毫米波频段射频器件的主要技术工艺趋势
1 以 SIW 为代表的新型导波结构可满足集成需求 由于传统波导结构和微带线、带状线等微波传输媒介不满足 5G 毫米波频段基站天线与射频系统对于体积、损耗、性能、集成度等方面的需求,基片集成波导(SIW)作为一种新型的导波结构有希望在 5G 毫米波射频系统中广泛应用。SIW 由加拿大蒙特利尔大学吴柯教授的课题组和东南大学毫米波国家重点实验室洪伟教授的课题组提出,已成为国内外研究和产业应用的热点。 SIW 利用金属过孔在介质基片上实现波导的场传播模式,并且同时具备了矩形波导和微带线的优点,包括低插损、低辐射、高 Q 值、高功率容量、小型化,最重要的特点在于能通过现有的 PCB 或 LTCC工艺来制作,可以将无源器件、有源器件和天线等器件集成在同一衬底上,从而使系统体积减小。由于 SIW 与矩形波导相似,因而绝大多数毫米波器件可以由 SIW 结构实现,尺寸重量比腔体器件小,也不存在微带器件的损耗问题,还具有成本低调试简单的特点,适合大批量生产。为减少 SIW结构的尺寸,半模基片集成波导(HMSIW)在保存原基片集成波导特性的基础上将尺寸减少了一半。 SIW 在 5G 毫米波射频系统中具备广泛应用的基础,工艺是该技术的关键要素。在毫米波频段,传统的 PCB 技术因为成本低、设计便捷可广泛应用于基于 SIW 器件的制作,金属通孔可通过微型穿孔或激光切割实现