备跳转绝对地址的能力，也就不能处理中断。

1. led

mini2440有4个可供用户编程的led，分别是nled_1、nled_2、nled_3、nled_4:
mini2440led
他们分别连向GPB5、6、7、8，由于这里的led接入了上拉电阻，我们的cpu引脚应输出0而使led发光，输出1led熄灭。
接下来，我们先查看s3c2440的用户手册，找到GPB组的寄存器组：
led控制引脚
这里就是我们需要编程的寄存器。第一个是GPB组IO的控制寄存器，用于选择配置引脚工作模式，第二个是数据寄存器，如果引脚被配置为输入口或其他功能口，我们将从这个寄存器中读出对应的数据。如果作为输出口，我们就从这个寄存器中写入需要输出的数据。最后是上拉寄存器。s3c2440每个GPIO的引脚都内部配置了上拉功能，不需要的时候写1关闭即可。
引脚描述

引脚描述
代码链接：https://download.csdn.net/download/weixin_38716790/12085350

2. 串口

mini2440有3个可编程串口，分别是串口0、1、2，其中串口0已经接了RS232接口出来，之前我调试串口1的时候自己用的ttl转232模块，上面用了max3232芯片，然后我用板子5V电源给它供电，一直有乱码，一查好几天才查到原因，囧。。。

串口0的编程设计GPIO+UART两个模块。所以我们需要配置两个模块的寄存器，首先是GPIO：
在这里插入图片描述
由图可知，我们需要配置GPH2、3

所以我们应该配置(*(volatile unsigned long )]0x56000070) | = 0x50;
取消上拉：((volatile unsigned long *)0x56000074) &= ~(0x3 << 2);
接下来设置UART，我们先看一下UART的工作原理：

假设现在我们要发送数据到串口，我们需要将数据先写入发送缓存寄存器，然后由控制单元控制发送移位发送数据到TXD脚上。发送移位和接收移位的时钟由波特率生成器提供。而波特率生成器的时钟源来源于PCLK、FCLK/n、UEXTCLK。

如果cpu写入发送缓存寄存器的速度比波特率要高，那么可能会导致数据丢失。所以我们在控制好写入的速度，或者在写入前检测串口发送移位寄存器是否为空。

对于接收数据的情况，也是相同的，外部数据会先接收到接收缓存寄存器中，然后等待控制单元的读取。如果接收的数据过多，也就是对方发送数据的速度大于波特率，那么数据也可能丢失。所以接收缓冲寄存器中的内容我们要及时读走，或者使用流控来控制通信双方数据的发送和接收。

数据通信的时序：在给定波特率下，发送端发送一个帧数据，先拉低TXD，作为起始位，然后发送5-8位数据，然后发送校验位，最后发送1-2位结束位，然后数据线拉高。接收方检测到数据低电平，开始接收数据，校验位，结束位，数据线被拉高。

s3c2440的串口支持DMA和中断的操作,但是我们这里没有使用，我们使用的是轮询的方式进行数据的接收发送。看看串口使用的寄存器：

在这里插入图片描述
行控制器ULCON：用于设置数据格式，我们使用的是8n1，即(*(volatile unsigned long )0x50000000) = 0x03;

UCON:通道控制寄存器，配置通道的工作模式，我们配置发送接收模式为polling mode，不使用send break signal、loopback mode、不使用中断、时钟源选择PCLK。所以，((volatile unsigned long )0x50000004) = 0x05;
最后，设置我们的波特率，s3c2440波特率的设置：

写入波特率分频寄存器的值 = （int）(PCLK/(baudrate * 16)) - 1;
我这里设置的buadrate=115200，PCLK经过分频之后是50MHZ，所以((volatile unsigned long *)0x50000028) = 0x1A;
到这里，我们的初始化需要操作的寄存器就结束了。下面是我们在处理数据的发送和接收的时候。需要访问的寄存器：
在这里插入图片描述

代码链接：https://download.csdn.net/download/weixin_38716790/12085359

3.nandflash

s3c2440含有一个nandflash控制器。我们利用它来实现nandflash的简单读写擦除操作。
简介关于nandflash启动的说明可以看看手册。
我们直接看nandflash控制器原理和寄存器。
在这里插入图片描述
由图可知，nandflash控制器接到了AHB总线上，所以使用的是HCLK时钟作为时钟源（时钟部分请看手册，12M晶振经过MPS提升之后生成FCLK、PCLK、HCLK，PCLK作为APB总线时钟使用，HCLK作为AHB总线时钟使用，我代码使用的是400MHZFCLK、时钟比率F:H:P为1：4：8）。APB总线操作SFR寄存器对nandflash控制器进行操作、ECC校验等。
往下看
在这里插入图片描述
这四个引脚用于配置nand的信息，硬件已经设置好。我们使用的是k9f2g08u0c，5个地址周期，8位线宽，1page=2k。nandflash控制器上电后会自动检测这4个引脚的值，然后设置相应寄存器的位

上图是当TACLS、TWRPH、TWRPH1 = 1，0，0时，写命令/地址时HCLK、CLE/ALE和WE的关系，以及读写数据时HCLK和WE/RE的关系。

当我们要写入地址或者命令时，要先进行锁存使能，然后才能拉低WE信号线，然后将地址或命令写入nandflash。最后要先释放WE然后才能释放ALE、CLE。
当我们要写入或读取数据时，开启WE/RE后，写入数据即可。

我们选择TACLS>=1（要求TACLS=Tcls-Twp =Tals-Twp >= 0，而Tcls和Twp的最小值都是12ns，TACLS可取任意给定值） TWRPH>=2(查看nandflash的数据手册，可知芯片要求WE持续的时间最小是12ns，我们的HCLK是100MHz，也就是一周期10ns。所以需要两个周期以上的时间)，TWRPH=0,也就是一个HCLK周期；

RnB检测：检测nandflash是否忙信号。

寄存器设置这里不细讲，具体看代码即可。这里举例讲一下读数据的编程顺序：

在这里插入图片描述
首先，对nandflash操作之前需要将nandflash复位，然后使能片选，接下来才写入命令、地址、数据等。
nandflash读操作：

打开片选；
使能RnB；
NFCMMD = 0x00;
NFADDR = coladdr0-8;
NFADDR = coladdr9-15;
NFADDR = rowaddr0-8;
NFADDR = rowaddr9-15;
NFADDR = rowaddr16-23;
NFCMMD = 0x30;
while(等待不忙)；
for(i=0;i<2048;i++)
{
ch[i] = NFDATA； //读出数据
}
关闭片选；
如果看手册时序图有延迟的地方我们也得延迟一下哈。要不读到的数据可能出错
写操作和擦除等操作不再叙述。