nand

我们在购买电子产品时，常常听到FLASH闪存这个词。但对于基础小白来说，可能常常搞不清楚SPI Flash、Nand Flash、Nor Flash等都是指什么，今天宏旺半导体就跟大家通俗易懂地讲解一下。 首先，我们了解一下Flash闪存本身，它则是一种非易失性存储，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash按照内部存储结构的不同，可以分为两种：Nor Flash和Nand Flash。 宏旺半导体打个比方说，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND的成本较NOR来说很低，而容量却大很多。 因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 首先，SPI是指一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash，即，可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI Nor Flash

从CPU处理速度越来越快，到内存的蓬勃发展，如今随着技术的进步，SSD的普及度也大大提升，在疫情期间，不少人也打算给自己的电脑升级一块高速大容量的SSD。之前的文章中，我们聊到了eMMC的工作原理，今天宏旺半导体就跟大家来聊一聊SSD固态硬盘的结构和基本工作原理 SSD 主要由 SSD 控制器，FLASH 存储阵列，板上DRAM，以及跟HOST接口（诸如SATA，SAS, PCIe等）组成。而其中最重要的三个组件就是NAND闪存，控制器及固件。NAND闪存负责重要的存储任务，控制器和固件需要协作来完成复杂且同样重要的任务，即管理数据存储、维护SSD性能和使用寿命等。 SSD 的基本工作原理是从主机PC端开始，用户从操作系统应用层面对SSD发出请求，文件系统将读写请求经驱动转化为相应的符合协议的读写和其他命令，SSD收到命令执行相应操作，然后输出结果，每个命令的输入和输出经协议标准组织标准化，这是标准的东西，和HDD无异，只不过HDD替换成SSD硬件存储数据，访问的对象变成SSD。 宏旺半导体之前说过，由于闪存不能覆盖写，闪存块需擦除才能写入。主机发来的某个数据块，它不是写在闪存固定位置，SSD可以为其分配任何可能的闪存空间写入。因此，SSD内部需要FTL这样一个东西，完成逻辑数据块到闪存物理空间的转换或者映射。 举个例子，假设SSD容量为128GB，逻辑数据块大小为4KB

据多名从业者反映，目前存储芯片交货的几乎都是年前的订单，因为疫情影响没有新的订单需求。对于行业内的行情，业者多持看好的态度，相信今年的订单需求会随着疫情的好转慢慢转为强劲，下半年也可能出现供不应求的情况。 NAND Flash：因为SSD的缺货，导致大容量Nand Flash近期询盘增多，但是因为大容量Nand flash 单价高，流通度低很少会备货库存持续下降，供给也较为保守。 受5G需求刺激，加上各类产品搭载SSD比重与容量显著提升，终端都积极备货，均成为刺激Nand Flash需求增温的动能，今年NAND价格走势预计稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。 由于缺货涨价的现象可能还会持续一段时间，建议有SSD相关需求的业者可以考虑适当备货。 Nor Flash：最近一段时间，Nor Flash各品牌在春节后均呈上涨趋势。 Micron方面，近期价格相对比较稳定，但相较其他品牌，价格还是比较高。 而Cypress，在春节过后Nor Flash呈上涨趋势，高容量型号涨幅明显。 Winbond从2019年Q4季度末开始，16M到如今的256M持续涨价，并且都是分货状态，价格变动较大，需要在到货之后确认分货价格。并且由于5G等项目，将进一步影响晶圆供应以及产能，整体来说后期趋势看涨。 来源： 51CTO 作者： 英尚微电子 链接： https://blog.51cto.com

