闪存

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好 另外，一些变量

转自http://jinren1010.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/15556 　　 （1）闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NOR芯片操作以“ 字 ”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 （2）NOR闪存是随机存储介质，用于 数据量较小 的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合 存放大的数据 。 （3）由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 （4）NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因

一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别： https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别，转自： http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。 　 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是Read Only Memory的缩写， RAM 是Random Access Memory的缩写。 　 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　RAM 　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM )， SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 　　DDR RAM

SSD组成 SSD Controler、Flash Memory Array（NAND Flash，存储颗粒）、Dram(option)、Host Interface(eg. SATA、SAS、PCIe) SSD基本工作原理： 从主机PC端开始，用户从操作系统应用层面对SSD发出请求，文件系统将读写请求经drive转化为相应的符合协议的命令，SSD收到命令执行相应操作，然后输出结果。 对SSD来说，输入是Command，输出是Data和Command Status。SSD前端（Front End）接受用户命令请求，经过内部处理，输出用户请求的数据或状态。 SSD前端负责和主机直接通信，接受主机发来的命令和相关数据，命令经SSD处理后，最终交由前端返回命令状态数数据给主机。 SSD通过SATA、SAS、PCIe等类型接口与主机相连，遵守相应的ATA、SCSI、NVMe协议。如表所示： 接口类型 协议命令 主机控制器接口 标准组织 文档链接 SATA ATA/SATA Command Set AHCI(Advanced Host Controller Interface) ATA-IO SATA Spec SAS SCSI Command Set SCSI T10 of INCITs SCSI Express PCIe NVMe Command Set NVMe PCI Express

RAM Random Access Memory，随机存取存储器，主要用来储存实时数据，表格等，可以通过指令随机地访问储存单元。它的速度快，但是需要供电才能工作，一旦掉电数据就会丢失。 通俗的讲，就类似于手机上的运行内存 ROM Read Only Memory，只读式存储器，通俗的讲，它只支持读，不支持擦写，一般用来存储文件、固定代码和一些固定指令等，不会因掉电而丢失数据。但是写入ROM中的信息只能被读出，不能修改。 EPROM (英文名太长了。)可擦除可编程只读存储器，它是一种可以用特殊的装置擦除或重写其中内容的存储器 闪存FLASH 一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，就算没有供电它也可以长久的保存数据，可理解为硬盘，支持在线传输，读写速度快 来源： CSDN 作者： 漠失沉沦 链接： https://blog.csdn.net/sinat_39560711/article/details/103578473

展开 我们都知道，早期的电脑CPU是可以直接从硬盘上面读取数据进行处理的，随着科技的进步，时代的发展，计算机硬件的发展速度也是极其迅猛。CPU主频的不断提升，从单核到双核，再到多核；CPU的处理速度越来越快，而硬盘的的读写速度已经远远跟不上CPU的读写速度，后来增加了内存这个读写速度相对较快的缓存，而内存也是蓬勃到发展，从SDRAM到DDR，从DDR到DDR2再到DDR3，但是无论怎样，内存缓存速度还是跟不上CPU的运算处理速度，后来便在CPU中增加了快速缓存机制！而硬盘这个持久化存储器呢？之前的文章，聊到了机械硬盘的结构和工作原理，今天就来聊一聊SSD固态硬盘的结构和基本工作原理，如理解有所变差，或文章有所不足，皆因水平所限！ 硬盘的发展在不断的科技进步中快速提升，从容量以及速度再到接口方面。从早期的PATA变成SATA，SCSI变到SAS，以及垂直记录技术在容量上的突破，但这些进步亦未能改变磁盘的记录方式。随着人们对数据需求增多，存储系统的瓶颈越来越明显。而在嵌入式领域移动设备和工业自动化控制等恶劣环境下，传统硬盘机械结构已经无法满足要求，而所有这一切随着固态存储(SSD)的到来而发生了改变。 传统的机械硬盘(HDD)运行主要是靠机械驱动头，包括马达、盘片、磁头摇臂等必需的机械部件，它必须在快速旋转的磁盘上移动至访问位置，至少95%的时间都消耗在机械部件的动作上

Linux 支持多种文件系统，包括 ext2、 ext3、 vfat、 ntfs、 iso9660、 jffs、 romfs和nfs 等，为了对各类文件系统进行统一管理，Linux 引入了虚拟文件系统VFS(Virtual File System) ，为各类文件系统提供一个统一的操作界面和应用编程接口。本文将和大家详细介绍 Linux文件系统 相关知识，一起来看看吧。 Linux 下的文件系统结构如下： Linux 启动时，第一个必须挂载的是根文件系统；若系统不能从指定设备上挂载根文件系统，则系统会出错而退出启动。之后可以自动或手动挂载其他的文件系统。因此，一个系统中可以同时存在不同的文件系统。 　　不同的文件系统类型有不同的特点，因而根据 存储  设备的硬件特性、系统需求等有不同的应用场合。在嵌入式 Linux应用中，主要的 存储  设备为 RAM(DRAM, SDRAM)和ROM( 常采用FLASH 存储器) ，常用的基于存储设备的文件系统类型包括：jffs2, yaffs, cramfs, romfs, ramdisk, ramfs/tmpfs等。 1. 基于 FLASH的文件系统 Flash  ( 闪存 )作为嵌入式系统的主要存储媒介，有其自身的特性。 Flash  的写入操作只能把对应位置的 1修改为 0 ，而不能把 0 修改为 1( 擦除 Flash 

ROM 和 RAM 区别： ROM ： Read Only Memory RAM ： Random Access Memory ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据， RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类： 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态。 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽

现在市面上手机参数动不动就是8GB+128GB，手机的这些参数是越大越好吗？这些数字代表什么？宏旺半导体ICMAX给大家科普下。 手机的运行内存RAM――LPDDR4X LPDDR4X为RAM（运存）参数，对应电脑中的内存DDR，一般高端旗舰机才会使用。LPDDR4X是四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，是第四代移动设备的“工作记忆”内存，归属于DRAM，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。LPDDR的大小级别与手机运行速度及价格密切相关，作为直接与手机处理器（cpu）交互的存储载体，其读写速度越快，功耗低，手机运行的速度越快，带给用户的最直观感受是，手机响应迅速，打开软件速度快，不会卡顿，电池使用时间更长，手机发热减少。 手机的闪存ROM――UFS2.1 而UFS2.1为ROM（闪存）参数，对应电脑中的硬盘，是一种非易失性内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘

转载：https://www.cnblogs.com/cainiao-chuanqi/p/11686976.html 存储系列名词 专有名词简介： PCI-E 全称是PCI Express，是新一代的 总线接口。 SSD: 固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD），俗称 固态硬盘 ，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，因为台湾英语里把固体电容称之为Solid而得名。SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等诸多领域。 DDR4 :DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。 何为NVMe ？Non-Volatile Memory Express， 非易失性存储器标准 ，是跑在PCIe接口上的协议标准。NVMe的设计之初就有充分利用到PCIe SSD的低延时以及并行性