SCM又添一个纯国产SSD玩家
“你中有我，我中有你。”计算与存储之间，一直以来就有着密不可分的关系。 在数字化变革的新时代，存储性能与计算性能的优化，对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。 SCM，即Storage Class Memory存储级内存，不仅享有DRAM的性能表现，同时拥有NAND Flash的容量优点，这样一类兼得DRAM与NAND Flash优点的创新介质，具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。 显然，SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥，适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、云计算等创新技术融合式应用发展的今天，SCM创新介质的出现，带来了计算存储前所未有的新改变，越来越备受业界的关注。 不过，在SCM领域，英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极，最近一次的新闻却将东芝存储器的 XL-Flash 推向了市场的前台。 在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上， 北京忆恒创源科技有限公司（Memblaze） 在现场展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品 Memblaze PBlaze X26 。 东芝存储器公开信息显示，XL-Flash的延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟，拥有足足10倍的更佳表现