新型2D半金属将存储速度提升百倍!华人科学家领衔非硅基全新数据储存方法|专访
随着电脑在人类工作生活中所占比重越来越大,想必大家都面临过文件太多需要额外储存空间,或者利用 U 盘转移文档等情况。而硬盘,一定是人们最为熟悉的数据存储载体。 硬盘分为机械硬盘和固态硬盘两种,机械硬盘由于其信息载体是磁性物质,又被人们叫做磁盘。它在工作中,内部有马达驱动磁盘片转动,然后通过机械手臂控制磁头在盘片上进行读写。在盘片上有序地排列了许多小颗粒的磁性材料,它们可以被永久磁化并改变磁极,而两个磁极就分别表示了计算机二进制中的 0 和 1;这样就可以记录数据了。 固态硬盘则没有复杂的机械机构,主要以 Flash 芯片作为储存数据的介质,Flash 芯片上包含许多储存单元,这些储存单元依靠是否存放电子来表示 0 和 1:当一个单元位置中没有存放电子,它就是 0;如果存放了电子,它就是 1。 而现在,由斯坦福大学研究人员领导的联合实验团队发明了一种 全新的数据存储方法 ,他们让仅有 3 个原子层厚的二 碲化 钨(WTe2)金属层相互滑动,使得奇数层与偶数层发生稳定的偏移,并利用其奇偶层的排列代表 0 和 1 来储存数据。相比于现有的非易失性(NVW)存储器, 这种方法提供了一种可行的机制与新的材料平台,来实现更小空间且更少能耗却存储更多的数据,并且能百倍提高存储速度,这对于实现新兴的内存计算和神经网络计算极为有利。 这项研究集合了多个学校组织的合作