mos管

三极管 是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处。三极管机可能经常用，但MOS管你用的可能较少。对于MOS管先抛出几个问题： 如何区分P-MOS和N-MOS； 如何区分MOS的G、D、S管脚； MOS管的寄生二极管方向如何； MOS管如何导通； 带着这几个问题，再看下面的内容，你会理解的更快、更多。 原文链接:http://www.elecfans.com/d/711803.html 来源： https://www.cnblogs.com/XingXiaoMeng/p/11954967.html

　　一。输入接口 　　 　　XH插座用了接锂电池。注意正负极。 　　DC5.5-2.1mm接口，一般用12V，1A电源适配器。 　　 　　二。输出接口 　　 　　 　　 　　共有5种电源电压输出：VCC，5V-5A，3.3V-5A，5V-1A，3.3V-1A 　　VCC可以给电机供电 　　5V-5A可以给大电流的设备供电，如：舵机 　　为什么要设计成2路电源电压? 　　比如舵机，在启动的时候需要很大的电流，会把5V电压拉低，比如拉低到3V，如果5V也给单片机供电，就会引起单片机复位。同时，带有电机的电路噪声很大，不适合跟单片机接在一起。 　　因此单独引出一路小电流电源电压给单片机和其他传感器供电使用。 　　蓝色的排针只是上下相通，没有跟电源连接。 　　三。NMOS管组成的防反接电路 　　 　　防反接电路有一个简单的方法就是串入一个二极管，电源接反的话二极管不导通，但二极管会产生0.7V的压降，锂电池只有7.4V，因此不适合采用二极管。 　　因此选择NMOS管。 　　1. 正常工作的时候 　　NMOS管内部有一个二极管，在NMOS管不导通的时候，二极管导通，电流通过这个二极管流过回到GND， 　　Vgs>1.5V 以上时NMOS管导通，因为此时Vgs为2.7V，大于1.5V，因此NMOS管导通。导通以后Vds电压为0，所以正常工作的时候会把二极管短路

MOS管Ｐ管。通常S接电源。G控制信号，D接负载。当G等于S时。S和D不导通当G小于一定S D和S导通。 N管S接地，G接控制，D接电流节点 1. MOS管开关电路 学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。 PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下图是MOS管开关电路，输入电压是Ui，输出电压是Uo。 当Ui较小时，MOS管是截止的， Uo＝Uoh＝Vdd； 当Ui较大时，MOS管是导通的， Uo =Ron/(Ron+Rd)*Vdd，由于Ron<<Rd，所以输出为低电平，即Uo＝0 MOS管防反接电路 电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

　 MOS管 是FET的一种，可制造成增强型或耗尽型，有P型或N型，无论是那种，其工作原理本质都是一样的。MOS管种类和作用众多，在电源的使用中主要用到其开关作用。 　　 MOS管 常加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流，通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应。在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极。开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流，是理想的模拟开关器件。 　　 MOS管 的工作状态可分为开通过程、导通状态、关断过程和截止状态。损耗可分为开关损耗、导通损耗、截止损耗和雪崩能量损耗。常见的损坏原因有过流、过压和静电等，下面就由立深鑫电子和您一起去探究个中奥秘，让你更加透彻的了解引发MOS管发烫的因素。 　　MOS管发烫的四大因素： 　　1、电路设计问题。如MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。如果NMOS做开关，其G级电压要比电源高几V才能完全导通，而P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。 　　2、使用频率太高。如过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大，发热也加大了。 　　3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到

MOS管Ｐ管。通常S接电源。G控制信号，D接负载。当G等于S时。S和D不导通当G小于一定S D和S导通。 N管S接地，G接控制，D接电流节点 1. MOS管开关电路 学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。 PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下图是MOS管开关电路，输入电压是Ui，输出电压是Uo。 当Ui较小时，MOS管是截止的， Uo＝Uoh＝Vdd； 当Ui较大时，MOS管是导通的， Uo =Ron/(Ron+Rd)*Vdd，由于Ron<<Rd，所以输出为低电平，即Uo＝0   MOS管防反接电路 电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

1、导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 2、MOS开关管损失 　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流 ，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容