everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。
与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而两次写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的存储器解决方案。
MR25H10提供5mmx6mm8引脚DFN封装或5mmx6mm8引脚DFN小标志封装。两者均与串行EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。该系列产品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替换Cypress的型号FM24V10.
MR25H10可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。
对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001级合格选项。40MHz的读写速度，具有无限的耐力。数据非易失性，保留20年。数据保留掉电。符合RoHS的软件包。
1Mb串行SPI MRAM
•无写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速，简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN或8引脚DFN符合RoHS标准的小标志
包装
•直接替换串行EEPROM，闪存，FeRAM
•AEC-Q1001级选件
来源：51CTO
作者：英尚微电子
链接：https://blog.51cto.com/14618340/2461388