ram

89C51单片机结构框图 1、一个8位 的微处理器CPU。 2、片内数据存储器(RAM128B/256B）:用以存放可以读/写的数据，如运算的中间结果、最终结果以及欲显示的数据等。 3、片内4kB程序存储器Flash ROM（4KB）:用以存放程序、一些原始数据和表格。 4、四个8位并行I/O（输入/输出）接口 P0~P3:每个口可以用作输入，也可以用作输出。 5、两个或三个定时/计数器: 每个定时/计数器都可以设置成计数方式，用以 对 外部事件进行计数，也可以设置成定时方式，并可以根据计数或定时的结果 实现计算机控制 6、一个全双工UART的串行I/O口:可实现单片机与单片机或其它微机之间串行通信。 7、片内振荡器和时钟产生电路:但需外接晶振和电容。 8、五个中断源的中断控制系统。 9、具有节电工作方式：休闲方式及掉电方式。 在空闲方式中，CPU停止工作，而RAM、定时器/计数器、串行口和中断系统都继续工作。此时的电流可降到大约为正常工作方式的15%。在掉电方式中，片内振荡器停止工作，由于时钟被“冻结”，使一切功能都暂停，故只保存片内RAM中的内容，直到下一次硬件复位为止。这种方式下的电流可降到15 μA以下，最小可降到06 μA。 结构： 由中央处理单元（CPU）、存储器（ROM及RAM）和I/O接口组成。89C51单片机内部结构如图所示： 下面介绍的是mcs-51 MCS

80C51在物理结构上有四个存储空间：片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器。但在逻辑上，即从用户使用的角度上，80C51有三个存储空间：片内外统一编址的64KB的程序存储器地址空间（用16位地址）、256B的片内数据存储器的地址空间（用8位地址，其中128B的专用寄存器地址空间仅有21个字节有实际意义）以及64KB片外存储器地址空间。 1、程序存储器 程序存储器用于存放编好的程序和表格常数。80C51片内有4KB ROM，片外16位地址线最多可扩展64KB ROM，两者是统一编址的。如果EA端保持高电平，80C51的程序计数器PC在0000H——0FFFH范围内（即前4KB地址）是执行片内ROM的程序。当寻址范围在1000H——FFFFH时，则从片外存储器取指令。当EA端保持低电平时，80C51的所有取指令操作均在片外程序存储器中进行，这时片外存储器可以从0000H开始编址。 程序存储器中，以下6个单元具有特殊功能。 0000H：80C51复位后，PC=0000H，即程序从0000H开始执行指令。 0003H：外部中断0入口。 000BH：定时器0溢出中断入口。 0013H：外部中断1入口。 001BH：定时器1溢出中断入口。 0023H：串行口中断入口。 2、数据存储器 数据存储器用于存放中间运算结果、数据暂存和缓冲、标志位等。80C51片内有256B

转自：http://blog.sina.com.cn/s/blog_94994f7b01010s1h.html 数组前不加“code”或“data”，则默认将数组存放在程序存储器中； code 指定数据是存储在代码区，数据是在编程的时候跟代码一起写入代码存储器，运行过程中不能改变； xdata 指定数据是存储在外部数据存储器了； data 指定数据存储在内部低128字节数据存储器里，如果变量不指定存储位置，默认就是data型，这部分存储器寻址速度最快； idata 指定数据存储在内部低256字节数据存储器里，但51只有128字节内部RAM，52才有256字节； pdata 指定数据存储在外部低256字节数据存储器里，这时候寻址用8位寄存器R0和R1，而不用16位的DPTR，寻址速度比xdata快。 单片机C语言unsigned char code table[] code 是什么作用？ code的作用是告诉单片机，我定义的数据要放在ROM（程序存储区）里面，写入后就不能再更改，其实是相当与汇编里面的寻址MOVC(好像是)， 因为C语言中没办法详细描述存入的是ROM还是RAM（寄存器），所以在软件中添加了这一个语句起到代替汇编指令的作用，对应的还有data是存入RAM 的意思。 程序可以简单的分为code（程序）区，和data （数据）区，code区在运行的时候是不可以更改的

IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术，它增加了其他接口选项，例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系统级封装（SiP）选项比内部SRAM更大的内存。 物联网 ram 继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术，该接口简化了产品设计，与SRAM相比降低了产品成本（降低了10倍），并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间；也可以从待机模式瞬时唤醒；IoT RAM还允许超低电流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取决于密度。密度越高，固定功率开销趋势就越低。 图1 IoT RAM在需要扩展内存的IoT/嵌入式应用程序中占据了最佳中间地带 由于 PSRAM 解决了与IoT/嵌入式应用中类似的设计约束，因此可以在功能电话产品中找到一席之地。物联网RAM基于PSRAM并通过低引脚数SPI或SiP选项进行接口，是需要性能，低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。利用低引脚数的SPI接口，可以进一步提高基于MCU/SoC/FPGA的设备的系统成本效率。 AP Memory 具有成本效益的IoT RAM解决方案与大多数MCU/SoC/FPGA随附的SPI接口兼容，包括Quad

IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术，它增加了其他接口选项，例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系统级封装（SiP）选项比内部SRAM更大的内存。 物联网 ram 继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术，该接口简化了产品设计，与 SRAM 相比降低了产品成本（降低了10倍），并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间；也可以从待机模式瞬时唤醒；IoT RAM还允许超低电流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取决于密度。密度越高，固定功率开销趋势就越低。 图1 IoT RAM在需要扩展内存的IoT/嵌入式应用程序中占据了最佳中间地带 由于PSRAM解决了与IoT/嵌入式应用中类似的设计约束，因此可以在功能电话产品中找到一席之地。物联网RAM基于PSRAM并通过低引脚数SPI或SiP选项进行接口，是需要性能，低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。利用低引脚数的SPI接口，可以进一步提高基于MCU/SoC/FPGA的设备的系统成本效率。 AP Memory 具有成本效益的IoT RAM解决方案与大多数MCU/SoC/FPGA随附的SPI接口兼容，包括Quad

对我来说写一篇博客真的不容易，我是个十足的完美主义者，但是水平很一般，所以我会花上很多时间去修补文章。也许文章并不能让你满意，如果你有任何的建议，任何的，我都非常期待你能告诉我。这篇文章仍然是继续 Windows Embedded CE Internals (2) 内存部分。 从硬件视角看内存 从硬件上看，可作为内存的大体分为RAM、ROM、Nand/Nor Flash(兼具RAM和ROM特性的混合体)。 RAM 內存 可以进一步分为静态随机存取存储器( SRAM )和动态随机存取存储器( DRAM )两大类。 SRAM 具有快速访问的优点，但生产成本较为昂贵，一个典型的应用是 高速缓存 。而 DRAM 由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的 主存储器 。 以下简单列举一些RAM： DRAM SRAM VRAM(Video RAM) DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM) 那么RAM、ROM、Flash有哪些区别？我在这里简单的总结一下： 1.RAM需要供电才能保存数据，而ROM、Flash都不需要。 2.内存中的代码能够直接被执行的前提是CPU能够随机读取这个内存里面的数据，RAM满足这个条件的，还满足这个条件的是ROM和Nor Flash(也就是XIP)