NOR型flash与NAND型flash的区别
不同点: 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块。 2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开,所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片,它的传输效率很高,可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点,嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线,需要额外联结一些控制的输入输出,所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因,不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作;而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I