PN结
1、P型半导体和N型半导体都是可以导电的，如图1、2所示。
图（1）P型半导体 图（2）N型半导体
P型半导体中空穴很多（大部分是掺杂的），所以空穴是P型半导体的多子，但也有少量的电子，这些电子是本征半导体激发的，因此电子是P型半导体中的少子；
N型半导体中电子很多（大部分是掺杂的），所以电子是N型半导体的多子，但也有少量的空穴，这些空穴是本征半导体激发的，因此空穴是N型半导体中的少子；
如果外界温度升高时P型半导体和N型半导体内部的多子和少子都会增加，但是多子本来就很多，对总量影响较小；但对少子来说影响就不一样了，如果原来就2个少子，增加了2个那么就增加了1倍。因此温度对少子影响很大。
2、如果把P型半导体和N型半导体放到一起会出现什么呢？
图（3）P型半导体和N型半导体放在一起的初始状态
P型半导体的空穴很多，N型半导体的电子很多，因此空穴会向N区扩散，电子会向P区扩散。 电子扩散到P区与空穴复合后都消失了，空穴扩散到N区和电子复合后也都消失了 。
图（4）扩散运动后P型半导体和N型半导体连接处的状态
如图4所示， P型半导体和N型半导体连接处产生了内电场，方向从右到左，这个电场阻碍扩散运动，也就是内电场阻值P区的空穴向N区扩散，也阻值了N区的电子向P区扩散。但是内电场会促进P区的空穴向N区漂移，N区的电子向P区漂移，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，连接处就形成了空间电荷区，我们称为耗尽层。这样PN接就形成了。
3、PN结的特点：
原来硅晶格导电很差，通过掺杂工艺，导电性能提高了，为什么让N型和P型的组成PN结呢？这就要看看PN结的一些特点了。
3.1当给PN接加正方向的外电场如图5、6所示
图（5） PN接加正的外电场的初始状态 图（6） PN接加正的外电场
①外电场将载流子推入空间电荷区，抵消一部分空间电荷，使空间电荷区变窄，削弱内电场；
②扩散运动增强，漂移运动减弱，平衡被打破，扩散运动大于漂移运动；
③在电源的作用下，扩散运动不断进行，形成正向电流，PN结处于导通状态。
在正向外电场的作用下，PN结导通了
3.2 当给PN接加反方向的外电场如图7、8所示
图（7） PN接加反的外电场初始状态 图（8） PN接加反的外电场
①外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽，内电场增强
②扩散运动减弱，漂移运动增强，平衡被打破，漂移运动大于扩散运动；
③漂移运动是少子的运动，少子浓度小，形成反向电流很小，PN结处于截止状态。
在反向外电场的作用下，PN结截止了。
4、总结
PN结外接正电场就导电（足够大），外接反电场就截止，这就是是PN结的特点单向导电性。这个特点有什么用呢？我们可以利用PN结控制电流的路径了，也就是说 我们想让电流去哪里不去哪里 我们可以控制。
来源：CSDN
作者：ytcjzk
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