ICMAX分析UFS 3.1比UFS 3.0感知强吗?体现在哪些方面
自5G手机开始逐步上市以后,UFS 3.0逐渐被旗舰智能手机机采用。甚至到了如今,已经有手机配备UFS 3.1存储。UFS 3.1是在UFS 3.0的基础上进一步带来了性能、功耗、成本等方面的进一步优化。那么,相比于UFS 3.0,UFS 3.1主要有哪些方面的变化? 首先是写入增强器(Write Turbo)。从字面意思就能理解,就是提升UFS的顺序写入速度,写入增强器的特性会将UFS 3.0原本最高为500MB/s的顺序写入提升至700MB/s。Write Turbo原理本质是UFS 3.1闪存内部有一块高速缓存区,工作的时候以较高的速度去接收文件,等到闪存写入工作不繁重的时候再将写入的文件从缓存区转到普通闪存区。 其次是深度睡眠(Deep Sleep),宏旺半导体了解到,深度睡眠是让在UFS 3.0基础上对于功耗的优化。旨在让闪存在空闲的时间段进入低功耗睡眠状态,确保闪存在睡眠状态下降低功耗,这种模式相较于UFS 3.0的hibernate模式能够有更好的功耗控制。 然后是性能限制通知(Performance Throttling Notification)则是因为某些情况导致存储性能受到影响时,及时通知主机有关性能限制的信息,特别会在设备过热时通知系统限制读写性能以降低闪存温度。简而言之,这是在闪存中加入了根据外部环境实时反馈的控制中心。 除了写入增强器