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专题3-NandFlash变硬盘 第1课-NandFlash原理解析 角色分析 在电脑中有硬盘，它是用来存储文件的。嵌入式系统是防电脑的系统，在嵌入式系统中，NandFlash就相当于硬盘的存在。 NandFlash的分类 2.1 根据物理结构上的区别，NandFlash主要分为如下两类： l SLC（Single Level Cell）：单层式存储 l MLC（Muti Level Cell）：多层式存储 SLC在存储格上只存一位数据，而MLC则存放两位数据 2.2 MLC对比SLC 价格：由于MLC采用了更高密度的存储方式，因此同容量的MLC价格上远低于SLC 访问速度：SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上 使用寿命：SLC能进行10万次的擦写，MLC能进行1万次 功耗：MLC功耗比SLC高15%左右 访问方式 （1） 对比内存与NandFlash的编址区别 CPU内部有NandFlash控制，负责NandFlash与CPU之间的通信，通过地址、命令和数据三个寄存器来完成这一系列的通信。 （2） NandFlash地址构成 一块NandFlash划分成多个Block，一个Block划分成多个page，一个page划分成两个部分。 （3） 信号引脚 CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许 ALE(Address Lactch Enable):

从前，大家谈TLC色变；如今，TLC攻占SSD半壁江山。是的，这个世界就是这么奇妙。 虽然TLC早已占据主流地位，但传言多了、百度多了，不少消费者还是抱有“怕”的态度，下面我们就来详细了解TLC。 转载： http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html TLC是什么？ 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的，这点类似于我们常见的U盘。NAND Flash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。 SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，1个存储器储存单元可存放1 bit的数据，只存在0和1两个充电值。以此类推，TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell，1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。 单位容量的存储器，可以存储更多的数据，所以TLC每百万字节生产成本是最低的。 TLC工作原理： 小编尽量用通俗语言解释。根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元（数据），则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。 所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。 由于TLC的1个存储器储存单元可存放3