大家知道目前主流的存储芯片大致可以分为NOR Flash和NAND Flash。容量需要大一点的话，就会用采用NAND Flash。 但用NAND Flash会有哪些问题呢？ 第一，NAND Flash有坏块，要使用NAND Flash，就必须要进行坏块管理，还需要做EDC/ECC，如果需要使用寿命长，还需要做平均读写，垃圾回收等处理。 第二，不同品牌之间的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，时序不同等。都需要工程师重新调试驱动。 第三，如果新项目换了新的主控，也需要重新写NAND Flash驱动。 除了上面提到的问题，现在的市场需求变化很快，为了实现新的卖点和功能，产品开发时间都很紧张。开发应用层软件，已经消耗了工程师的大量时间，但为了使用NAND Flash，还需要耗费额外的时间，来编写NAND Flash的底层驱动。 另外随着物联网的兴起，MCU的应用越来越广，MCU就要面对如何管理NAND Flash的问题了。我们知道MCU为了功耗，牺牲了很多性能，如果让MCU直接管理NAND Flash的话，复杂的驱动软件就会大量占用MCU的处理器资源，MCU没法干别的了。 最后物联网产品越来越小型化，对元器件的尺寸要求也是越来越高。 综合以上的情况，大家都在想，是否有一种品质稳定可靠，尺寸又小，简单易用，还不用写驱动的NAND Flash产品呢？ SD

U-boot发展到现在，他的命令行模式已经非常接近Linux下的shell了，命令行模式模式下支持 “Tab”键的命令补全和命令的历史记录功能 。而且如果你输入的命令的前几个字符和别的命令不重复，那么你就只需要打这几个字符即可，比如我想看这个U-boot的版本号，命令就是“ version”，但是在所有的命令中没有其他任何一个的命令是由“v”开头的，所以只需要输入“v”即可。 [ u - boot@MINI2440 ] # version U - Boot 2009 . 11 ( 4月 04 2010 - 12 : 09 : 25 ) [ u - boot@MINI2440 ] # v U - Boot 2009 . 11 ( 4月 04 2010 - 12 : 09 : 25 ) [ u - boot@MINI2440 ] # base Base Address : 0x00000000 [ u - boot@MINI2440 ] # ba Base Address : 0x00000000 由于U-boot支持的命令实在太多，一个一个细讲不现实，也没有必要。所以下面我挑一些烧写和引导常用命令介绍一下，其他的命令大家就举一反三，或者“help”吧！ （1）获取帮助 命令：help 或 ? 功能：查看当前U-boot版本中支持的所有命令。 [ u - boot@MINI2440 ]

在支持Nand Flash操作之前，首先要对Nand Flash的读写方法有一定的了解，参考文章： S3C2440-裸机篇-10 | 使用S3C2440操作Nand Flash 1. 去除nand flash屏蔽 在之前初步移植uboot时，发现开启nand flash之后编译不通过，所以屏蔽了nand flash的使用，在单板配置文件 include/configs/smdk2440.h 中开启： 然后编译，改正编译错误。 2. 定位编译出错问题所在 首先来修复第一个问题： 查看s3c2410_nand.c文件的72行： 这个指针有问题的话，就是nand这个结构体变量的定义问题，找到nand变量的定义： struct s3c2410_nand * nand = s3c2410_get_base_nand ( ) ; 接下来问题就变为 struct s3c2410_nand 这个结构体定义有问题，继续寻找该定义，果然，在文件 arch/arm/include/asm/arch-s3c24x0/s3c24x0.h 中，我们定义的是CONFIG_S3C2440，所以有struct s3c2440_nand的定义，没有struct s3c2410_nand的定义： 3. 修复编译错误 — 添加s3c2440_nand.c文件 3.1. 添加文件到工程中 这里涉及到将所有定义全部改变

转载：http://blog.csdn.net/shuaishuai80/article/details/6202205 介绍的很详细 Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF . 因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反 . (1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块. (2) NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据. (3) 由于NorFlash地址线和数据线分开，所以NorFlash芯片可以像SDRAM一样连在数据线上.NOR芯片的使用类似于通常内存芯片，传输效率高，可执行程序可以在芯片内执行(XI P, eXecute In Place

不同点： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态。 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR