1、主存储器组织与设计（非常重要！）
1）半导体存储器逻辑设计
2）动态存储器的刷新
（1）定义：定期向电容补充电荷
（2）原因：动态存储器依靠电容电荷存储信息。平时无电源 供电，时间一长电容电荷会泄放，需定期向电容 补充电荷，以保持信息不变。
（3）注意刷新与重写的区别：
- 刷新：非破坏性读出的动态M，需补充电荷以保持原来的信息。
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破坏性读出后重写，以恢复原来的信息。
（4）最大刷新间隔：2ms。在此期间，必须对所有动态单元刷新一遍。
（5）刷新方法：
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按行读。
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刷新一行所用的时间——刷新周期（存取周期）
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刷新一块芯片所需的刷新周期数由芯片矩阵的行数决定。
- 对主存的访问
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CPU访存：由CPU提供行、列地址，随机访问。
- 动态芯片刷新：由刷新地址计数器提供行地址，定时刷新。
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（6）刷新周期的安排方式:
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集中刷新:2ms内集中安排所有刷新周期。
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分散刷新:各刷新周期分散安排在存取周期中。
- 异步刷新:各刷新周期分散安排在2ms内。每隔一段时间刷新一行。