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[转帖]首颗国产DRAM芯片的技术与专利,合肥长鑫存储的全面深度剖析

烂漫一生 提交于 2019-12-05 01:43:35
首颗国产DRAM芯片的技术与专利,合肥长鑫存储的全面深度剖析 https://mp.weixin.qq.com/s/g_gnr804q8ix4b9d81CZ1Q 2019.11    存储芯片已经成为全球珍贵的战略资源 ,国内从过去完全缺席的困境,经历三年焚膏继晷的研发,已陆续在 3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断。   论垄断势力,DRAM 产业尤为严重。 相较于 3D NAND 在国际间仍有六大供应商可以选择,DRAM 产业却被三星、SK 海力士、美光三大供应商试图守得滴水不漏。    这三家巨头都是左手 DRAM、右手 3D NAND ,三星还有手机、白色家电等一线品牌,SK 海力士更是隶属于韩国 SK 通信集团,两家背景都是家大业大的豪门贵胄。 图:DeepTech   一、中国自主研发 DRAM 芯片宣告量产   无论三大阵营如何滴水不漏的防备,努力与毅力仍是有水滴石穿的一天。    2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储宣布自主研发的 8Gb DDR4 芯片正式量产,采用 19 纳米工艺打造 ,继长江存储打破全球 3D NAND 垄断后,DRAM 市场也被长鑫存储以水滴石穿的毅力,硬生生劈出一条缝来。   长鑫存储的主要股东为合肥市政府与北京兆易创新,以 4 比 1 投资份额所组成。   长鑫存储对问芯 Voice 表示, 合肥 12 寸晶圆厂分为三期