mos

一、典型电路 1、电路1 说明： GND-IN　　为电源接口的负极 GND　　　 为内部电路的公共地 原理分析 正向接： 　　VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。 反向接：MOS体二极管截至 2、电路2 说明： GND-A-24V　　为电源接口的负极 GND-A　　　 为内部电路的公共地 原理分析 正向接： 　　VCC-IN通过R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。 反向接： 虽然 MOS体二极管这时正向接，但是由于GND-A上端接的是我们的电路，电路的上端是VCC-A-24V-IN，所以还是无法通过；事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。 二、优缺点 1、优点 　　由于正向接导通时，MOS管Ron很小，压降非常小，基本保证了GND和GND-IN等电位。 　　而串联二极管会有一定的压降。 2、缺点 　　电路复杂，价格也高。 来源： https://www.cnblogs.com/amanlikethis/p/3691859.html

汽车雨刮故障维修 本文说明汽车雨刮的工作原理、维修要点、和可能出现的问题。以五菱之光汽车雨刮为蓝本进行说明，市场上其他大部分车型雨刮部分电路都类似。 1.雨刮电机原理分析 雨刮分为前雨刮和后雨刮，前雨刮电机有两组线圈(高速、低速)，后雨刮只有组线圈对应一个速度。先说明前雨刮工作原理，实物如下： 下段部分黑色的为电机部分，上部分为机械部分。四根控制线、其中三个为电机线圈控制，一根为停止位控制。 1.1电机部分 两组线圈，如下图连接。 用万用表导通档位测量测试三根线应该两两导通否则认为电机线圈烧毁。用万用表测两个线圈的电阻不同车型大概在2~3欧。五菱雨刮电机内部高低速线圈线径一样的用万用表测试高速线圈电阻要大于低速线圈。不同车型电阻大小判断只作为参考(某些车型内部两个线圈线径不一样)。 1.2机械部分 机械部分主要用来检测雨刮位置让雨刮能够停在玻璃下部，如果出现雨刮不能停下来，或者停在玻璃中间可能是机械部分故障导致停止信号出错。内部原理如下： 图中的箭头绕着“圆圈”运行，当运行到红色部分停止位信号与地线联通，对外输出低电平，不在红色部分时停止位信号悬空。 可通过给雨刮电机通电，用万用表测量在运行一圈的过程中停止位信号是否有跟地线接通的时候来判断雨刮机械部分是否正常。 1.3后雨刮电机 后雨刮电机与前雨刮电机原理、结构是一样的，唯一的区别是后雨刮少一组线圈。其有三根线组成，两个电机控制线

近年来随着非结构化数据的爆发性增长，由于IBM FileNet系统架构问题出现了明显性能瓶颈，杉岩海量对象存储系统（SandStone MOS）采用全分布式架构，针对海量文件场景提供可线性扩展的持续快速访问性能，同时提供全方位的海量数据保护支持和数据生命周期管理功能，能够完美替代IBM FileNet。 非结构化数据的爆炸式增长，使有价值的信息散落在各个“孤岛”。这些非结构化信息包括办公文档、视频影像与音频、HTML网页、电子邮件、文本、报表等等，这些信息通常被放在企业的数据库、文件系统、网站以及门户等等IT系统中。 企业运营中所使用的数据，80%以上是非结构的，它的增长率甚至是结构化数据的两倍。这些数据来自于每天拥有两千亿往来的电子邮件，再加上影像、办公文档、音视频文件等等，可见是海量数据。若能够有效利用海量数据，我们便可提早发现问题，提升对客户的服务，降低作业成本，能够发掘新的收益机会。杉岩数据谈到，“我们做了一个医疗界客户的POC(为观点提供证据)，我们用SandStone MOS分析五千个病人的记录，其中一个项目是找病人抽烟的习惯判断他得心脏病的风险性。从有结构式的数据中，有35%的记录中找到了抽烟指标;在文本数据中从81%的数据找到抽烟指标，并且准确度高了很多。所以若只对来源数据进行分析也许会错过一些很重要的洞察。” “企业内容分析的数据对象正在发生变化

语音质量评估，就是通过人类或自动化的方法评价语音质量。在实践中，有很多主观和客观的方法评价语音质量。主观方法就是通过人类对语音进行打分，比如MOS、CMOS和ABX Test.客观方法即是通过算法评测语音质量，在实时语音通话领域，这一问题研究较多，出现了诸如如PESQ和P.563这样的有参考和无参考的语音质量评价标准。在语音合成领域，研究的比较少，论文中常常通过展示频谱细节，计算MCD(mel cepstral distortion)等方法作为客观评价。今年也出现了MOSNet等基于深度网络的自动语音质量评估方法。 语音质量评测方法 以下简单总结常用的语音质量评测方法。 主观评价：MOS[1], CMOS, ABX Test 客观评价 有参考质量评估(intrusive method)：ITU-T P.861(MNB), ITU-T P.862(PESQ)[2], ITU-T P.863(POLQA)[3], STOI[4], BSSEval[5] 无参考质量评估(non-intrusive method) 传统方法 基于信号：ITU-T P.563[6], ANIQUE+[7], NISQA[8] 基于参数：ITU-T G.107(E-Model)[9] 基于深度学习的方法：AutoMOS[10], QualityNet[11], MOSNet[12] 此外，有部分的方法

三极管 是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处。三极管机可能经常用，但MOS管你用的可能较少。对于MOS管先抛出几个问题： 如何区分P-MOS和N-MOS； 如何区分MOS的G、D、S管脚； MOS管的寄生二极管方向如何； MOS管如何导通； 带着这几个问题，再看下面的内容，你会理解的更快、更多。 原文链接:http://www.elecfans.com/d/711803.html 来源： https://www.cnblogs.com/XingXiaoMeng/p/11954967.html

1、导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 2、MOS开关管损失 　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流 ，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容