mosfet

场效应管从结构上分为：JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管） 可以说三极管与场效应管有着很多相似之处： 场效应管与三极管都具有放大功能，但是其最直观的区别就是： （1）场效应管是用G极的电压控制D极的电流；而三极管是用B极的电流控制C极的电流。 （2）场效应管G D S三个极之间是隔离的，G极的电流输入忽略不计，所以场效应管的输入阻抗无穷大； JFET（结型场效应管）： JFET的特点： （1）输入阻抗特别大； （2）电压VGS越大，电流ID越小； MOSFET（金属氧化物半导体场效应管） MOSFET根据结构的不同又分为：D-MOSFET（耗尽型金属氧化物场效应管）和E-MOSFET（增强型金属氧化物半导体 场效应管） MOSFET的特性： E-MOSFET特性： （1）N-channel只能工作在VGS>0的条件下，P-channel只能工作在 VGS<0的条件下; （2）VGS = 0时,D极不产生电流； （3）即使VGS不等于0，在达到阈值开启电压时，D极电流小的也几 乎为0。 D-MOSFET特性： （1）G极可以工作在正压或者负压状态下，两种状态下都可以导通； （2）N-channel和P-channel都当VGS= 0时，D极电流达到IDSS IDSS表示：G极短路HSI的G-S的电流。IDSS也是JEFT最大能 承受的电流 。

JFET与MOSFET的基本特性比较 ◆ JFET与MOSFET都是场效应晶体管，它们的主要共同点在于： （1）是 多数载流子 工作的器件，则不存在因为 少数载流子 所引起的一些问题（如温度稳定性较好）。 （2） 输入阻抗 都很高，并且都是电压驱动的器件，则工作时不需要输入电流，而且输入回路较为简单。 （3） 转移特性 都是抛物线关系，则不存在 3次交扰调制噪声 。 （注： 交扰调制 是指两个不同频率的信号在器件中产生互相调制的一种现象，这对于混频器而言是极力需要避免的。） ◆ JFET与MOSFET由于器件结构不同，则它们的特性存在着差异 ，有如： （1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。 （2）MOSFET对于 静电放电 （ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。 （3）JFET一般是 耗尽型 的器件，而MOSFET可以有 增强型 器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。 （4）JFET的 噪声 性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的 1/f噪声 。所以JFET的低频噪声很小。 来源： oschina 链接： https://my

■ 分为 结型 和 绝缘栅型 ，但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（ Metal Oxide Semiconductor FET ） , 简称电力 MOSFET （ Power MOSFET ）。 ■ 电力 MOSFET 是用 栅极 电压来控制 漏极 电流的，它的特点 有： ◆ 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆ 开关速度快，工作频率高。 ◆ 热稳定性优于 GTR 。 ◆ 电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。 ■ 电力 MOSFET 的结构和工作原理 ◆ 电力 MOSFET 的种类 ☞ 按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。 ☞ 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为 耗尽型 。 ☞ 对于 N （ P ）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为 增强型 。 ☞ 在电力 MOSFET 中，主要是 N 沟道增强型 。 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 ◆ 电力 MOSFET 的结构 ☞ 是 单极 型晶体管。 ☞ 结构上与小功率 MOS 管有较大区别，小功率 MOS 管是 横向 导电器件，而目前电力 MOSFET 大都采用了 垂直 导电结构，所以又称为 VMOSFET （ Vertical MOSFET ），这大大提高了 MOSFET 器件的 耐压 和 耐电流 能力。 ☞ 按垂直导电结构的差异，分为利用 V

在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文，“ ”（点击加黑文字可以跳转到该推文），对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。 推文一开始就讲到：只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。 虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢” 年轻教授Neubean怀着好奇心对于通常在MOSFET栅极串联100Ω电阻做法进行了实验研究，并得出了一个结论可以安抚自身疑问的心灵，但是感觉他最终还是没有真正抓住问题所在。 我们知道，MOSFET器件是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。 对于普通的双极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联电阻R1是为了了限制基极电流的大小，否则对于驱动信号源来说，三极管的基极对地之间就等效成一个二极管，会对前面驱动电路造成影响。 如果对于MOS管，由于它的栅极相对于漏极和源极是绝缘的，所以栅极上无需串联电阻进行限流。 相反，考虑到MOS管栅极存在的寄生电容，为了加快MOS管导通和截止的速度

KiCad 元件值 F4NNIU 规范 为方便物料统计以及规范物料，在制造 BOM 时可以快速生成精确的信息。 电阻 Value：10KJ（示例：10KJ、100KF、0R1F、0R01F） 10K ：10K OHM J：5%（可选：J、F） Pacakge：R0603 R0603（可选：R0402、R0603、R0805、R1206……） 电容 Value：226_6（示例：224_50、106_10、103_50） 226：22UF 6：6.3V Package：C0805 C0805（可选：C0402、C0603、C0805、C1206……） 电感 二极管 三极管 MOSFET IC 文件历史 2019-10-10 文档开始 https://www.cnblogs.com/F4NNIU/p/11647044.html 来源： https://www.cnblogs.com/F4NNIU/p/11647044.html