闪存

1、什么是存储器？存储器的分类有哪些？ 　　存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。 　　按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）, 也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。 　　按读写功能存储器可分为只读存储器(ROM)和随机读写存储器(RAM)两种。ROM存储的内容是固定不变的，它是只能读出而不能写入的半导体存储器; RAM是既能读出又能写入的半导体存储器。当机器电源关闭时，ROM仍然可以保持数据，而存于RAM中的数据则会丢失。 　　在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。 　　我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上

附：stm32闪存编程手册链接https://wenku.baidu.com/view/586bac0c763231126edb11ac.html 1.闪存访问控制寄存（FLASH_ACR） 地址偏移：0x00 复位值：0x0000 0030 各位描述： 2.FPEC键寄存器（FLASH_KEYR） 地址偏移：0x04 复位值：xxxx xxxx 3.闪存OPTKEY寄存器（FLASH_OPTKEYR） 地址偏移：0x08 复位值：xxxx xxxx 4.闪存状态寄存器（FLASH_SR） 地址偏移：0x0C 复位值：0x000 0000 5.闪存控制寄存器（FLASH_CR） 地址偏移：0x10 复位值：0x0000 0080 6.闪存地址寄存器（FLASH_AR） 地址偏移：0x14 复位值：0x0000 0000 7.选项字节寄存器（FLASH_OBR） 地址偏移：0x1C 复位值：0x03FF FFFC 注意： 这个寄存器的复位数值与写入选项字节中的数值相关，OPTERR位的复位值与加载选项字节时对选项字节和它的反码进行比较的结果相关。 8.写保护寄存器（FLASH_WRPR） 地址偏移：0x20 复位值：0xFFFF FFFF 来源： https://blog.csdn.net/yigedaluobo/article/details/99676123

一． NAND和NOR的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 二．性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下

意法半导体是全球领先的半导体供应商之一，提供的技术可通过自动化和机器人技术，使其他的行业部门提供了安全性更高的产品，这就是我们所说的智能产业。随着目前的发展变化，通常被称为“第四次工业革命”，是通过广泛应用各种产品（包括意法半导体MCU，电机控制）使工业系统变得更加智能，保护设备和无线模块以及显示和LED控制器。接下来要介绍的是一款适合使用在航空电子中的微控制器（MCU）。 STM32F4系列高性能的MCU与DSP和FPU指令的ARM®的Cortex®基于-M4-STM32F4系列MCU利用ST的NVM技术和ART加速器™达到了业界最高的测试分数为基础的Cortex-M微控制器具有高达225DMIPS/608CoreMark以高达180MHz的工作频率从闪存执行。 通过动态功率缩放，闪存的电流消耗范围从STM32F410的89µA/MHz到STM32F439的260µA/MHz。 STM32F4系列包含8条兼容的数字信号控制器（DSC）产品线，完美结合了MCU的实时控制功能和数字信号处理器（DSP）的信号处理性能： 高级行： 180MHzCPU/225DMIPS，具有SDRAM和Chrom-ARTAccelerator™的高达2MB双存储区闪存 STM32F469/479–四路SPI接口，LCD-TFT控制器和MPI-DSI接口 STM32F429/439–LCD-TFT控制器