集电极

随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。 3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。 很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。笔者根据多年的总结思考与教学实践，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。 一、 传统讲法及问题： 传统讲法一般分三步，以NPN型为例

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）

转自 http://www.shinian10.com/article.asp?id=577 当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。 一、三极管的类型及材料 　　初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 　　三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降

三极管 半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。 ------------------------------------------------------------------ 1.概念: 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 2.三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、 PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 3.三极管的主要参数: a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在. 4.判断基极和三极管的类型: 先 假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小

　　 各设备连接到I2C总线的输出端要求是开漏输出或集电极开路输出的结构。总线空闲时上拉电阻使I2C的SDA及SCL线都保持高电平，根据开漏输出或集电极开路输出的线与逻辑，I2C总线上任何结构输出低电平都是拉低总线信号。 　　集电极开路输出、开漏输出、推挽输出相关知识可见： https://blog.csdn.net/yu132563/article/details/55261888 来源： https://www.cnblogs.com/zhly2711/p/11900601.html

转载： https://blog.csdn.net/u013355826/article/details/52600484 BJT（Bipolar Junction Transistor）从功能上可以看成是两个二极管背靠背的串联在一起。 然而在实际的制造过程中， 我们把晶体管比作两个二极管时候，是指基极-射极二极管和基极-集电极二极管。 NPN型二极管与PNP型二极管 根据二极管的单向导电性，下面的连个例子第一个可以有电流，第二个没有电流（基极-集电极二极管时反偏）。 现在我们思考下面的三极管的接法，注意在基极和集电极都有电源。 当基极和集电极都接有电源时，电路中的电流就反应出三极管的关键特性。称作晶体管动作（如果晶体管的基极电流在流动，那么集电极电流也在流动），电流如图所示： 从图中我们注意到：基极电流引起了集电极电流的流动（如果没有基极电流，也没有集电极电流）。在基极和集电极之间没有电流。 晶体管属性之一是---集电极电流和基极电流之比是常数。集电极电流大于基极电流。两个电流之比称作晶体管的电流增益。 改变β或者改变Rb的值，可以改变集电极电流，当基极电流足够大时候，以至于在给定的集电极电阻和供电电压情况下，集电极的电压为0。集电极的电流最大，这种状态称为饱和。 三极管的导通（ON） 由于晶体三极管开关在功能上等效于闭合的开关。因此集电极电压和发射极电压相同

　　图1-46所示是三极管示意图。三极管有3根引脚：基极(用B表示)、集电极(用C表示)和发射极(用E表示)，各引脚不能相互代用。 　　图1-46 三极管示意图 　　3根引脚中，基极是控制引脚，基极电流大小控制着集电极和发射极电流的大小。在3个电极中，基极电流最小(且远小于另外两个引脚的电流)，发射极电流最大，集电极电流其次。 　　三极管种类及外形特征 　　1.三极管种类 　　三极管是一个“大家族”，人丁众多，品种齐全。表1-4所示是三极管种类。 　　表1-4 三极管种类 　　续表 　　2.三极管外形特征 　　目前用得最多的是塑料封装三极管，其次为金属封装三极管。 　　关于三极管外形特征主要说明以下几点。 　　(1)一般三极管只有3根引脚，它们不能相互代替。这3根引脚可以按等腰三角形分布，也可以按一字形排列，各引脚的分布规律在不同封装类型的三极管中不同。 　　(2)三极管的体积有大有小，一般功率放大管的体积较大，且功率越大其体积越大。体积大的三极管约有手指般大小，体积小的三极管只有半个黄豆大小。 　　(3)一些金属封装的功率三极管只有两根引脚，它的外壳是集电极，即第三根引脚。有的金属封装高频放大管是4根引脚，第四根引脚接外壳，这一引脚不参与三极管内部工作，接电路中地线。如果是对管，即外壳内有两只独立的三极管，则有6根引脚。 　　(4)有些三极管外壳上需要加装散热片