高速IV转换 雪崩二极管驱动APD模块 光电转换 光通讯 原理图和PCB
高速IV转换 雪崩二极管驱动APD模块 光电转换 光通讯 原理图和PCB 目录 高速IV转换 雪崩二极管驱动APD模块 光电转换 光通讯 原理图和PCB 基本原理 芯片选型 原理图&3D-PCB 具体讲解 模块原理图-PDF、原理图库、3D-PCB库下载 基本原理 雪崩二极管有着低噪声高速的特点，当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿，雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。一般用于高速调制光信号接收。 芯片选型 雪崩二极管需要较高的反向偏压，但是电流比较小，所以我们选取了TPS55340开关电源芯片作为升压芯片，它有着40V 低侧 MOSFET 开关，这个参数比较重要。开关频率可在100kHz 至 1.2MHz 之间调节。再升压输出电压不高的情况下可以选取一般的开关电源芯片也可，如TPS5430等。 原理图&3D-PCB 模块采用的是二极管半波倍压拓扑电路和单电源IV转换电路，下面会仔细讲解。 具体讲解 1、P1端子是电源输入端，使用D1做了反接保护，由于升压芯片比较脆弱，所以在输入端还反接了一个16V耐压的TVS管，这样可以有效的消除浪涌和脉冲电压对模块的损坏。 2、模块共有两个GND，分别是数字地和模拟地，分开是为了进一步的减小升压电源的纹波。 3、R3的大小决定了开关频率的大小